[发明专利]用于多电源系统的绝缘装置

权利要求书

1.一种用于多电源系统的绝缘装置(isolating device)，其特征在于：该绝缘装置包括：

一电源供应装置，用以提供该绝缘装置一操作电源(VCC)；

一电压侦测器(level detector)，用于侦测该操作电源(VCC)电压值；

一信号输出装置，用以输出一参考信号；

一信号隔离控制器，利用该侦测到的主电源电压值来决定是否改变该参考信号的逻辑值，以避免漏电的发生；及

一响应装置，用以根据该修正的逻辑值参考信号正确地发出一响应信号至该信号输出装置及执行相对应的操作。

2.如权利要求1所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该电压侦测器进一步包括：

一分压器，用以使一输入电压产生一分压；

一与非门，用以利用该分压与一参考电压作比较以产生一逻辑值输出；

一反相器，用以反转该输出的逻辑值以产生一用以控制该信号隔离控制器的输出信号值。

3.如权利要求2所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该输入电压是由该多电源装置的操作电源电压所提供。

4.如权利要求2所述的用于多电源系统的绝缘装置，进一步包括一操作电压，用以提供该与非门及该反相器所需的操作。

5.如权利要求4所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该操作电压是由该选择器所提供。

6.如权利要求2所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该参考电压是3V。

7.如权利要求1所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该电压侦测器包括：

一第一NMOS晶体管，具有一源极、一栅极、及一接地的漏极；

一第一反相器，串接在该实时控制电源(VRTC)及该第一NMOS晶体管的间，包括一具有一源极、一栅极、及一漏极的PMOS、及一具有一源极、一栅极、及一漏极的NMOS，其中，该NMOS及PMOS耦接形成一连接至该操作电源(VCC)的输入端，及该PMOS的漏极及NMOS的源极耦接形成一用以输出该第一反相器的输出信号的输出端；

一第二NMOS晶体管，具有一漏极、一连接至该第一反相器的PMOS栅极的栅极、及一连接至该选择器所输入电源(VRTC)的源极；

一第三NMOS晶体管，具有一源极、一分别连接至该第一反相器的输出端的栅极、及一接地的漏极；

一第二反相器，串接在该第二NMOS晶体管及该第三NMOS晶体管的间，包括一具有一源极、一栅极、及一漏极的PMOS、及一具有一源极、一栅极、及一漏极的NMOS，其中，该NMOS及PMOS耦接形成一连接至该电池电源(VBAT)的输入端且该PMOS的源极与该第二NMOS晶体管漏极的交点耦接至该第一NMOS晶体管的栅极；及

一第三反相器，具有一连接至该第三NMOS晶体管栅极的输入端及一用以输出该输入端的互补信号的输出端。

8.如权利要求1所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该信号隔离控制器，包括：

一信号隔离组件，用以隔离该输入信号；及

一控制开关组件，用以利用该电压侦测器的输出信号值来调整一输入信号的输出值。

9.如权利要求8所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该信号隔离组件是一锁相器(latch)。

10.如权利要求8所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该信号隔离组件是一传输门(transmission gate)。

11.如权利要求8所述的用于多电源系统的绝缘装置，其特征在于：该信号隔离组件是一三态缓冲器(tri-state buffer)。