专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Sm2O3纳米晶的制备方法-CN201610364384.4有效
  • 李凯斌;石启英;周春生;王书民;崔孝炜;张国春;任有良;南宁 - 商洛学院
  • 2016-05-27 - 2017-04-26 - C01F17/00
  • 本发明涉及一种Sm2O3纳米晶的制备方法,首先将Sm(NO3)3溶液和CO(NH2)2溶液混合均匀形成反应前驱液,其中,Sm(NO3)3和CO(NH2)2的摩尔比为(0.02~0.06)(0.01~0.03);反应前驱液在120~180℃反应生成沉淀,反应结束后自然冷却至室温;分离出沉淀并洗涤干燥,得到前驱体;将前驱体在450℃~600℃煅烧1~2h,得到Sm2O3纳米晶。本发明以Sm(NO3)3为钐源,以CO(NH2)2为碱源,以水热‑热处理法在450~600℃这一较低的热处理温度下制得了纯的立方相球状Sm2O3纳米晶,能耗低,无需表面活性剂控制形貌。所制得的Sm2O3纳米晶的纯度高、结晶性良好、尺寸分布均匀、分散性好。
  • 一种smsub纳米制备方法
  • [发明专利]一种溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法-CN201310284860.8有效
  • 殷立雄;王丹;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;曹丽云;吴建鹏 - 陕西科技大学
  • 2013-07-08 - 2013-10-16 - C01F17/00
  • 一种溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法,将Sm(NO3)3·6H2O加入去离子水中制得透明溶液;采用调节透明溶液的pH值至4.5~7.0后再加入聚乙烯醇水溶液;将AAO模板用上述溶胶充分浸润,并与清洗干净的导电玻璃基板粘结后,置于高温干燥箱中干燥使溶胶缓慢失水变成凝胶,再热处理后随炉冷却;用砂纸打磨AAO模板表面,去离子水洗涤后用NaOH溶液腐蚀去除模板,再用去离子水和无水乙醇洗涤,即在ITO导电玻璃基板表面获得Sm2O3本发明以溶胶-凝胶硬模板辅助技术制备Sm2O3纳米阵列,工艺设备简单,操作方便。可制备出尺寸和结构可控、结合力好的纳米阵列。所制备的Sm2O3纳米阵列在纳米光-电子器件等方面有广阔的研究和应用价值。
  • 一种溶胶凝胶法制smsub纳米阵列方法
  • [发明专利]一种溶剂热法制备Sm2O3 纳米阵列的方法-CN201310284858.0有效
  • 殷立雄;王丹;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;曹丽云;吴建鹏 - 陕西科技大学
  • 2013-07-08 - 2013-10-16 - C30B29/16
  • 一种溶剂热法制备Sm2O3纳米阵列的方法,首先配制Sm3+溶液A;向溶液A中加入聚乙烯醇水溶液得到镀膜液;在单晶硅(100)基板表面均匀涂覆一层镀膜液后烘干,再热处理,配制Sm3+溶液B,然后调节溶液B的pH为5.5~7.0得到生长液;将生长液倒入水热反应釜中,将处理后的硅基板浸入其中,密封反应釜,放入电热真空干燥箱中反应完成后取出基板清洗后置于真空干燥箱内干燥,即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。本发明制备Sm2O3纳米阵列的反应在液相中完成,不需要借助于硬模板,从而避免了去除模板过程中对产物结构及性能的影响;不需要进行后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、
  • 一种溶剂法制smsub纳米阵列方法
  • [发明专利]一种溶剂热法制备单斜相Sm2O3 纳米晶的方法-CN201210402677.9无效
  • 殷立雄;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;吴建鹏;曹丽云;费杰 - 陕西科技大学
  • 2012-10-19 - 2013-01-30 - C01F17/00
  • 一种溶剂热法制备单斜相Sm2O3纳米晶的方法,将SmCl3·6H2O加入无水乙醇或乙醇水溶液中制得溶液A;用NaOH溶液调节溶液A的pH值为6~12继续搅拌形成前驱溶液;将前驱溶液倒入水热釜中后密封水热釜,控制溶剂热温度为120~240℃,压力为2~20MPa,反应6~60小时,反应结束后自然冷却到室温;取出产物用去离子水洗涤并离心分离,再用无水乙醇洗涤并离心分离,依次采用去离子水和无水乙醇重复洗涤后置于50~80℃干燥即得单斜相Sm2O3纳米晶。由于本发明制备Sm2O3纳米晶反应在液相中一次完成,不需要后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米晶在热处理过程中可能导致的团聚、晶粒粗化以及气氛反应引入杂质等缺陷,且工艺设备简单。
  • 一种溶剂法制单斜smsub纳米方法
  • [发明专利]一种溶剂热法制备Sm2O3 薄膜的方法-CN201110310288.9有效
  • 殷立雄;黄剑锋;郝巍;曹丽云;吴建鹏;黄艳 - 陕西科技大学
  • 2011-10-13 - 2012-01-25 - C23C20/08
  • 一种溶剂热法制备Sm2O3薄膜的方法,将分析纯SmCl3·6H2O加入异丙醇或异丙醇与水的混合溶剂中搅拌制得溶液A;用氨水调节溶液A的pH值形成镀膜液;将镀膜液倒入水热釜中,将基片浸入镀膜液中,密封水热釜,在水热温度为120~200℃反应12~48小时后自然冷却到室温;打开水热釜,取出基片用无水乙醇冲洗干净,并真空干燥箱内干燥即在基片表面获得Sm2O3光学薄膜。本发明制备Sm2O3薄膜反应在液相中一次完成,不需要后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3薄膜在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷,且工艺设备简单,反应温度低,易获得高压
  • 一种溶剂法制smsub薄膜方法
  • [发明专利]一种溶剂热法制备Sm2O3 纳米晶的方法-CN201110310322.2有效
  • 黄剑锋;郝巍;殷立雄;曹丽云;吴建鹏 - 陕西科技大学
  • 2011-10-13 - 2012-05-02 - C01F17/00
  • 一种溶剂热法制备Sm2O3纳米晶的方法,将分析纯SmCl3·6H2O加入异丙醇或异丙醇与水的混合溶剂中制得溶液A;用NaOH调节溶液A的pH值形成前驱溶液;将前驱溶液倒入水热釜中,密封水热釜并置于电热真空干燥箱中溶剂热反应后自然冷却到室温;取出产物用去离子水洗涤并离心分离,再用无水乙醇洗涤并离心分离,重复洗涤后真空干燥干燥获得Sm2O3纳米晶。本发明制备Sm2O3纳米晶反应在液相中一次完成,不需要后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米晶在热处理过程中可能导致的团聚、晶粒粗化以及气氛反应引入杂质等缺陷,且工艺设备简单。
  • 一种溶剂法制smsub纳米方法
  • [发明专利]一种水热法制备Sm2O3 纳米阵列的方法-CN201310284857.6有效
  • 殷立雄;王丹;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;曹丽云;吴建鹏 - 陕西科技大学
  • 2013-07-08 - 2013-10-16 - C30B29/16
  • 一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法,将SmCl3·6H2O加入去离子水中得透明溶液;调节透明溶液的pH调节至4.5~5.5后再加入聚乙烯醇水溶液得镀膜液;在ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后干燥并热处理;将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中再用调节其pH调至5.0~5.8作为生长液;将上述生长液倒入水热釜中,将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中,密封水热釜,放入电热真空干燥箱中,反应结束后自然冷却至室温;取出基板,洗涤后真空干燥即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。本发明制备Sm2O3纳米阵列的反应在液相中完成,不需要进行后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷。
  • 一种法制smsub纳米阵列方法
  • [发明专利]一种络合水热法制备球状Sm2O3 半导体纳米晶的方法-CN201210401881.9无效
  • 殷立雄;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;吴建鹏;曹丽云;费杰 - 陕西科技大学
  • 2012-10-19 - 2013-01-30 - C01F17/00
  • 一种络合水热法制备球状Sm2O3半导体纳米晶的方法,将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中制得溶液A;用NaOH溶液调节溶液A的pH值为6~10后形成前驱溶液,随后向前驱溶液中加入柠檬酸三钠,将前驱溶液倒入水热釜中,然后密封水热釜,控制水热温度为140~240℃,压力为2~20MPa,反应6~72小时,反应结束后自然冷却到室温;取出产物用去离子水洗涤并离心分离,再用无水乙醇洗涤并离心分离,依次采用去离子水和无水乙醇重复洗涤后干燥得球状Sm2O3半导体纳米晶。由于本发明制备球状Sm2O3纳米晶反应在液相中一次完成,不需要后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米晶在热处理过程中可能导致的团聚、晶粒粗化以及气氛反应引入杂质等缺陷,且工艺设备简单。
  • 一种络合法制球状smsub半导体纳米方法
  • [发明专利]一种异质结阵列基紫外探测器及其制作方法-CN201610490299.2在审
  • 兰建龙 - 兰建龙
  • 2016-06-28 - 2016-10-26 - H01L31/109
  • 本发明公开了一种异质结阵列基紫外探测器及其制备方法,所述探测器包括基底、导电薄膜,所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@ZnO异质结阵列和至少一个N型欧姆电极,所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极;所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列为ZnO纳米管阵列和填充于ZnO纳米管内的Sm2O3纳米线构成。由于本发明的核心结构为由ZnO纳米管阵列和贯穿ZnO纳米管的Sm2O3纳米线构成的异质结阵列,可以充分提高光生载流子的利用率,具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。
  • 一种异质结阵列紫外探测器及其制作方法
  • [发明专利]阵列紫外探测器-CN201611090673.6在审
  • 庞倩桃 - 庞倩桃
  • 2016-11-30 - 2017-05-31 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种阵列基紫外探测器及其制备方法,所述探测器包括基底、导电薄膜,所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@MgZnO阵列和至少一个N型欧姆电极,所述的Sm2O3@MgZnO阵列上有至少一个P型欧姆电极;所述的Sm2O3@MgZnO阵列为MgZnO纳米管阵列和填充于MgZnO纳米管内的Sm2O3纳米线构成。由于本发明的核心结构为由MgZnO纳米管阵列和贯穿MgZnO纳米管的Sm2O3纳米线构成的阵列,可以充分提高光生载流子的利用率,具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。
  • 阵列紫外探测器

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