[发明专利]高精度数字/模拟变换电路有效
申请号: | 00804099.0 | 申请日: | 2000-06-14 |
公开(公告)号: | CN1341293A | 公开(公告)日: | 2002-03-20 |
发明(设计)人: | 衣笠教英;田手原健一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H03M1/68 | 分类号: | H03M1/68 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 数字 模拟 变换 电路 | ||
1.一种数字/模拟变换电路,其特征在于:
它配置有上位DA变换电路部、下位DA变换电路部、取样保持部、输出部;
上位DA变换电路部,是在n比特的数字输入码中,输入上位一部的i(i<n)比特信号,通过第一缓冲器,将DA变换过的第一电压,输出到第一输出节点,同时通过第二缓冲器,将进行过DA变换的第二电压,输出到第二输出节点;
下位DA变换电路部,是把所述上位DA变换电路部的第一输出节点电压及第二输出节点电压,当作R-2R梯形电路的基准电压,同时,将所述的n比特的数字输入码中的剩余的下位j比特(j<n,j=n-i)进行DA变换后,输出到第三输出节点上;
取样保持部,是与所述n比特的数字输入码的值相对应,选择性地取样保持所述n比特的数字输入码的DA变换输出,即所述第三输出节点电压;
输出部,是将被取样保持的DA变换输出电压,以任意电压为中心,进行放大。
2.根据权利要求1所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
所述上位DA变换电路部包括电阻弦线部和选择电路部;
电阻弦线部是将各个电阻值相等的2i个电阻元件,串联连接到各外加的第一基准电压和第二基准电压之间;
选择电路部,同时、而且选择性地挑选出所述各电阻元件间连接节点的邻接电压。
3.根据权利要求2所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
配置具有相同结构的所述第一和第二缓冲器,并分别被固定在通过所述选择电路部所连接的所述电阻弦线部的连接节点上。
4.根据权利要求2所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
生成奇偶数检测信号的单元,是从所述n比特的数字输入码中的上位i比特,生成奇偶数检测信号,该奇偶数检测信号,根据所述第一基准电压或第二基准电压表示出利用电阻弦线部所分割的电压区间是奇数还是偶数。
5.根据权利要求2所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
还具有能够避免所述电阻弦线部的连接节点中,不相邻的多个节点被同时选择的电路。
6.根据权利要求2所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
还具有把构成所述选择电路部的MOS开关的各个n型沟道MOS晶体管及p型沟道MOS晶体管的基板电压,随着所述n比特的数字输入码的MSB符号发生变换的电路。
7.根据权利要求4所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
还具有根据奇偶数检测信号,相对于所述n比特的数字输入码中的下位j比特,向所述下位DA变换电路部送出每隔各比特的“异”逻辑和的电路。
8.根据权利要求4所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
所述下位DA变换电路部,配置有相同结构的第一MOS开关装置,和相同结构的第二MOS开关装置;
相同结构的第一MOS开关装置,与从所述第一及第二缓冲器输出的2个基准电压相对应,将构成R-2R的各2R的非R侧的各端,根据与所述的n比特数字输入码中的下位j比特的值相对应,对所述两个基准电压,予以短接。
相同结构的第二MOS开关装置,是根据奇偶数检测信号,使所述两个基准电压中的一个电压为低电位侧基准电压,另一个作为高电位侧基准电压。
9.根据权利要求8所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
所述下位DA变换电路部,是将两个把所述第一及第二开关装置和结构合二为一的MOS开关并联,在接通状态下,作为MOS电阻,串联插入R-2R的R侧。
10.根据权利要求9所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
在权利要求9所述的数字/模拟变换电路中,在具备所述第一及第二开关装置的同时,还具有将基板电压,随着奇偶数检测信号,转换成所述的2个基准电压的电路,其基板电压供给构成所述MOS电阻的n型沟道MOS晶体管及p型沟道MOS晶体管。
11.根据权利要求4所述的数字/模拟变换电路,其特征在于:
还具备有用所述奇偶数检测信号的前后沿,制成指定宽度的脉冲,并供给所述取样保持部的取样保持信号做成部。
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