专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]利用纳玻璃废渣制备纳米玻璃的方法-CN201010521831.5无效
  • 卢金山;彭长浩;董伟;江洪流 - 南昌航空大学
  • 2010-10-28 - 2011-02-16 - C03C10/14
  • 一种利用纳玻璃废渣制备纳米玻璃的方法:1)将纳玻璃废渣分类、研磨及筛分制得玻璃粉;2)加入二氧化硅、氧化钙、氧化铝、氧化、TiO2/P2O5复合晶核剂以及稀土氧化物,使其满足(CAS)玻璃的组分要求;3)将混合均匀的玻璃料装入高铝坩埚中,倒入模具中压制成型;4)将压制好的玻璃板放入马弗炉中进行热处理,热处理后随炉冷却至室温,获得CAS纳米玻璃。本发明的优点是:(1)玻璃的力学性能有了较大的提高;(2)根据玻璃废渣组分构成,调整添加剂使用量,使其达到规定的配方比例,适用于现有各种民用纳玻璃废渣。
  • 利用纳硅钙玻璃废渣制备钙铝硅纳米方法
  • [发明专利]改善单室沉积本征薄膜的制备方法-CN200710150230.6有效
  • 张晓丹;赵颖;熊绍珍;耿新华 - 南开大学
  • 2007-11-19 - 2008-04-09 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种改善单室沉积本征薄膜的制备方法,其是将玻璃衬底放在真空室内;采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层薄膜;采用和沉积P层薄膜相同的沉积方法沉积I层本征薄膜,根据P层薄膜沉积后对的腔室环境,对随后生长的I层本征薄膜进行补偿,达到对随后生长的I层本征薄膜中浓度的有效控制,并控制I层本征薄膜内的浓度在1016这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征薄膜质量的改善,既不增加新的设备改造投资,又避免了交叉污染的难点,同时还有效提高电池效率。
  • 改善沉积征微晶硅薄膜制备方法
  • [发明专利]一种电解锰渣制备的玻璃及其制备方法-CN201810088487.1有效
  • 成昊;叶芬;吴思展;胡松 - 铜仁学院
  • 2018-01-30 - 2020-08-04 - C03C6/10
  • 本发明涉及材料领域,具体而言,涉及一种电解锰渣制备的玻璃及其制备方法。一种电解锰渣制备的玻璃,原料主要包括按重量份数计的以下组分:电解锰渣、磷矿石、花岗岩、硅石灰、粉煤灰、云母、碳、硼砂、菱镁矿、重以及氧化锆。磷矿石、花岗岩、硅石灰、粉煤灰、云母、碳、重、菱镁矿等中的、铝等是玻璃形成物,矿物中富含的稀土元素,对玻璃组份十分有利,并且可以大大降低原料成本,提高化度和缩短化时间,从而提高生产效率。氧化锆中的锆元素能够增加玻璃的耐高温性能、耐磨性能、抗腐蚀性能;氧化锆也作为玻璃成核过程中的成核剂,硼砂中的元素也是一种成核剂。
  • 一种电解锰制备玻璃及其方法
  • [发明专利]异质结太阳能电池片及其制备方法-CN202211309186.X在审
  • 左国军;舒欣 - 常州捷佳创精密机械有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-01-03 - H01L31/0747
  • 本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法,其中,异质结太阳能电池片包括:单晶衬底;在所述单晶衬底正面和背面分别制备本征非薄膜层;N型非掺杂层或N型掺杂层,设置在所述单晶衬底正面的本征非薄膜层顶面;P型掺杂层,位于所述单晶衬底背面的本征非薄膜层底面;透光导电层,分别设置在所述N型非掺杂层或N型掺杂层的顶面和所述P型掺杂层的底面;电极,设置在所述透光导电层的表面上。其中,P型掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基的混合气体沉积而成的层状结构,减少原子对Si‑H键的破坏,提高化率,从而提高了电池转化效率。
  • 异质结太阳能电池及其制备方法

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