[发明专利]多层式射频晶片型平衡至非平衡转换器

权利要求书

1.一种射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，包含有：

一输入端口；

一第一和一第二输出端口；

一第一群，由至少一节耦合传输线组成，每节耦合传输线各有一相对应的耦合系数，且由一第一线部分和一第二线部分组成，每节耦合传输线的第一线部分串接在一中心节耦合传输线的第一线部分和一开端之间，每节耦合传输线的第二线部分串接在该第一输出端口和接地端之间；以及

一第二群，由至少一节耦合传输线组成，每节耦合传输线各有一相对应的耦合系数，且由一第一线部分和一第二线部分组成，每节耦合传输线的第一线部分串接在一中心节耦合传输线的第一线部分和该输入端口之间，每节耦合传输线的第二线部分串接在该第二输出端口和接地端之间；

其中，至少有两节耦合传输线的耦合系数是不相同的。

2.如权利要求1所述的射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，其中该耦合线的形状是选自螺旋状、曲折状、弦波状和锯齿状的其中一种形状。

3.如权利要求1所述的射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，其中该耦合传输线是一低耗损金属材质。

4.如权利要求1所述的射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，其中该转换器是利用一多层介电层结构来达成。

5.如权利要求4所述的射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，其中该多层介电层结构至少备有向上堆叠而成的七层介电层，该多层介电层结构包含有：

一第一介电层，备有一主要表面且是一接地金属面；

一第二介电层，备有一主要表面，该主要表面上形成有一第一耦合线的第二线部分、一第二耦合线的第二线部分和该第一输出端口；

一第三介电层，备有一主要表面，该主要表面上形成有一第一耦合线的第一线部分、一第二耦合线的第一线部分和该输入端口；

一第四介电层，备有一主要表面，该主要表面是一接地金属面，且其上形成有一穿孔；

一第五介电层，备有一主要表面，该主要表面上形成有一第三耦合线的第一线部分和一第四耦合线的第一线部分；

一第六介电层，备有一主要表面，该主要表面上形成有一第三耦合线的第二线部分、一第四耦合线的第二线部分和该第二输出端口；以及

一第七介电层，备有一主要表面且是一接地金属面。

6.如权利要求5所述的射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，其中在该第二介电层的第二耦合线的第二线部分是由主要表面的左下方，以较粗的线宽向右方延伸，并连接该第一耦合线的第二线部分的较细线宽向左方延伸至主要表面的该第一输出端口，在该第六介电层的第四耦合线的第二线部分是由主要表面的左下方，以较粗的线宽向右方延伸，并连接第三耦合线的第二线部分的较细线宽向左方延伸至主要表面的第二输出端口，在该第三介电层的第二耦合线的第一线部分的范围由主要表面的左下方，以较粗的线宽向右方延伸后，并连接第一耦合线的第一线部分的较细线宽，再向左上方延伸至主要表面的中心地带，在该算五介电层的第四耦合线的第一线部分的范围由主要表面的左下方，以较粗的线宽向右方延伸后，并连接该第三耦合线的第一线部分的较细线宽，再向左上方延伸至主要表面的中心地带。

7.如权利要求4所述的射频晶片型平衡至非平衡转换器，其特征在于，其中该转换器是利用一穿孔方式来连接上层接地层至另一层介电层。