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[发明专利]R－T－B系烧结磁体-CN201780045364.3有效
发明人：国吉太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明的R－T－B系烧结磁体为包含主相晶粒和晶界相的R－T－B系烧结磁体，含有R：27.5质量％以上35.0质量％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr)、B：0.80质量％以上1.05质量位于距磁体表面300μm的深度的上述主相晶粒的中央部中的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd低于1，位于距磁体表面300μm的深度的二晶粒晶界内的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd高于1，
烧结磁体

[发明专利]一种用于高灵敏度大范围温度探测的方法-CN201811196750.5有效
发明人：包亚男;曹保胜;刘洋;尚景雨;何洋洋;冯志庆;董斌 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G01K11/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Er3+和Nd3+上转换发光的荧光强度比用于高灵敏度大范围温度探测的方法，通过稀土Er3+和Nd3+离子间的能量传递有效避免了上转换发光的温度猝灭效应，基于来自于Er3+和Nd3+离子自身耦合能级对上转换发光的荧光强度比、以及Er3+和Nd3+离子间上转换发光的荧光强度比，实现采用稀土Er3+和Nd3+离子共掺杂上转换发光材料进行大范围温度探测且具有高温度灵敏度的方法。
一种用于灵敏度范围温度探测方法

[发明专利]Cu-Ni-Si系铜合金条及其制备方法-CN201710206398.8有效
发明人：高桥知亮;中妻宗彦 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：含有Ni：1.5~4.5质量%、Si：0.4~1.1质量%的Cu‑Ni‑Si系铜合金条，电导率为30%IACS以上，拉伸强度为800MPa以上，在将以与包含晶体的[001]取向和材料的ND方向的面垂直的方向为轴的旋转角标记为Φ，将以ND方向为轴的旋转角标记为φ1，将以[001]方向为轴的旋转角标记为φ2的情况下，对于作为通过以ND轴为旋转轴只旋转φ1后，为了使ND轴和z轴一致而只旋转Φ，最后围绕[001]轴只旋转φ2，由此材料的ND、TD、RD与晶体的[001]、[010]、[100]一致的角度的组的欧拉角(φ1，Φ，φ2)，所有欧拉角的晶体取向的极密度均为12以下。
cu ni si 铜合金及其制备方法

[发明专利]一种含稀土Nd的Fe-6.9％Si薄带的制备方法-CN201910578672.3有效
发明人：蔡国君;黄艳茹;杨阳;何娇 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含稀土Nd的Fe‑6.9％Si薄带的制备方法，属于轧钢工艺技术领域。一种含稀土Nd的Fe‑6.9％Si薄带的制备方法，所述薄带化学成分按重量百分比含量为：Si 6.91～6.98％，Nd 0.03～0.05％，C0.01％，Mn0.01％，P0.01％，S0.01％，N0.003本发明提出了Fe‑6.9％Si钢中添加轻稀土Nd以改善其塑性的微合金化方法。在此基础之上，采用冷轧与异步相结合的新技术制备了高硅钢薄带，通过稀土Nd的微合金化及异步轧制细化晶粒、降低变形抗力，提升了高硅钢薄带的塑性变形能力。
一种稀土 nd fe 6.9 si 制备方法

[发明专利]一种含Nd的多元镁合金牺牲阳极材料及其制备方法-CN201710309376.4有效
发明人：王莹;李萍;赵红玲;徐玉梅;张东晓 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C23F13/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种含Nd的多元镁合金牺牲阳极材料及其制备方法，属于牺牲阳极材料技术领域。本发明的含Nd的多元镁合金牺牲阳极材料由以下质量百分比的组分组成：Zn 6.6％～6.8％、Nd 0.2％～0.4％、Ca 0.3％～0.5％、Sb 0.4％～0.6％，余量为Mg和不可避免的杂质。本发明的镁合金牺牲阳极材料中不含Al，避免了网状Mg₁₇Al₁₂相的生成，为保证性能和控制成本，Zn的加入量选为6.6～6.8wt％；加入微量的Nd、Ca、Sb，生成高熔点的Mg₁₂Nd、Mg₂Ca、Mg₁₃Sb₂相，可作为有效的形核核心，细化晶粒，提高组织的均匀性，进而使镁合金阳极材料在腐蚀环境中消耗均匀
牺牲阳极材料多元镁合金制备镁合金牺牲阳极质量百分比腐蚀环境形核核心阳极材料晶粒高熔点均匀性镁合金细化消耗保证

[发明专利]一种提高900nm荧光强度的Nd3+-CN202110285796.X有效
发明人：王世凯;于春雷;陈应刚;胡丽丽 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C03C4/12 文献下载
摘要：一种提高900nm荧光强度的Nd3+掺杂石英玻璃，配方组分为：Al2O3：0.5～5mol％，P2O50～5mol％，Nd3+以Nd2<利用本发明方法制备的Nd3+掺杂的石英玻璃，具有高的Nd掺杂浓度及光学质量，非氧阴离子得到一定程度的存留，并大大提高了900nm的荧光分支比，900nm的荧光强度甚至
一种提高 900 nm 荧光强度 nd base sup

[发明专利]半导体器件及其制造方法和系统-CN201911063416.7有效
发明人：苏品岱;刘钦洲;陈胜雄;张丰愿;鲁立忠;林彦宏;田丽钧;黄博祥;郑仪侃;卢麒友 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：(产生布局图的)方法包括生成表示半导体器件中的电路的至少一部分的单元，单元至少部分地根据M_2nd层级的第二轨道(M_2nd轨道)和第M_1st层级的第一轨道(M_1st轨道)布置。生成单元包括：基于布局图中为单元选择的位置来选择M_2nd轨道中的一个；生成表示电路的输出引脚的第一M_2nd引脚图案；基本沿着所选择的M_2nd轨道布置第一引脚图案的长轴；生成表示电路的相应输入引脚的第二至第五
半导体器件及其制造方法系统

[实用新型]一种硅酸镓电光晶体调Q激光器-CN200920240851.8有效
发明人：方新;王继扬;黄造;尹鑫;宋余华;张少军;汤瑾;张怀金;范永来;谈广清;蒋民华;张延炜 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：它包括激光泵浦源、谐振腔、Nd:YAG棒、LGS晶体组件、高压脉冲调Q电源，激光泵浦源设置于Nd:YAG棒的一侧，激光泵浦源为脉冲氙灯，谐振腔由全反镜和输出镜组成，谐振腔内依次设置有LGS晶体组件、Nd本实用新型使Nd:YAG电光调Q激光器在-40℃～+65℃高低温环境条件下实现了高功率、高效率、高重频运转，而且性能稳定，解决了背景技术中军工、航天高功率Nd:YAG电光调Q激光器的技术难题，拓宽了该激光器的应用范围
一种硅酸电光晶体激光器

[实用新型]一种相机磁吸滤镜-CN201921784145.X有效
发明人：梁荣 -专利权人：东莞市璨宇影像技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G03B11/04 文献下载
摘要：镜框底部向下凸起且外周边设有螺牙，所述的UV镜框内底部安装有UV镜片，所述的UV镜片上方设有镜片压圈一，所述的镜片压圈一的底部设有环形磁铁槽一，所述的磁铁槽一内嵌入有强磁铁一，所述的镜片压圈一的上方设有ND铁圈，所述的ND铁圈内底部安装有ND镜片，所述的ND镜片上方设有镜片压圈二，所述的镜片压圈二的底部设有环形磁铁槽二，所述的磁铁槽二内嵌入有强磁铁二，所述的ND铁圈上方设有镜头盖，所述的镜头盖底部设有环形铁槽
一种相机滤镜

[实用新型]手持式双级美容机治疗头-CN200620149183.4无效
发明人：杜金波 -专利权人：杜金波
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： A61B18/20 文献下载
摘要：激光器内排列有放大级Nd:YAG棒、脉冲氙灯和键合的振荡级Nd:YAG棒，该脉冲氙灯置于两根振荡和放大级的Nd:YAG棒之间，统一置于聚光器内。振荡级Nd:YAG棒的前端键合Cr⁴⁺:YAG调Q晶体，前端连接键合的白YAG晶体，白YAG晶体前端镀全反射膜。采用白YAG，Cr⁴⁺:YAG，Nd:YAG棒的统一键合结构作为振荡级。本实用新型治疗效果好，结构简单，稳定性大大提高，并降低了能耗和成本。
手持式双级美容治疗

[实用新型]一种一灯泵双棒激光器核心装置-CN200520115657.9无效
发明人：杜金波;钱春华 -专利权人：钱春华
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一灯泵双棒激光器核心装置它包括KTP晶体倍频、全反透镜、Cr⁴⁺∶YAG Q开关、聚光腔和折叠镜，聚光腔内平行设有震荡级Nd∶YAG激光晶体棒和放大级Nd∶YAG激光晶体棒，震荡级Nd∶YAG激光晶体棒和放大级Nd∶YAG激光晶体棒双棒之间平行设有一个泵浦灯；折叠镜为一双，分别设置在与双棒光路成45°角相对应的位置上，双棒光路的距离为100～250mm。将一灯置于两根Nd∶YAG棒之间，并置于同一聚光腔内。这样便将振荡与放大两级和二为一，大大缩小了体积，不但降低了产品成本，也降低了能量的损耗。
一种一灯泵双棒激光器核心装置

[发明专利]资源块映射方法及装置-CN200780101182.X有效
发明人：毕峰;袁明 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：本发明公开一种资源块映射方法及装置，资源块映射方法包括：编号步骤，对当前系统带宽的物理资源块进行编号，并对相同数目的虚拟资源块进行相应编号，其中，物理资源块和虚拟资源块的数目为NPRB；矩阵生成步骤，生成ceil(N/Nd)×Nd维的第一矩阵，Nd为一个DVRB被映射到的PRB的个数；矩阵映射步骤，按照预定方式从第一矩阵中读出元素，并将读出元素写入ceil(N/Nd)×Nd维的第二矩阵，其中，在存在补充元素的情况下，不对补充元素进行读出和写入操作
资源映射方法装置

[外观设计]毛巾架（ND03ND04 系列）-CN202130338746.4有效
发明人：吴剑斌;张卫 -专利权人：上饶市欧德环保有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： 23-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：毛巾架（ ND03ND04 系列）。2.本外观设计产品的用途：用于晾挂毛巾。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。
毛巾架 nd03nd04 系列

[发明专利]压力热处理驱动Nd-Cu晶界扩散改善钕铁硼磁性的方法-CN201910808100.X在审
发明人：柴晓峰;毛建星;邹买金 -专利权人：杭州史宾纳科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力热处理驱动Nd‑Cu晶界扩散改善钕铁硼磁性的方法，具体步骤如下：采用真空快淬工艺制备Nd‑Cu粉料，分别取纯度99.5％金属钕和纯度99.5％铜金属按重量比例3:7配比，配比好的材料放入真空熔炼炉内熔炼注锭，再将合金锭放入真空快淬炉中制成Nd‑Cu粉末，将Nd‑Cu粉料和热压钕铁硼MQP‑M型粉料按0.88：100的重量比例配比，将配好的粉料倒入到真空混料机中均匀混合；取混合粉料放到压机上压制并保压。本发明的有益效果为：通过压力热处理驱动Nd‑Cu晶界扩散与传统热压钕铁硼压制的磁环两者之间的对比，传统热压钕铁硼压制内禀矫顽力为15kOe，按本发明的混合材料配比参数，采用我们压力热处理驱动Nd‑Cu晶界扩散的方法其
粉料热处理晶界扩散钕铁硼配比压制传统热压驱动放入内禀矫顽力真空混料机真空快淬炉真空熔炼炉钕铁硼磁性比例配比工艺制备混合材料混合粉料退磁曲线真空快淬方形度合金锭金属钕铜金属熔炼保压磁环热压注锭

[发明专利]发光陶瓷及其制备方法-CN201810235684.1在审
发明人：李乾;简帅;王艳刚;许颜正 -专利权人：深圳光峰科技股份有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种发光陶瓷，所述发光陶瓷包括MgO·nAl₂O₃基质(210)以及均匀分布在MgO·nAl₂O₃基质中的Nd:YAG本发明通过尿素共沉淀法制备Nd:YAG前驱粉体，通过固相反应法制备MgO·nAl₂O₃前驱粉体，最后通过热压烧结法制备成Nd:YAG‑MgO·nAl₂O₃发光陶瓷；利用Nd:YAG作为红外发光中心，其具有极高的量子效率；而MgO·nAl₂O₃所制备的透明陶瓷在红外波段透过率较高，且具有较优良的导热率；其同Nd:YAG共同组成复合陶瓷时，能很好的将Nd:YAG所产生的红外光散射出来，并同时将808nm激光激发时所产生的热量进行传导散发，具有高亮度、弱光衰等优点。
发光陶瓷基质前驱粉体制备红外光单相陶瓷发光中心复合陶瓷固相反应红外波段红外发光激光激发量子效率热压烧结透明陶瓷导热率共沉淀摩尔比透过率散射弱光传导尿素散发