[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括在支撑面上生长出至少一个有锥度的外延层的步骤，其特征在于，通过化学射束外延方法生长出至少一个所述有锥度的外延层，所述锥度平面倾斜于所述支撑面。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，采用机械孔板和一次外延生长步骤，可以生长出至少一个带有锥度的所述外延层，所述锥度平面正交于所述支撑面。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，在生长出至少一个无锥度的所述外延层的同一生长步骤中，可以生长出至少一个带有锥度的所述外延层。

4.根据权利要求2或3所述方法，其特征在于，所述机械孔板包括具有蚀刻孔和氧化薄膜涂层的硅晶片，在所述化学射束外延生长采用的温度下所述薄膜涂层不会发生沉积。

5.根据上述任何一项权利要求所述方法，其特征在于，所述半导体器件是用于传导辐射的器件。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述半导体器件是光波导器件。