[发明专利]通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法有效
| 申请号： | 01129600.3 | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1393739A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林顺利;谢季芳 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 沉积物 产生 交联 反应 减少 粗糙 方法 | ||
1.一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，该方法包括：提供一个基底；在该基底上形成一个光阻图案，其特征在于：该光阻图案的表面具有光酸；在该光阻图案表面覆盖一层材料层，该材料层与该光阻图案表面的光酸产生交联反应形成一层修补层，而填补该光阻图案的凹凸不平表面。
2.根据权利要求1所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：该材料层的材质为选自六甲基二硅氨烷、双(二甲基氨基)二甲基甲硅烷与二甲基甲硅烷基二乙胺所组成的族群其中之一。
3.根据权利要求1所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：形成该材料层的方法为化学气相沉积法、涂布法和喷洒法其中的一种方法。
4.根据权利要求1所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：该光阻图案为选自正光阻与负光阻所组成的族群其中之一。
5.一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，该方法包括：提供已形成一光阻图案的一个基底，其特征在于：活化该光阻图案表面，以增加该光阻图案表面的光酸浓度；在该光阻图案的表面覆盖一层材料层，该材料层与该光阻图案表面的光酸产生交联反应形成一层修补层，而填补该光阻图案的凹凸不平表面。
6.根据权利要求5所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：该材料层的材质为选自六甲基二硅氨烷、双(二甲基胺氨基)二甲基甲硅烷与二甲基甲硅烷基二乙胺所组成的族群其中之一。
7.根据权利要求5所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：活化该光阻图案表面的步骤包括对该光阻图案进行一个曝光工艺步骤。
8.根据权利要求5所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：活化该光阻图案表面的步骤包括：对该光阻图案进行一个曝光工艺步骤，以及对该光阻图案进行一个曝光后烘烤工艺步骤。
9.根据权利要求5所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是：该光阻图案为选自正光阻与负光阻所组成的族群其中之一。
10.一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，该方法包括：提供已形成有一光阻图案的一个基底，其特征在于：依次对该光阻图案进行一个曝光工艺步骤与一个曝光后烘烤工艺步骤，使该光阻图案表面活性化；以及在于该光阻图案的表面覆盖一层材料层，该材料层与该光阻图案表面的光酸产生交联反应形成一层修补层，而填补该光阻图案的之凹凸不平表面。
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