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[发明专利]一种圆柱形波导谐振腔-CN201010157184.4有效
发明人：郭高凤;徐汝军;李恩;周扬;唐晓明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种圆柱形波导谐振腔，属于微波测试技术领域，涉及微波电介质电参数测量技术，具体涉及一种用于测量杆状介质材料电参数的TM0n0模圆柱形波导谐振腔。本发明在现有圆柱形波导谐振腔的基础上，通过在腔壁沿径向方向开缝的方式抑制大量非TM0n0的干扰模式，使得TM0n0的工作模式得到谐振加强，从而提高介质杆电参数的测量精度。
一种圆柱形波导谐振腔

[发明专利]一种基于谐振腔的束团长度测量装置及方法-CN201510801495.2有效
发明人：罗箐;郭江;孙葆根;周泽然 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于谐振腔的束团长度测量装置及方法，该测量方法利用的束团长度监测器包括工作于TM010的基波腔、工作于TM0n0的倍频腔和滤波器，基波腔的输出信号用于测量束流的流强，基波腔和倍频腔的输出信号联立解出束团长度本发明采用的谐振腔腔体半径可以自由选择，通过使谐振腔工作于TM0n0模式而非限定于TM010模式，使得在工作频率很高的情况下，腔体半径仍大于束流管道半径，可以做以前无法完成的短束团测量。
一种基于谐振腔团长测量装置方法

[发明专利]基于TM0n0模式的高能聚束获得装置-CN202111341411.3在审
发明人：王群;刘明星;李永卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TM0n0模式的高能聚束获得装置，通过包括：圆柱形谐振腔、两个圆台形腔、两个圆锥；所述两个圆台形腔分别与所述圆柱形谐振腔的两端相连形成；所述两个圆锥的底面分别与所述两个圆台形腔的顶面平行本发明通过在两个圆台形腔，圆台腔与圆柱谐振腔构成反射聚焦结构，谐振腔内部上下两端分别设置有圆锥结构，圆锥位置可调节，馈入微波能量产生谐振后，利用TM0n0模式本身的优点，在中心形成最大值，上尖锥受电场作用产生高场强迭加
基于 tm0n0 模式高能获得装置

[发明专利]一种芯片控制方法及设备-CN201210137167.3有效
发明人：余剑锋;孙春雷 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：一种芯片控制方法，其中，芯片提供n个电压档位，n为大于等于2的自然数，芯片的工作温度被划分成至少二个温度区间，该方法包括：获取芯片的需求频率；检测芯片的当前温度，确定当前温度所属的温度区间[Tm,Tm+1]，T表示温度，m为自然数；按照n个电压档位从低到高的排列顺序，比较在第i个电压档位下芯片在分析温度区间的每个温度点均能工作的频率是否高于需求频率，该分析温度区间相对于该温度区间[Tm,Tm+1]存在一个余量δ，且δ≥0；i=0，1，...，n-1；如果是，将第i个电压档位作为芯片的工作电压，将需求频率作为芯片的工作频率。可在满足芯片性能的前提下尽可能地降低芯片的工作电压，从而降低芯片功耗。
一种芯片控制方法设备

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201280023369.3有效
发明人：朴哲凞;金兑训;朴德熙;高京门 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQz，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种，00≤y<1，0≤m≤1，0≤a≤1，0≤n<9，0≤z≤4，0≤b≤3，0<n+z+b。
化合物半导体及其用途

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201280021382.5有效
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQ′z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q′为选自O、S和Se中的至少一种；000≤m≤1；0≤n<9；00≤a≤1；00<n+z+b<12。
化合物半导体及其用途

[发明专利]一种同轴TM10,1,0模耦合腔链-CN201710780213.4在审
发明人：肖宇杰;林福民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01J23/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种同轴TM10,1,0模耦合腔链，包括多个设置耦合连接的TM10,1,0模同轴谐振腔、设置在TM10,1,0模同轴谐振腔轴向的电场极大值处的径向位置处的漂移管，相邻TM10,1,0模同轴谐振腔通过设置在公共腔壁的耦合槽进行耦合，TM10,1,0模同轴谐振腔的外半径与内半径根据预设的TM10,1,0模同轴谐振腔的频率设置。所述同轴TM10,1,0模耦合腔链，通过将多个TM10,1,0模同轴谐振腔通过耦合槽进行耦合，由于工作在高次模，横向尺寸可以设计的更大，且可以放置更多的漂移管，容纳更多的电子注，相邻漂移管的间隔比较大，
一种同轴 tm10 耦合

[发明专利]化合物半导体及其用途-CN201280023009.3有效
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示[化学式1]InxMyCo4‑m‑aAmSb12‑n‑z‑bXnTez，其中，在化学式1中，M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n<9；0<z≤2；0≤a≤1；0<b≤3；0<n+z+b<12。
化合物半导体及其用途

[实用新型]一种同轴TM10,1,0模耦合腔链-CN201721121233.2有效
发明人：肖宇杰;林福民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01J23/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同轴TM10,1,0模耦合腔链，包括多个设置耦合连接的TM10,1,0模同轴谐振腔、设置在TM10,1,0模同轴谐振腔轴向的电场极大值处的径向位置处的漂移管，相邻TM10,1,0模同轴谐振腔通过设置在公共腔壁的耦合槽进行耦合，TM10,1,0模同轴谐振腔的外半径与内半径根据预设的TM10,1,0模同轴谐振腔的频率设置。所述同轴TM10,1,0模耦合腔链，通过将多个TM10,1,0模同轴谐振腔通过耦合槽进行耦合，由于工作在高次模，横向尺寸可以设计的更大，且可以放置更多的漂移管，容纳更多的电子注，相邻漂移管的间隔比较大，
一种同轴 tm10 耦合

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201280022498.0有效
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnTez，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；000≤m≤1；0≤n<9；00
化合物半导体及其用途

[发明专利]一种LED用荧光材料及制备方法-CN200910129071.0无效
发明人：王育华;慈志鹏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明的荧光材料的化学组成为(SrxBay)(CaMb)O3:mEu2+，nN3+，nA+，其中：M为B、P、In、Ga、Si或Ge中的至少一种，N为Al、Ti、La，Ce，Tb，Dy，Nd，Sm，Er，Gd，Y或Tm中的至少一种，A为Li、Na或K中的至少一种；0≤x≤1，0≤y≤1，0.99≤a≤1，0≤b≤0.01，0.001≤m≤0.08，0≤n≤0.01。
一种 led 荧光材料制备方法

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201280021335.0有效
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnQ'z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q'为选自O、S和Se中的至少一种；000≤m≤1；0≤n<9；00
化合物半导体及其用途

[发明专利]荧光体和其制造方法、以及使用该荧光体的发光装置-CN200880105260.8有效
发明人：盐井恒介;广崎尚登;三木久幸 -专利权人：昭和电工株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2008-09-01 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光体，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料，其特征在于，M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu，M(1)元素选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb，M(2)元素选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr，M(3)元素选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn，O元素是氧，N元素是氮，并且满足下面所有条件：33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，当设定me＝a+b时，0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。
荧光制造方法以及使用发光装置

[发明专利]余辉性灯泡-CN96107921.5无效
发明人：村崎嘉典;一宫敬治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1996-05-27 - 公布日： 2002-08-14 - 主分类号： H01J61/44 文献下载
摘要：本发明的余辉性灯泡具有将电能变换为光能的发光部和由发光部激励发光并且包含用下述一般式表示的余辉性荧光体的荧光体层(M1-p-q，EupQq)O·n(Al1-mBm)2O3·kP2O5αX，其中，0.0001≤p≤0.5，0.0001≤q≤0.5，0.5≤n≤3.0，0≤m≤0.5，0≤k≤0.2，0≤α≤0.5，0≤α/n≤0.4，M是从2价金属组中选择的至少一种，Q是从由Zr、Nb、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu构成的组中选择的至少一种，X是从卤素元素中选择的至少一种。
余辉灯泡

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201280020538.8在审
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-mAmSb12-n-zXnTez，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Pd、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，000≤m≤1，0≤n<9，0
化合物半导体及其用途

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