[发明专利]卤化银乳剂,彩色照相感光材料及其成像方法有效
| 申请号: | 01141062.0 | 申请日: | 2001-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN1344973A | 公开(公告)日: | 2002-04-17 |
| 发明(设计)人: | 落合美郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | G03C1/005 | 分类号: | G03C1/005;G03C1/035;G03C7/00;G03C7/30 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王景朝,刘玥 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 卤化 乳剂 彩色 照相 感光材料 及其 成像 方法 | ||
发明背景
发明领域
本发明涉及含碘化银的高氯化银含量颗粒卤化银乳剂,具体指高氯化银含量片状颗粒,是以{111}平面作为主平面的高氯化银含量片状颗粒(以下称为{111}高氯化银片状颗粒)。本发明还涉及彩色照相感光材料和使用该卤化银乳剂的成像方法。本发明尤其涉及具有极好颗粒形状稳定性的乳剂,其中涂布液溶解和老化后灰雾没有增加,而且具有高感光度和极好的互易率性能(特别是在高照度下曝光)。本发明还涉及使用这样乳剂的彩色照相感光材料并涉及在此彩色照相感光材料上形成影像的方法,特别是在高照度下以短时间曝光形成影像的方法。
相关技术描述
有关生成{111}主平面片状颗粒卤化银乳剂的方法,在例如US4400463、5185239和5176991,日本公开特许(JP-A)63-213836及US 5176992和5691128中分别公开了在晶体习性控制剂存在下生成颗粒的方法,晶体习性控制剂包括例如氨基氮杂茚、三氨基嘧啶、羟基氨基吖嗪、硫脲、呫吨酮类似物和吡啶鎓盐。
本领域中众所周知给予关注的是,在高氯化银含量颗粒中,{100}平面倾向于有选择地出现,这样,高含量氯化银颗粒一般具有立方体形式。在上述专利中,使原先不稳定的{111}平面通过晶体习性控制剂在外部表现为形成片状颗粒。因此,高氯化银含量片状{111}颗粒在晶体习性控制剂由颗粒表面脱落后便立即再溶解,导致出现{100}平面,因此{111}颗粒形式便不能保持。而且通过光谱增感和化学增感的高增感作用不能期望不发生晶体习性控制剂的脱落。
US 5691128公开了晶体习性控制剂的附着用pH来控制,该pH下可吸附增感染料和晶体习性控制剂,这样这二者便可互相交换,由此使其形状稳定性和高增感作用彼此相容。
此外,US 5272052公开了溴化银利用晶体习性控制剂的吸附,通过外延生长选择性地在颗粒顶面形成,此后照相有效化合物便与晶体习性控制剂交换并被吸附,借助这一过程可以形成由宿主和外延生长部分构成的复合粒子。
然而,在光谱增感和化学增感后的瞬间,这些外延生长粒子的形状和染料吸附条件瞬间改变时,而且最终在涂布溶液涂布和老化后,晶体习性控制剂处于脱落状态,由于这一过程灰雾增长变得明显,而且不能获得能使用的外延生长粒子。
在本领域中,一般说来,人们关切的是,如果高氯化银粒子用铱为代表的周期表VIII族金属化合物掺杂,则可改善高照度下的互易性。然而,这种做法受限于这样的情形,即由曝光直至显影加工有充分的时间使其失效。当这一失效时同较短时,便存在感光度(反差)对时间依赖性提高,因而感光度低(影像模糊)。因此这不是改善的办法。所以,在JP-A 64-26837、5-61136、6-35147、11-109534;US5284745、5391471、5415991、5043256、5627020和5356770;以及欧洲专利0568091A中公开了许多方法,其中在高氯化银粒子中提供溴化银定域相,并用金属化合物集中掺杂定域相,用这种方法改善高照度互易性并改善由曝光直至显影加工中感光度对时间的依赖性。尤其在JP-A11-109534中,通过向溴化银定域相内有限掺杂铱,得到了甚至更大的改善效果。然而,这种掺杂技术涉及掺杂溴化银外延生长物内部,而且在{111}高氯化银片状粒子的情形中外延生长粒子的形状是不稳定的。特别是,源于涂布液的溶解和老化而增长的灰雾不能受到抑制。
发明概述
本发明目的是提供一种高氯化银乳剂,它包含控制涂布溶液溶解与老化后灰雾增长的碘化银,用这种办法改善高氯化银乳剂的感光度、反差和光照度下的互易性。具体地说,本发明目的是提供{111}高氯化银含量片状颗粒乳剂、照相感光材料和其成像方法,后二者中都使用该{111}高氯化银片状颗粒乳剂。
本发明的发明人发现,上述问题可以用以下方法有效地解决。
因此,本发明提供一种卤化银乳剂,它包含高氯化银颗粒,该颗粒具有含至少30mol%溴化银的连贯最外层,并有至少95mol%的氯化银含量和0.05~0.75mol%的碘化银含量,其中最外层具有一中心部分,此部分限制于最外层体积的10~90%范围内,该中心部分内含有周期表VIII族金属的化合物。
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