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[发明专利]一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末的制备方法-CN202110946748.0在审
发明人：王春雷;瞿俊峰;徐淑宏;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末及其制备方法，该锰掺杂铜基卤化物钙钛矿为Mn:Cs3Cu2I5，所述制备方法为：(1)将碘化铯与碘化亚铜混合后充分研磨，得到铜基卤化物钙钛矿粉末；(2)将步骤(1)制得的铜基卤化物钙钛矿粉末与四水合氯化锰混合后充分研磨，得到锰掺杂的铜基卤化物钙钛矿粉末本发明操作简单，可以大批量生产，且制得的锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末发光可调。
一种掺杂卤化物钙钛矿粉末制备方法

[发明专利]一种铜基钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法-CN202110295022.5有效
发明人：马安朋 -专利权人：襄阳汽车职业技术学院
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基钙钛矿纳米晶薄膜的方法，在将钙钛矿纳米晶粉末烧结成钙钛矿薄膜过程中，先将干燥的钙钛矿纳米晶粉末放入模具型腔内，并在氮气气氛中使用冷压法将其压制成直径为Φ20mm×10mm圆柱体素坯；超高压可以大大降低烧结温度，使铜基钙钛矿纳米晶粉末在热裂解温度点以下就可以形成熔融态，同时超高压还可以促进铜基钙钛矿纳米晶粒的重排，择优取向使系统自由能往更低的方向进行，最终获得毫米级厚度的铜基钙钛矿薄膜
一种铜基钙钛矿纳米薄膜制备方法

[发明专利]一种铜基钙钛矿粉末的制备方法-CN202310823561.0在审
发明人：常亚婧;张金花;陈宗胜;李志刚;袁帅;刘丽萍;王亚辉;王俊儒 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜基钙钛矿粉末的制备方法，属于光电功能材料技术领域。本发明将CsX粉末与CuX粉末混合后加入极性溶剂进行研磨，干燥后即得到铜基钙钛矿粉末；所述X为Cl、Br或I。本发明提供的制备方法解决了常规研磨法制备铜基钙钛矿时由于局部反应不均匀，容易导致产物中有杂质的问题，本发明的制备方法得到的铜基钙钛矿杂质少，产品纯净，并且制备方法简单，原料利用率高，可进行大批量生产。
一种铜基钙钛矿粉末制备方法

[发明专利]一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品-CN202011440153.X有效
发明人：康臻菁;江琳沁;邱羽;熊浩;李平;严琼;林灵燕;范宝殿 -专利权人：福建江夏学院
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07C211/11 文献下载
摘要：本发明提供一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品，包括如下步骤：(1)将1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜在溴化氢水溶液中加热反应，反应完成后冷却至室温；(2)抽滤并洗涤沉淀、干燥，得到二氨基丙胺溴化铜产物即铜基钙钛矿材料将步骤(2)合成的产物铜基钙钛矿材料溶解于二甲亚砜得到浓度为0.1‑1.2mmol/mL的溶液，通过旋涂和退火得到铜基钙钛矿薄膜。本发明可实现环保无铅的钙钛矿材料的制备，得到的产物光吸收边位置达到700nm左右，具有合适的带隙，该产物易溶于二甲亚砜中且可以旋涂制备均一、平整的钙钛矿薄膜，是一种极具应用潜力的钙钛矿太阳能电池光吸收层材料
一种氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料合成方法薄膜制品

[发明专利]一种基于二维铜基钙钛矿的太阳能电池及其制备方法-CN201810326241.3在审
发明人：钟向丽;常建辉;李小磊;李勃超;吴祎玮;王金斌;郑帅至 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维铜基钙钛矿的太阳能电池及其制备方法，电池结构从下至上由FTO导电玻璃、电子传输层、介孔层、二维铜基钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极组成。本发明所采用的二维铜基钙钛矿吸光材料包括(C6H5NH3)2CuBr4‑nCln、(C6H5CH2NH3)2CuBr4‑nCln、[C6H5(CH2)2NH3]2CuBr4‑nCln中的至少一种，所述0本发明采用二维铜基钙钛矿材料作为吸光层，不仅避免了因为使用有毒重金属铅而对生物和环境造成的危害，而且提高了钙钛矿太阳能电池的稳定性，同时在吸光层制备过程中使用对环境友好的乙醇溶剂，为太阳能电池的发展和应用提供了新的途径
钙钛矿二维铜基太阳能电池吸光层制备电子传输层钙钛矿材料空穴传输层电池结构环境友好吸光材料乙醇溶剂应用提供制备过程重金属铅对电极介孔

[发明专利]钙钛矿光电器件的钒基电极及利用其制备的钙钛矿光电器件-CN202310829253.9在审
发明人：吴绍航;麦耀华;刘冲;刘亮 -专利权人：广东脉络能源科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/83 文献下载
摘要：本申请涉及钙钛矿光电器件的背电极技术领域，尤其是钙钛矿光电器件的钒基电极及利用其制备的钙钛矿光电器件。钙钛矿光电器件的钒基电极，是通过磁控溅射形成于钙钛矿光电器件背面的钒电极或者钒+纯金属/合金复合结构电极；所述钒电极或者钒合金电极适用于含有钙钛矿层的光电器件。本申请使用在钙钛矿光伏器件上制备钒金属或者钒‑铜等多层复合结构，生成一种钒基电极，提升了钙钛矿光伏器件的稳定性，降低了钙钛矿光伏器件的成本，为其大规模量产创造了更多的可能。本申请中的钒基电极制备发明方法简单，原料储存丰富。与现有技术相比，本申请具有方法简单、实用、可产业化等优点。
钙钛矿光电器件电极利用制备

[发明专利]一种防水式铜基钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201610514333.5在审
发明人：李小磊;王金斌;李勃超;张阳;苗莹莹;钟向丽;蒋双泉 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种防水式铜基钙钛矿太阳能电池及其制备方法。电池从下至上由FTO导电玻璃、氧化钛致密层、氧化钛介孔层、甲胺卤化铜基钙钛矿吸光层、碳对电极和疏水防护层组成。其中，甲胺卤化铜基钙钛矿吸光层材料具有三维非层状钙钛矿晶体结构；疏水防护层采用具有疏水性质的聚四氟乙烯材料。本发明采用无毒的二价铜离子取代有毒铅离子制备出甲胺卤化铜作为吸光材料，具有合适的禁带宽度以及在可见光范围较好的光吸收；此外，以聚四氟乙烯作为疏水防护层可以大大提高器件的湿度稳定性。
一种防水式铜基钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种铜基钙钛矿及防伪标志的制备方法-CN202310332802.1在审
发明人：丁宏卫;杨静静;刘学良;靳林;田丰收;夏红军 -专利权人：周口师范学院
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基钙钛矿及防伪标志的制备方法，涉及新型无机发光技术领域，包括以下步骤、步骤一、在水、乙醇、异丙醇中的一种或两种以上的混合物中加入卤化铜和卤化铯、有机酸和有机胺，并施加超声波至固体全部溶解；步骤二、将第一溶液在高温下蒸发结晶，冷却后用洗涤溶剂洗涤3‑5遍，干燥后得到铜基钙钛矿粉末；步骤三、将一定质量的铜基钙钛矿粉末溶于一定体积的混合溶剂中，并加入一定量的水溶性高分子，施加超声波至铜基钙钛矿粉末完全溶解
一种铜基钙钛矿防伪标志制备方法

[发明专利]一种无空穴传输层锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN201910887777.7有效
发明人：尹永琦;刘潇;宋玉玲;汤旭日;王梦琪 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种无空穴传输层锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，本发明涉及锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法领域。本发明要解决采用聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)作为空穴传输层材料制备的锡基钙钛矿太阳能电池存在能级不匹配，导致光电能量转换效率降低的问题。方法：制备绝缘聚合物溶液；将甲脒氢碘酸盐，碘化锡与氟化锡溶于二甲基亚砜中，制成钙钛矿前驱体溶液；将绝缘聚合物溶液旋涂在衬底上；旋涂钙钛矿前驱体溶液；蒸镀碳60薄膜，蒸镀浴铜灵薄膜，蒸镀金属电极。本发明制备的钙钛矿太阳能电池的结构简单，同时保持了较高的光电转换效率，省去昂贵的空穴传输层，降低钙钛矿太阳能电池的成本。本发明用于制备锡基钙钛矿太阳能电池。
一种空穴传输层锡基钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种钛基钙钛矿催化剂、其制备方法及应用-CN202110198048.8在审
发明人：汪远昊;热沙来提·海里里;吴豪;刘光焰;黄振涛 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛基钙钛矿催化剂、其制备方法及应用，属于环境纳米材料光催化技术领域。所述钛基钙钛矿催化剂的制备方法，包括如下步骤：步骤1：按照摩尔比为1:3:4，分别精确称量钙源、铜源和钛源，混合后，研磨至无颗粒，得到第一混合物，然后加入无机盐，继续研磨至无颗粒，得到第二混合物；步骤2：将第二混合物高温煅烧后，再降温，洗涤，离心，烘干，研磨至无颗粒，即得到所述钛基钙钛矿催化剂。本发明还公开了一种钛基钙钛矿催化剂在光催化领域的应用。本发明制备得到的钛基钙钛矿催化剂，既含双缺陷，又含共暴露晶面，为独特的八面体形貌。
一种钛基钙钛矿催化剂制备方法应用

[发明专利]一种铜掺杂红光钙钛矿量子点及其制备方法-CN201910045416.8有效
发明人：屠国力;张继斌 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明属于光电子材料制备技术领域，更具体地，涉及一种铜掺杂红光钙钛矿量子点及其制备方法。本发明以铯盐或甲脒基盐、乙酸铜、溴化铅、碘化铅为原料，以有机酸、有机胺为配体，通过热注入法快速合成稳定、高效、可溶液加工的铜掺杂红光钙钛矿量子点。通过铜掺杂大大提高了红光钙钛矿量子点的稳定性，同时保证了量子点接近90％的高荧光量子效率，该材料随着铜掺杂量的增加吸收波长及对应的荧光发射波长有蓝移现象。所得的红光钙钛矿量子点粉末具有良好的稳定性，在空气湿度大于85％的情况下仍可保存15天以上。本发明制备方法简单，绿色环保，所得红光钙钛矿量子点可应用于发光二极管、光电探测器、激光器、太阳能电池等光电器件中。
一种掺杂红光钙钛矿量子及其制备方法

[发明专利]可逆转化铯铜卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法-CN202011325940.X在审
发明人：严宇辰;汪岳铭;李丹;赵文博;张桥;曹暮寒;陈淑桦 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可逆转化铯铜卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法，混合前驱物溶液与介孔载体，然后在真空条件下于80～100℃加热，得到初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；然后对初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体进行水雾处理，得到转换铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；再进行干燥得到初始铯铜卤素钙钛矿纳米晶体；完成铯铜卤素钙钛矿纳米晶体的可逆转化。本发明实现了蓝色荧光物质与黄色荧光物质之间的多次可控转化，具有识别性非常明显、转化条件简便、转化过程快速、转化循环次数高等优点，为新型无机铜卤钙钛矿的应用研究奠定了基础。
可逆转化卤素钙钛矿纳米晶体及其制备方法

[发明专利]一种甲脒基钙钛矿薄膜、钙钛矿电池组件及其制备方法-CN202110109281.4在审
发明人：黄福志;卜童乐;程一兵 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种甲脒基钙钛矿薄膜、钙钛矿电池组件及其制备方法，所述甲脒基钙钛矿薄膜的制备原料包括甲脒基钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包含钙钛矿组分和高施主数溶剂；将所述甲脒基钙钛矿前驱体溶液进行涂布，经干燥、退火处理后得到甲脒基钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿前驱体溶液中含有高施主数溶剂，所述高施主数溶剂与钙钛矿前驱体溶液中的钙钛矿组分按照特定比例进行组合，能够在成膜过程中形成稳定致密的过渡相晶核，并抑制非活性的黄相甲脒基钙钛矿的生成，有利于提高大面积钙钛矿薄膜的质量，从而提高钙钛矿电池组件的光电转化效率。
一种甲脒基钙钛矿薄膜钙钛矿电池组件及其制备方法

[发明专利]NiO基致密层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201810305871.2在审
发明人：陈炜;熊振中;吴绍航 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种NiO基致密层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙钛矿太阳能电池包括导电基底、NiO基致密层、钙钛矿吸光层、电子传输层、界面修饰层、金属电极；其制备方法如下：将导电基底清洗后干燥；将六水合硝酸镍和三水合硝酸铜溶于有机溶剂，并加入助燃剂，搅拌均匀，即得前驱体溶液；将前驱体溶液以低温喷雾热解法沉积于导电基底，退火处理后即得NiO基致密层；在NiO基致密层上依次制备钙钛矿吸光层、电子传输层、界面修饰层及金属电极。本发明的NiO基致密层可大面积制备，且不需要高温处理，同时均匀致密、导电性好，而采用NiO基致密层制备的钙钛矿太阳能电池的电池器件性能显著提高，且其稳定性也显著改进。
致密层钙钛矿制备太阳能电池导电基电子传输层前驱体溶液界面修饰金属电极吸光层六水合硝酸镍三水合硝酸铜导电性制备钙钛矿低温喷雾电池器件高温处理均匀致密退火处理有机溶剂热解法助燃剂沉积清洗改进

[发明专利]铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件-CN201611249908.1有效
发明人：郑直;路凯;雷岩;齐瑞娟;刘江;杨晓刚;赵超亮;刘松子;宋皓 -专利权人：许昌学院
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得
掺杂钙钛矿薄膜原位制备方法空穴传输太阳能电池器件

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