[发明专利]光纤有效
| 申请号： | 01145666.3 | 申请日： | 2001-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1359014A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 松尾昌一郎;畔蒜富夫;原田光一 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | G02B6/16 | 分类号： | G02B6/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光纤 | ||
【权利要求书】：
1.一种光纤，包括高浓度锗层和低浓度锗层，
其中，高浓度锗层位于光纤的中心位置，并含有氧化锗，氧化锗的浓度为相对于高浓度锗层总重量为0.1％(重量)或更多。
低浓度锗层位于在高浓度锗层周围，并含有氧化锗，氧化锗的浓度为相对于低浓度锗层总重量小于0.1％(重量)。
在所用波长段从高浓度锗层漏进低浓度锗层的光功率与经光纤传播的总光功率的比率是0.4％或以下。
2.一种光纤，包括高浓度锗层和低浓度锗层，
其中，高浓度锗层位于光纤的中心位置，并含有氧化锗，氧化锗的浓度为相对于高浓度锗层总重量为0.1％(重量)或更多。
低浓度锗层位于在高浓度锗层周围，并含有氧化锗，氧化锗的浓度为相对于低浓度锗层总重量为小于0.1％(重量)。
在所用波长带中高浓度锗层的外径至少是模场直径的外径的2.6倍。
3.按权利要求1的光纤，其中，低浓度锗层包括包覆层，高浓度锗层包括芯和位于芯与包覆层之间的中间层，芯的最大折射率至少高于中间层的最大折射率的0.25％。
4.按权利要求1的光纤，其中，除氧化锗之外的杂质和氧化锗一起加入到高浓度锗层中。
5.按权利要求2的光纤，其中，低浓度锗层包括包覆层，高浓度锗层包括芯和位于芯与包覆层之间的中间层，芯的最大折射率比中间层的最大折射率至少高0.25％。
6.按权利要求2的光纤，其中，除氧化锗之外的杂质和氧化锗一起加入高浓度锗层。
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