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[发明专利]一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器-CN201710947957.0有效
发明人：邵振海;黄涛 -专利权人：机比特电子设备南京有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器，包括倍频电路和与倍频电路连接的混频电路；倍频电路包括BJT1、BJT2和BJT3；BJT1的基极为倍频电路的输入端，BJT1的集电极与BJT2的基极电连接；BJT2的集电极与BJT3的基极电连接；混频电路包括BALUN、RF BALUN和Gilbert混频单元；Gilbert混频单元包括共发射极的BJT4和BJT5以及BJT6和BJT7；BJT4和BJT5的发射极与BJT8的集电极连接；BJT6和BJT7的发射极与BJT9的集电极连接；BALUN的一输出端分别与BJT4和BJT7的基极电连接，其另一输出端分别与BJT5和BJT6的基极电连接；RF BALUN的输出端分别与BJT8和BJT9的基极电连接。
一种基于 0.13 um sigebicmos 工艺三次谐波混频器

[发明专利]带隙基准源及其低温漂控制方法、系统和芯片-CN202310189747.5有效
发明人：樊茂 -专利权人：盈力半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：带隙基准模块中，第一BJT管和第二BJT管用于输出基准电压；第一电流镜连接第一BJT管和第二BJT管，用于向第二BJT管提供偏置电流。漏电流补偿模块中，BJT管组用于向第二BJT管提供漏电流补偿；第二电流镜用于将BJT管组产生的漏电流镜像至第二BJT管；开关控制单元用于控制BJT管组中每个BJT管的开关。通过接通BJT管组中的至少一个BJT管，能够有效补偿第二BJT管集电极对芯片衬底的漏电，降低带隙基准源的温度系数，有助于确保整体电路的精度和性能，而不需调整BJT管自身的设计和制程，且结构简单、灵活可调
基准及其低温控制方法系统芯片

[发明专利]用于通信系统收发器接口的设备-CN201810905265.4有效
发明人： J·A·塞尔瑟多;何林峰 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：集成电路器件包括第一双极结型晶体管(BJT)和与第一BJT交叉耦合以作为第一半导体可控整流器(SCR)操作的第二BJT，其中第一BJT的基极连接到第二BJT的集电极和第二BJT的基极连接到第一BJT的发射极或集电极集成电路器件另外包括触发装置，包括第一二极管，所述第一二极管的阴极电连接到第一BJT的基极。集成电路器件还包括第三BJT，与第二BJT交叉耦合以作为第二SCR操作，其中所述第三BJT具有连接到所述第二BJT的基极的集电极和连接到所述第二BJT的集电极的基极。
用于通信系统收发接口设备

[发明专利]双极结型晶体管及其制造方法-CN201980044499.7在审
发明人： S·格科特佩里;P·V·科勒夫;P·G·科莱克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管(BJT)包括发射极、集电极、以及发射极和集电极之间的基极。BJT还包括发射极接触，其位于BJT的第一侧上；基极接触，其位于BJT的第一侧上；以及集电极接触，其位于BJT的第二侧上。BJT还包括深沟槽隔离(DTI)区域，其从BJT的第一侧延伸到BJT的第二侧。
双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]BJT型单相桥式全控整流电路-CN201510598231.1有效
发明人：陈怡;葛羽嘉;南余荣 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：一种BJT型单相桥式全控整流电路，包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、NPN型BJT管Q6、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和用于通过其端口a控制NPN型BJT管Q5的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q1工作状态的控制以及通过其端口b控制NPN型BJT管Q6的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源组M1。本发明提供一种简化驱动电路结构、驱动效率较高的BJT型单相桥式全控整流电路。
bjt 单相桥式全控整流电路

[发明专利]一种带DNW的PNP双极结型晶体管的建模方法-CN201010271226.7无效
发明人：朱正鹏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种带DNW的PNP-BJT的建模方法，所述带DNW的PNP-BJT包括一横向PNP-BJT(210)和一纵向PNP-BJT(220)，所述横向PNP-BJT(210)、所述纵向PNP-BJT(220)共用发射极E和集电极B，所述建模方法包括：步骤一、分别建立所述横向PNP-BJT(210)的模型和所述纵向PNP-BJT(220)的模型；步骤二、建立宏模型。所述建模方法还可以按如下步骤进行：步骤A、将所述横向PNP-BJT(210)和所述纵向PNP-BJT(220)的C极对应相连后测量数据；步骤B、建立初始模型；步骤C、提取模型参数并建立模型。
一种 dnw pnp 双极结型晶体管建模方法

[发明专利]自激式BJT型无桥BuckPFC整流电路-CN201510600776.1有效
发明人：陈怡 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种自激式BJT型无桥Buck PFC整流电路，包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、PNP型BJT管Q5、PNP型BJT管Q6、二极管D1、电感L1、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和用于通过其端口a控制PNP型BJT管Q1的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q1工作状态的控制以及通过其端口b控制PNP型BJT管Q2的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源组M1。
bjt 型无桥 buck pfc 整流电路

[发明专利]一种BJT型单相桥式全控整流电路-CN201510599075.0有效
发明人：陈怡 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：一种BJT型单相桥式全控整流电路，所述整流电路包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、输出电容Co、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和用于通过控制NPN型BJT管Q5的基极电流实现对PNP型BJT管Q1和PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源M1。本发明提供一种简化驱动电路、驱动效率较高的BJT型单相桥式全控整流电路。
一种 bjt 单相桥式全控整流电路

[实用新型]一种BJT型单相桥式全控整流电路-CN201520728104.4有效
发明人：陈怡 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：一种BJT型单相桥式全控整流电路，所述整流电路包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、输出电容Co、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和用于通过控制NPN型BJT管Q5的基极电流实现对PNP型BJT管Q1和PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源M1。本实用新型提供一种简化驱动电路、驱动效率较高的BJT型单相桥式全控整流电路。
一种 bjt 单相桥式全控整流电路

[发明专利]自激式BJT型无桥Buck‑BoostPFC整流电路-CN201510599455.4有效
发明人：陈怡;南余荣 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种自激式BJT型无桥Buck‑Boost PFC整流电路，包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、PNP型BJT管Q5、PNP型BJT管Q6、二极管D1、电感L1、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和用于通过其端口a控制PNP型BJT管Q1的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q1工作状态的控制以及通过其端口b控制PNP型BJT管Q2的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源组M1。
bjt 型无桥 buck boost pfc 整流电路

[发明专利]自激式BJT型无桥ZetaPFC整流电路-CN201510599917.2有效
发明人：陈怡;南余荣 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：一种自激式BJT型无桥Zeta PFC整流电路，包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、PNP型BJT管Q5、PNP型BJT管Q6、二极管D1、二极管D2、电感L1、电感L2、电容Cs、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和用于通过端口a控制PNP型BJT管Q1的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q1工作状态的控制以及通过端口b控制PNP型BJT管Q2的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源组M1。
bjt 型无桥 zeta pfc 整流电路

[实用新型]自激式BJT型无桥Buck PFC整流电路-CN201520726890.4有效
发明人：陈怡 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种自激式BJT型无桥Buck PFC整流电路，包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、PNP型BJT管Q5、PNP型BJT管Q6、二极管D1、电感L1、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和用于通过其端口a控制PNP型BJT管Q1的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q1工作状态的控制以及通过其端口b控制PNP型BJT管Q2的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源组M1。
bjt 型无桥 buck pfc 整流电路

[发明专利]基于BJT的系统级封装抗静电转接板-CN201711350925.9有效
发明人：张亮 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于BJT的系统级封装抗静电转接板100，其特征在于，包括：硅基衬底101、第一TSV孔102、第二TSV孔103、第一BJT104、第二BJT105、隔离沟槽106、金属互连线107、凸点108及钝化层109；所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底101中；所述隔离沟槽106分别设置于所述第一BJT104与第二BJT105四周；所述金属互连线107设置于所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105表面以使所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105形成串行连接；所述凸点108设置于所述第一TSV孔102与所述第二BJT105下表面；所述钝化层109设置于所述硅基衬底101上下表面。本发明提供的基于BJT的系统级封装抗静电转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
基于 bjt 系统封装抗静电转接

[实用新型]基于BJT的系统级封装抗静电转接板-CN201721776307.6有效
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于BJT的系统级封装抗静电转接板100，其特征在于，包括：硅基衬底101、第一TSV孔102、第二TSV孔103、第一BJT104、第二BJT105、隔离沟槽106、金属互连线107、凸点108及钝化层109；所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底101中；所述隔离沟槽106分别设置于所述第一BJT104与第二BJT105四周；所述金属互连线107设置于所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105表面以使所述第一TSV孔102、第一BJT104、第二TSV孔103及第二BJT105形成串行连接；所述凸点108设置于所述第一TSV孔102与所述第二BJT105下表面；所述钝化层109设置于所述硅基衬底101上下表面。本实用新型提供的基于BJT的系统级封装抗静电转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
系统级封装硅基衬抗静电金属互连线隔离沟槽钝化层转接板凸点本实用新型抗静电能力层叠封装串行连接上下表面转接下表面芯片

[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法-CN201711351330.5有效
发明人：冉文方 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法，该制备方法包括：(a)选取衬底；(b)在所述衬底中制作BJT、TVS孔及隔离沟槽；(c)在所述TSV孔与所述BJT上表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接；(d)去除所述衬底底部部分材料，以在所述衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；(e)在所述TSV孔与所述BJT下表面制作凸点。本发明提供的基于BJT的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工BJT作为ESD防护器件，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
基于 bjt 集成电路抗静电转接及其制备方法

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