专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法及装置-CN202111414586.2在审
  • 朱权;李象远 - 四川大学
  • 2021-11-25 - 2022-03-08 - C23C16/34
  • 一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法,包括以下步骤:S1:对样件进行预处理操作;S2:对经预处理操作后的样件通过CVD方式利用TiN原料气沉积TiN涂层;S3:对沉积TiN涂层后的样件进行正硅酸乙酯自分解反应通过一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置,包括CVD气体供应系统、MOCVD气体供应系统以及沉积系统;所述CVD气体供应系统与MOCVD气体供应系统均连接至沉积系统;所述沉积系统内进行TiN涂层的沉积与SiO2涂层的沉积,所述CVD气体供应系统在沉积系统内进行TiN涂层的沉积时为沉积系统提供TiN原料气,所述MOCVD气体供应系统在沉积系统内进行SiO
  • 一种tin二氧化硅双层涂层沉积方法装置
  • [发明专利]一种TiN/TiO2核壳纳米线阵列及其制备方法-CN201510796858.8在审
  • 文伟;白俊强;吴进明 - 海南大学
  • 2015-11-18 - 2016-02-24 - H01M4/36
  • 本发明公开了一种TiN/TiO2核壳纳米线阵列及其制备方法。该材料是以TiN纳米线为骨架,在TiN纳米线表面生长TiO2颗粒,形成核壳结构的纳米线阵列。制备过程为:将钛片先依次在NaOH溶液中进行水热反应、酸交换、NH3气氛中高温热处理,得到TiN纳米线阵列;然后将上述TiN纳米线阵列在TiF4或TiCl4水溶液中反应,最终得到TiN/TiO2核壳纳米线阵列。所得到的TiN/TiO2核壳纳米线阵列可提高TiO2电极整体的电导率和电化学活性,核壳结构的纳米线阵列作为锂离子电池负极时,还可大幅减小TiO2
  • 一种tintiosub纳米阵列及其制备方法
  • [发明专利]一种高致密度氮化钛陶瓷材料及其制备方法-CN202211347679.2在审
  • 李元元;李宁;王如愿;赵超 - 华中科技大学
  • 2022-10-31 - 2023-03-07 - C04B35/58
  • 本发明属于特种功能陶瓷材料制备领域,并具体公开了一种高致密度氮化钛陶瓷材料及其制备方法,其包括:以TiN粉末为原料,加入Y2O3‑TiO2复合烧结助剂,进行球磨湿混;将混合后的粉末浆料烘干,进行冷等静压压制;对压制得到的TiN陶瓷生坯进行高温烧结,烧结过程中,Y2O3与TiO2反应形成液相,小颗粒TiN在液相中优先溶解,并通过液相沿孔隙流动,当液相中TiN浓度饱和时沉淀析出;随着粒界不断推移,大小颗粒间空隙逐渐被充填,实现TiN陶瓷的快速致密化,获得高致密TiN陶瓷。本发明解决了由于TiN粉体化学惰性强、自扩散系数低、烧结温度高,传统单烧结助剂难以有效降低烧结温度、提高致密度的生产加工难题。
  • 一种致密氮化陶瓷材料及其制备方法
  • [发明专利]基于TIN的被错断断层复原建模方法-CN201410298258.4有效
  • 毛先成;陈进;吴泽权 - 中南大学
  • 2014-06-26 - 2017-09-26 - G06T17/05
  • 本发明公开了一种基于TIN的被错断断层复原建模方法,包括以勘探线剖面图上断层数据建立断层的TIN模型,提取已经建立的断层TIN模型的相交线视为断层复原建模的标志线,微分标志线得到微分点并计算其复原向量,构造衰减函数模拟因待复原点远离标志线而距离增大造成复原向量模减小的衰减,计算TIN模型的所有顶点复原后的坐标,并将断层TIN模型的三角形表和更新后的顶点表导入软件进行可视化,完成复原建模。本发明能够将被后期断层(成矿后断层)错断或破坏的成矿期断层TIN模型进行复原,消除在被破坏空间下所获得的断层TIN模型存在的撕裂、扭曲等空间形变影响,更准确地表达成矿期断层的原始形态,为成矿期的断层三维形态分析和成矿信息提取提供正确的模型支撑
  • 基于tin断断复原建模方法
  • [发明专利]一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺-CN201310080084.X有效
  • 李凤莲;倪景华 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-03-13 - 2014-09-17 - H01L21/28
  • 本发明提供一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺,至少包括以下步骤:1)于包括依次层叠于Si衬底表面的SiO2层、高K介质层、TiN层以及多晶硅层的栅极结构中去除所述多晶硅层,露出所述TiN层以及形成于其表面的氮氧化硅界面层;2)采用F-基干法刻蚀去除所述氮氧化硅界面层,去除过程中TiN表面会形成氟化钛界面层;3)于H2或者N2/H2的混合气体的气氛中对所述TiN层表面进行高温等离子体处理;4)采用湿法清洗工艺对所述TiN表面进行清洗。本发明可以有效去除TiN表面的氮氧化硅界面层以及此过程中所产生的氟化钛界面层,从而保证了晶体管阈值电压的稳定性,提高了晶体管的性能。
  • 一种金属工艺tin表面界面去除
  • [发明专利]基于双向滚动球变换的TIN_DDM地形特征线提取方法-CN201811007689.5有效
  • 董箭;彭认灿;张志衡;吕程 - 中国人民解放军海军大连舰艇学院
  • 2018-08-31 - 2022-10-25 - G06V10/46
  • 本发明的基于双向滚动球变换的TIN_DDM地形特征线提取方法,步骤如下:首先,设定滚动球半径并对各个采样点构建等距离球面;其次,对由各个等距离球面相交所形成的TIN_DDM矢量缓冲面按照规定的格网间距进行栅格化表达,确定出各个TIN_DDM缓冲面剖分单元的邻近关系;然后,将各个TIN_DDM缓冲面剖分单元及其邻近剖分单元对应的地形点所组成的范围看作一个局部范围,利用地形特征点局部极值的特性,对地形特征点进行识别;最后,根据TIN_DDM缓冲面剖分单元的邻近关系,对地形特征点进行连线整理,最终实现了TIN_DDM地形特征线的提取。本发明以滚动球半径作为地形尺度特征识别的控制变量,提取不同地形尺度下的TIN_DDM地形特征线,给出符合真实地形的、明确的关联信息。
  • 基于双向滚动变换tin_ddm地形特征提取方法
  • [发明专利]基于不规则三角网查找表的SAR图像地理编码方法-CN201610069176.1有效
  • 曾琪明;陈继伟;焦健 - 北京大学
  • 2016-02-01 - 2019-01-11 - G06T9/00
  • 本发明公布了一种基于不规则三角网(Triangulated Irregular Network,TIN)查找表的SAR图像的地理编码方法,包括:将SAR图像覆盖区域的Grid DEM数据转换生成TIN DEM数据;根据SAR图像信息,通过计算得到TIN DEM每个结点与SAR图像雷达坐标的映射关系,存储在TIN查找表中;根据SAR图像信息和查找表中的映射关系,进行重采样,得到地理编码后的SAR图像。本发明基于TIN查找表,仅对TIN结点进行计算得到映射关系,其它格网点利用插值获得映射关系,由此减少存储和计算量,能够克服现有利用Grid查找表的地理编码方法存在的数据冗余、效率低下等不足,适用于针对同一地区大量
  • 基于不规则三角查找sar图像地理编码方法

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