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[发明专利]一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法-CN202011291774.6有效
发明人：张瑞;郝国强;张文静;叶晓军;李红波 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法：建立WSe2体材料模型；建立Germanene模型；将WSe2体材料模型均切晶面得到单层WSe2，将Germanene模型均切晶面得到Germanene薄层；根据Germanene薄层建立Germanene的超胞，根据单层WSe2建立WSe2的超胞，将Germanene的超胞垂直叠加在WSe2的超胞上，得到Germanene/WSe2异质结模型。
一种基于二维肖特基异质结模型构建方法

[发明专利]一种石墨烯/WSe2-CN201811255683.X有效
发明人：徐小威;贾润萍;燕飞;刘珂;丁学渊 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/WSe2/NiFe‑LDH气凝胶及其制备方法，所述方法包括：将氧化石墨烯片层分散液和WSe2纳米片分散液混合，加入还原剂、交联剂以及pH调节剂中的至少一种，混合均匀，反应制得石墨烯/WSe2水凝胶，冷冻干燥，得到石墨烯/WSe2气凝胶；将所述石墨烯/WSe2气凝胶浸泡在NiFe‑LDH纳米片分散液中，制得石墨烯/WSe2/NiFe‑LDH水凝胶，冷冻干燥得石墨烯/WSe2/NiFe‑LDH气凝胶。/WSe2/NiFe‑LDH具有大比电容、循环性能好、内阻小等优异的电化学性能。
一种石墨 wse base sub

[发明专利]一种WSe2-CN202111675864.X有效
发明人：李东;郑弼元;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料及其制备方法；属于二维层状半导体异质结制备技术领域。所述异质结为垂直堆垛结构，以单层的WSe2层为底层，在所述底层上生长得到单层的VCIO层；得到所述WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料；所述纳米材料中，底层的WSe2层呈规则三角形，堆叠在底层WSe2层上的VOCl层由呈四边形的小尺寸纳米片通过晶畴连接而成在488nm激光的照射下，顶层的VOCl单层薄膜能够显著的增强底层WSe2层的光致发光强度。本发明所公开的WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料展现出明显的WSe2光致发光增强，在二维材料发光器件领域具有潜在的应用价值
一种 wse base sub

[发明专利]一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2-CN202211335276.6在审
发明人：李国华;黄辉;侯蕊;夏超;李晨曦;周祥;陶金龙;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2
一种基于混合等离子体温和处理多层 wse base sub

[发明专利]实现R6G荧光分子在WSe2-CN202211366577.5在审
发明人：吴章婷;何娇燕;郑梁;郑鹏;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及实现R6G荧光分子在WSe2基底材料上的SERS效应的方法，包括步骤一：配置R6G溶液，步骤二：利用氩等离子体处理WSe2基底材料；步骤三：WSe2改性后进行R6G溶液的拉曼增强效应，本发明经过氩等离子体轰击处理后，通过光学显微镜观察到WSe2少数层区域的颜色变浅，说明氩离子轰击处理引入了较多的空位缺陷，使得WSe2样品厚度变薄，达成了相应的目的。
实现 r6g 荧光分子 wse base sub

[发明专利]硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法-CN202110863515.4在审
发明人：张栩朝;曲英杰 -专利权人：苏州元烨微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法，包括Si衬底、SiO2衬底、二维WSe2/TMDCs异质结器件、两个Au电极和导线，SiO2衬底设置于Si衬底的顶端，二维WSe2/TMDCs异质结器件设置于SiO2衬底的顶端，两个Au电极分别设置于二维WSe2/TMDCs异质结器件，两个导线分别于两个Au电极相连接，二维WSe本发明利用二维WSe2/TMDCs异质结器件的设置，通过多组数据的测量，得到二维WSe2/TMDCs异质结器件，使得二维WSe2/TMDCs异质结器件可在近红外波段实现光电响应，同时该器件成本低、体积小且功耗低。
硒化钨基范德华异质结红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种WSe₂基复合纳米片光电极的制备方法-CN201710060138.4有效
发明人：马德琨;姜子龙;马春艳;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种WSe₂基复合纳米片光电极的制备方法，包括：合成WSe₂纳米片光电极、构筑CdS‑WSe₂异质结光电极和Pt‑In₂S₃‑CdS‑WSe₂复合纳米片光电极。
一种 wse2 复合纳米电极制备方法

[发明专利]无线网络中的功率管理装置、系统和方法-CN201580068014.X有效
发明人：所罗门·B·特莱茵 -专利权人：英特尔IP公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H04W52/02 文献下载
摘要：例如，无线站可以被配置为发送包括第一唤醒调度元素(WSE)的第一帧，第一WSE包括第一信标间隔(BI)开始时间字段值；基于第一BI开始时间字段值切换到功率节省(PS)模式；以及在PS期间，发送包括第二WSE的第二帧，第二WSE包括例如与第一BI开始时间字段值不同的第二BI开始时间字段值。
无线网络中的功率管理装置系统方法

[发明专利]一种m-MoSe2-CN202111157837.3有效
发明人：姚秉华;马薇;田克聪;昌征;何仰清 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B01J31/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种m‑MoSe2/PVDF/h‑WSe2双异质结柔性压电触媒的制备方法，包括以下步骤：制备单层m‑MoSe2；制备中空微球h‑WSe2；制备PVDF前驱液；将单层m‑MoSe2和中空微球h‑WSe2与PVDF前驱液混合，得到静电纺丝液进行静电纺丝，得到沉积有m‑MoSe2和h‑WSe本发明一种m‑MoSe2/PVDF/h‑WSe2双异质结柔性压电触媒的制备方法，解决了现有压电触媒催化效率低的问题。
一种 mose base sub

[发明专利]一种WSe2-CN202210012714.9有效
发明人：李东;游文霞;郑弼元;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法；所述制备方法，包括如下步骤：以WSe2粉末和WO3粉末为原料，通过第一次化学气相沉积于衬底表面生长WSe2/WO3纳米片，然后将含WSe2/WO3纳米片的衬底，盖于装有NaCl粉末的容器中，并使得装有NaCl粉末的容器留有敞口，在含有S蒸汽的环境下，于含WSe2/WO3纳米片的衬底表面进行第二次化学气相沉积，控制第二次化学气相沉积的温度为530～570℃，即获得WSe2/WS2垂直异质结纳米材料。
一种 wse base sub

[发明专利]一种WSe₂纳米片压电催化剂高效降解有机污染物的方法-CN201910331960.9在审
发明人：蔡峰;赵大伟;于洪涛;谌佳佳;黄家剑;谢长彪 -专利权人：夸克能源工程实验室（深圳）有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：一种WSe₂纳米片压电催化剂高效降解有机污染物的方法，包括以下步骤：(1)取一定量WSe₂纳米片加入到含有机污染物的废水中；(2)将加入WSe₂纳米片的废水进行避光搅拌，使有机污染物在WSe₂片纳米片表面达到吸附/脱附平衡；(3)施加超声波辐照，将溶液进行超声降解。本发明通过水热法合成WSe₂纳米片，先进行暗反应，使有机污染物在催化剂表面达到吸附/脱附平衡，然后在超声波的作用下，催化剂WSe₂纳米片将超声波的机械能转化为化学能
纳米片有机污染物催化剂高效降解超声波降解脱附吸附压电废水化学能超声波辐照催化剂表面机械能转化水热法合成超声降解催化效率机污染物技术操作有效解决暗反应平衡避光催化施加分解应用

[发明专利]一种可控生长的WSe2-CN202210295154.2有效
发明人：罗中通;郑照强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于过渡金属硫族化合物二维材料技术领域，公开了一种可控生长的WSe2薄片及其制备方法和应用。该方法是先将氩气气流从SiO2/Si衬底流向WSe2粉末方向并调节压力，将氩气流速降至30～50sccm，同时升温至1100～1130℃时，将氩气流速降至0sccm，并将氩气气流改为从WSe2粉末流向SiO2/Si衬底的方向，将氩气流速升至100～130sccm，在1100～1130℃下生长8～15min，在通气的条件下冷却至室温，得到可控生长的WSe2薄片。本发明通过控制反应时间和气流速率实现WSe2薄片的可控生长，使WSe2具有不同晶相和层数，为制备新型的光电探测器提供可能性
一种可控生长 wse base sub

[发明专利]一种栅极可调高灵敏偏振探测器的制备方法-CN202211596077.0在审
发明人：李京波;杨孟孟 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极可调高灵敏偏振探测器的制备方法，包括衬底、第一金属电极、PdSe2/WSe2二维范德华异质结、石墨烯层PdSe2层、WSe2层；所述的PdSe2层底面设于衬底顶面上；所述的WSe2层底面设有台阶，所述的WSe2层底面分别设于衬底顶面、PdSe2层顶面上；所述的石墨烯层底面设有台阶，所述的石墨烯层底面分别设于衬底顶面、WSe2层顶面上；所述的第一金属电极底面设于PdSe2层顶面上，所述的第一金属电极与WSe2层不接触；所述的第二金属电极底面设于石墨烯层顶面上。
一种栅极可调灵敏偏振探测器制备方法

[发明专利]一种WSe2-CN202111084485.3有效
发明人：冀璞光;郭志易;殷福星;王志伟;刘影;韩双斌;康少明;冯建航;闫钰夫;王宇 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明为一种WSe2/MoS2复合热电材料的制备方法。该方法首先通过化学气相沉积法(CVD)制备WSe2纳米颗粒，再将制备的WSe2纳米颗粒用粉末冶金法与MoS2基体复合，得到WSe2/MoS2复合热电材料。
一种 wse base sub

[发明专利]一种WSe₂/TiO₂复合纳米薄膜材料及其制备方法-CN201610709739.9有效
发明人：王秀通;韦秦怡;李红;李鑫冉;侯保荣 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明涉及纳米薄膜材料，具体的说是一种WSe2/TiO2复合纳米薄膜材料。以钛基体为基础经氧化、煅烧得TiO2纳米薄膜，而后经WSe2纳米颗粒修饰获得WSe2/TiO2复合纳米薄膜材料。
一种 wse2 tio2 复合纳米薄膜材料及其制备方法

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