专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种超长棒状聚3-己基噻吩晶体的制备方法-CN202210820069.3有效
  • 丁光柱;吴坤;张旗;刘结平 - 淮北师范大学
  • 2022-07-12 - 2023-05-09 - C30B29/54
  • 本发明公开了一种超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法,包括以下步骤:(1)溶液配制:将P3HT溶解于氯苯溶剂中,配制P3HT的氯苯溶液,待P3HT完全溶解后进行过滤处理;(2)一次等温结晶:将过滤后的P3HT的氯苯溶液先进行保温,再进行降温,然后进行等温结晶处理,得到一次结晶液;(3)二次等温结晶:将一次结晶液先进行降温,然后进行等温结晶处理,得到二次结晶液;(4)薄膜制备:利用溶液旋涂法将二次结晶液在硅片衬底上制备出P3HT薄膜;(5)薄膜干燥:对P3HT薄膜进行真空干燥。本发明制备方法属于简易的P3HT液相分步等温结晶方法,条件温和、操作简便、无特殊设备要求,所得超长棒状聚3‑己基噻吩晶体可用于有机光电器件的应用。
  • 一种超长棒状聚噻吩晶体制备方法
  • [发明专利]一种Ag/C60-CN202110120380.2有效
  • 孙文红;王家斌;杨亚 - 广西大学
  • 2021-01-28 - 2022-09-02 - H01L51/46
  • 本发明公开了一种Ag/C60/P3HT/n‑GaN/In平面型异质结材料及其制备方法,包括衬底、n‑GaN薄膜层、P3HT层、C60层、Ag层和In电极,其制备方法如下步骤:利用MOCVD在衬底上生长n‑GaN薄膜层,在n‑GaN薄膜层上旋凃P3HT溶液得到P3HT层,在P3HT层上蒸镀C6060层上蒸镀Ag得到Ag层;再将材料和铟一起在氮气氛围中以两步法退火在n‑GaN薄膜层上制备得到In电极,即得Ag/C60/P3HT
  • 一种agbasesub60
  • [发明专利]Au/TiO2-CN201911180974.1有效
  • 郑灵霞;郑华均;邓晓雷;王永智 - 浙江工业大学
  • 2019-11-27 - 2022-06-21 - H01L51/42
  • 本发明提供了一种Au/TiO2/P3HT异质结纤维及其制备方法,以及在制备光电探测器中的应用;本发明以钛微米线为基底,通过二次阳极氧化‑管式炉中退火‑负压浸渍的方法制备得到TiO2/P3HT异质结纤维后,利用等离子溅射仪在TiO2/P3HT异质结纤维表面沉积Au纳米颗粒,通过沉积时间的控制来调节Au纳米颗粒的大小和分布,得到Au/TiO2/P3HT异质结纤维;利用本发明Au/TiO2/P3HT异质结纤维可构筑具有优异紫外光选择性、超高响应度和高度柔韧性的Au/TiO2/P3HT异质结纤维光电探测器,利用Au的等离子体共振效应,实现了紫外区光响应度提高幅度最高可达600~900%。
  • autiobasesub

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