专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有接缝环的抄纸用毛毡用的基布及其制造方法-CN201710044587.X有效
  • 荻原泰之 - 市川株式会社
  • 2017-01-19 - 2020-01-10 - D21F7/08
  • 解决的手段是,所述基布为由毛毡的行走方向(MD方向)的MD线材和毛毡的横断方向(CD方向)的CD线材构成,利用MD线材形成接缝环的抄纸用毛毡用的基布,接缝环通过从包含具有禁止去除CD线材的部位的接缝环区域的布料的禁止去除CD线材的部位以外的部位去除CD线材,使禁止去除CD线材的部位的CD线材及禁止去除CD线材的部位与去除了CD线材的部位之间的CD线材,向去除了CD线材的部位的方向移动得到,去除了CD线材的部位的MD线材的強度比禁止去除CD线材的部位的MD线材的強度低。
  • 具有接缝抄纸用毛毡及其制造方法
  • [发明专利]一种全MOS管的基准参考电路-CN202011331994.7有效
  • 周前能;刘磊;李红娟 - 重庆邮电大学
  • 2020-11-24 - 2022-03-22 - G05F1/567
  • 本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比,基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压,PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流,从而实现一种全MOS管的基准参考电路。
  • 一种mos基准参考电路
  • [发明专利]彩色阴极射线管-CN200380100314.9无效
  • 清水纪雄;内河寿夫 - 株式会社东芝
  • 2003-12-01 - 2005-11-02 - H01J29/07
  • 荫罩板(7)满足以下条件:(ZMD-ZMH)/LMS≥0.020,和0.065≤ZMD/LMD≤0.095其中,在具有荫罩板(7)预定曲率的基本矩形的有效区域(7A)内,LMD是中心部分和有效区域(7A)对角末端之间的距离;LMS是水平轴和有效区域(7A)对角末端之间的距离ZMD是中心部分和管轴方向上的对角末端之间的高度差;以及ZMH是中心部分和管轴方向上的水平轴末端之间的高度差。
  • 彩色阴极射线管
  • [实用新型]一种压力/二维磁场单片集成传感器-CN201520963911.4有效
  • 赵晓锋;李宝增;温殿忠 - 黑龙江大学
  • 2015-11-26 - 2016-04-20 - G01D21/02
  • 本实用新型公开了一种压力/二维磁场单片集成传感器,该单片集成传感器包括第一磁敏二极管MD1、第二磁敏二极管MD2、第三磁敏二极管MD3、第四磁敏二极管MD4、第一压敏电阻R1、第二压敏电阻/sub>、第一负载电阻Rx1、第二负载电阻Rx2、第三负载电阻Ry3和第四负载电阻Ry4;其中,第一磁敏二极管MD1的正极与第二磁敏二极管MD2的正极构成差分输出,第三磁敏二极管MD3的正极和第四磁敏二极管MD4的正极构成差分输出,两对差分输出实现二维磁场的检测;第一压敏电阻R1与第四压敏电阻R
  • 一种压力二维磁场单片集成传感器

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