[发明专利]电灯无效
| 申请号: | 00800321.1 | 申请日: | 2000-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN1296637A | 公开(公告)日: | 2001-05-23 |
| 发明(设计)人: | R·菲德尔;W·M·奥勒施 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号: | H01J61/36 | 分类号: | H01J61/36 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 章社杲 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电灯 | ||
本发明涉及一种电灯,该电灯包括一个真空密封的可透光的灯室,由石英玻璃壁密封了一个容纳电元件的空间,电元件通过从壁伸入到空间的内电流导体与完全密封在壁中的金属箔连接;和
至少一个外电流导体,具有第一端、第二端和直径,所说的第一端与金属箔连接,并且完全密封在灯室的壁内,所说的第二端从壁伸申出到外部;
固定部分,包括和密封壁相配合的位于外电流导体第一端头的形变区域。
这种类型的灯在DE-C-1016848中有记载。在这种灯的制造过程中,要进行密封,一个或多个所述外电流导体部分地插入到壁中。在密封区,使连接例如焊接金属箔和外电流导体处的石英玻璃软化。石英玻璃的温度达到1900℃以上。然后使形成的密封冷却。由于外电流导体的线性热膨胀系数(接近于50×10-7K-1)比石英玻璃的大很多,因此嵌在石英玻璃中的外电流导体收缩得比石英玻璃厉害,其中石英玻璃是含有95wt%SiO2成分的玻璃(线性热膨胀系数接近于6×10-7K-1)。这样在外电流导体的周围就产生了毛细管空间,结果外电流导体既和灯室的壁相配合,同时又有一些活动的自由。由于外电流导体周围的毛细管空间,金属箔和外电流导体的连接是外电流导体和电灯的唯一连接。在已知的灯结构中,壁中的外电流导体必须有一个固定部分来限制外电流导体的自由活动。因而当在外电流导体上施加机械负荷时,金属箔和灯的外电流导体之间的脆弱连接至少要保持未负荷(unload)状态。已知灯的缺陷在于要在外电流导体第一端的形变区域形成一个沟槽来得到灯室壁中外电流导体的固定部分,沟槽通过切割形成。但切割操作不但麻烦,而且会引起污染。此外由于沟槽的设置会使得已知灯的外电流导体的电导率减小和机械强度降低。
本发明的目的是提供一种在本文起始段所描述的电灯,它结构简单,容易制造,并能够避免上面提到的各种缺陷。
根据本发明,其发明目的是通过在本文起始段所描述电灯来达到的,该电灯的特征在于固定部分的形变区域包括位于第一端的塑性形变区域。外电流导体的塑性形变一般不会浪费材料,因为实际上材料是被移位,而不是被移去,所以形变过程不会引起污染。塑性形变操作起来相对简单,能有效降低成本。因此根据本发明的电灯制作相对简单,价格便宜,而且干净。塑性形变区域还有一个好处就是形变区域的外电流导体有确定导通外电流导体的最大电导率的表面,与已知的灯相比,该电导率至少没有减小。
根据本发明的一个实施例,电灯的特征在于形变区域的外电流导体有至少两个尺寸互不相同的直径。这个实施例的固定部分有一个好处,就是在外电流导体上施加扭转负荷时,能限制外电流导体的活动自由。
根据本发明的一个更有利的实施例,电灯的特征在于固定部分包括位于第一端的扁平区域。具有扁平区域的外电流导体可以利用(已成型的)模具通过快速冲击很容易地形成,并且具有令人满意的可重复性。既然可以避免出现例如第一端的剧烈弯折的情况,折断的危险相对减小,这也是一个优点。
根据本发明的另一个实施例,电灯的特征在于固定部分包括位于第一端的弯曲区域。带有弯曲区域的固定部分和带有扁平区域的固定部分是可以任选其一的,制作也很简单快速。此外,采用带有弯曲区域的固定部分还有一个好处是能够减少在压扁过程中可能出现的外电流导体材料沿长度方向裂开的缺陷。
电灯的最佳实施例,也就是固定部分带有扁平区域还是带有弯曲区域,要根据外电流导体材料对在外电流导体塑性形变过程中产生的断裂的敏感性而定。
通过下面描述的实施例,本发明上面提到的这些方面和其他的一些方面可以得到说明。
图1是本发明的电灯的平面视图
图2是电灯的带有扁平区域的固定部分的详细视图
图3是图2的固定部分沿Ⅰ-Ⅰ线的截面视图
图1中的电灯是高压气体放电灯,有一个以真空气密方式密封的灯室1和封闭空间3的石英玻璃壁2。电元件4,也就是图中的一对电极4通过各自的内电流导体5与一个相应的金属箔6连接,内电流导体5从灯室1的壁2伸入到空间3,附图中的金属箔6由含有0.5wt%三氧化二钇的钼构成。图1中金属箔6嵌在灯室1的壁2中,并连接即在附图中焊接到由钼构成的外电流导体7上。每一个与各自的金属箔6连接的外电流导体7都包括第一端9和第二端10。内电流导体5和电元件4由钨制成,并且可能含有为了调整钨的晶粒生长而添加的少量成分,例如总重量为0.01wt%的钾、铝和硅,1.5wt%的二氧化钍。
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