专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种速率预测方法、装置和系统-CN201510784259.4有效
  • 马龄彤;朱琳 - 中国移动通信集团公司
  • 2015-11-16 - 2020-02-04 - H04W24/02
  • 本发明公开了一种速率预测方法、装置和系统,能够有效地预先评估用户提升速率后的效果,从而大大提升用户业务体验的满意度。该方法包括:网络侧设备接收终端发送的速率预测请求消息;根据所述速率预测请求消息,确定所述终端的第一参数值和所述终端接入的基站的第二参数值;其中,第一参数值包括:所述终端的信号与干扰加噪声比SINR和服务质量类别标识符QCI,第二参数值包括:所述基站针对各QCI设置的调度权重比和各QCI对应的当前用户数量;根据所述终端的第一参数值和所述基站的第二参数值,以及所述终端的网络类型,确定所述终端的当前速率和可能提升到的速率范围;将所述终端的当前速率和可能提升到的速率范围发送给所述终端。
  • 一种速率预测方法装置系统
  • [发明专利]一种速率预测方法、装置和系统-CN201510784473.X有效
  • 马龄彤;朱琳 - 中国移动通信集团公司
  • 2015-11-16 - 2020-01-17 - H04W24/06
  • 本发明公开了一种速率预测方法、装置和系统,能够有效地预先评估用户提升速率后的效果,从而大大提升用户业务体验的满意度。该方法包括:网络侧设备接收第三方应用平台发送的针对终端的速率预测请求消息;根据速率预测请求消息,确定所述终端的第一参数值和所述终端接入的基站的第二参数值;其中,所述第一参数值包括:所述终端的SINR和QCI,所述第二参数值包括:所述基站针对各QCI设置的调度权重比和各QCI对应的当前用户数量;根据所述终端的第一参数值和所述基站的第二参数值,以及所述终端的网络类型,确定所述终端的当前速率和可能提升到的速率范围;将所述终端的当前速率和可能提升到的速率范围发送给第三方应用平台。
  • 一种速率预测方法装置系统
  • [发明专利]CMP研磨方法-CN201810112566.1有效
  • 林佳佳;张震宇 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2018-02-05 - 2020-04-14 - B24B37/04
  • 本发明公开了一种首先预设两套CMP参数,其研磨后的薄膜表面的特征分为两组;以硅片上直径为X轴,圆心为原点,在X轴上分别采集多个不同位置的两套CMP研磨参数所对应研磨速率A和B,然后分别拟合出速率A和B的一个关于X轴的二次多项式,根据这两个2次多项式的系数拟合出最佳配比;将2套速率的作业时间按所述配比进行分配,即可得出由参数A和B整合出的最平坦速率C。计算当前薄膜的面内差值,然后选用A和B参数中相对的速率进行研磨时间调整;即当薄膜呈凹面时,增加速率为凹线的那套参数的研磨时间;当薄膜呈凸面时,增加速率为凸线的参数研磨时间。
  • cmp研磨方法
  • [发明专利]一种网络调优方法和装置-CN201611109801.7有效
  • 魏浩 - 郑州云海信息技术有限公司
  • 2016-12-06 - 2019-08-02 - H04L12/24
  • 本发明提供了一种网络调优方法和装置,该方法包括:构建至少两组参数组合,实时监测当前网络运行速率;当所述当前网络运行速率低于预设的调优阈值时,计算每一组所述参数组合相对于所述当前网络运行速率的分数;选定分数不低于预设的分数阈值的至少一个参数组合样本;针对每一个所述参数组合样本,执行:利用所述参数组合样本配置网络,并监测所述参数组合样本对应的目标网络运行速率;根据每一个所述目标网络运行速率,在所述至少一个参数组合样本中选定目标参数组合配置所述网络。
  • 一种网络方法装置
  • [发明专利]编码设备及其控制方法-CN201110080887.6有效
  • 小林正明 - 佳能株式会社
  • 2011-03-25 - 2011-09-28 - H04N7/26
  • 在该编码设备用的控制方法中,所述编码设备进行比特率控制,所述控制方法包括以下步骤:获取步骤,用于获取第一量化参数作为对速率控制单位进行量化要使用的量化参数;第一计算步骤,用于根据预设速率和实际编码后的速率控制单位的速率计算评价值;第一设置步骤,用于如果所述评价值在预定范围内,则将通过所述获取步骤获取的第一量化参数设置为对速率控制单位进行量化要使用的量化参数;以及第二设置步骤,用于如果所述评价值不在所述预定范围内,则基于计算出的评价值设置第二量化参数设置作为对速率控制单位进行量化要使用的量化参数
  • 编码设备及其控制方法
  • [发明专利]湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法-CN201610976479.1有效
  • 幸研;张辉;张晋;李源 - 东南大学
  • 2016-10-31 - 2018-09-21 - G06F17/50
  • 本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法,包括获取约束晶面的实验刻蚀速率;建立Q‑RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数;利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率;生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值;判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合,满足则输出最优个体目标参数;不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异,生成下一代种群,进入新一轮循环;将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球模型,输出全晶面刻蚀速率
  • 湿法刻蚀石英晶体少量获取全晶面速率方法
  • [发明专利]化学机械抛光垫的调节的前馈和反馈控制-CN02814767.7无效
  • Y·J·派克 - 应用材料有限公司
  • 2002-06-17 - 2004-10-06 - B24B37/04
  • 一种调节抛光垫的平整表面的方法,设备和介质包括:在具有抛光垫(1080)和调节盘(1030)的化学机械抛光(CMP)设备(100)中安放待抛光晶片;在第一套垫调节参数下抛光该晶片,选择该套参数是为将晶片材料去除速率保持在预选的最小和最大去除速率范围内;确定发生在抛光步骤期间的晶片材料去除速率;计算更新的垫调节参数以将晶片材料去除速率保持在最大和最小去除速率范围内;以及用该更新的垫调节参数调节该抛光垫(1080),其中该更新的垫调节参数用垫磨损和调节模型计算,该模型基于诸如该调节盘的调节向下的力和旋转速度等调节参数预测该抛光垫的该晶片材料去除速率
  • 化学机械抛光调节反馈控制
  • [发明专利]电子设备的速率调整方法、装置及电子设备-CN202211526956.6在审
  • 曹登昊 - 中国农业银行股份有限公司
  • 2022-12-01 - 2023-03-10 - H04W28/22
  • 本公开提供了一种电子设备的速率调整方法、装置及电子设备,该方法包括:检测电子设备在传输质量参数对应的目标参数值;若确定所述目标参数值满足速率切换条件,则获取第一调整策略和第二调整策略,所述第一调整策略和所述第二调整策略是针对所述电子设备的传输速率设置的更新策略;根据所述目标参数值,从所述第一调整策略和所述第二调整策略中选择目标调整策略;利用所述目标调整策略调整所述传输速率,获得目标传输速率;将所述电子设备的传输速率调整为所述目标传输速率。本公开的技术方案提高了速率调整效率。
  • 电子设备速率调整方法装置
  • [发明专利]集控系统-CN202211208659.7在审
  • 曹基宏;曹秀霞;王晓鹏 - 青岛海信日立空调系统有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-04-07 - F24F11/54
  • 本发明公开了一种集控系统,包括:主控单元,其用于执行集控功能;无线通讯单元,其通过UART通讯接口与所述主控单元通信连接,负责连接入网;主控单元被配置为:禁止无线通讯工作;基于集控系统的当前业务类型识别所需速率,配置主控单元的UART通讯接口的第一速率参数;向无线通讯单元发送切换速率信号;使无线通讯单元重启;无线通讯单元被配置为:在接收到切换速率信号后,配置无线通讯单元的UART通讯接口的第二速率参数,完成主控单元和无线通讯单元之间高低速率的切换;第二速率参数与第一速率参数对应匹配。本发明能够匹配业务类型的速率进行高低速率切换,提高通讯效率及集控系统在多场景下的使用灵活性。
  • 系统
  • [发明专利]腔室温度控制方法和装置-CN202111433294.3有效
  • 杜青;商家强 - 西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-03-14 - G05D23/20
  • 本发明实施例提供了一种腔室温度控制方法和装置,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:获取工艺腔室的工艺配方中当前工艺步的第一温控目标,获取第一温控目标对应的温控配置参数,从第一温控参数和第二温控参数中确定符合工艺腔室的响应速率需求的目标温控参数,向控制器发送目标温控参数和第一温控目标,使控制器基于目标温控参数和第一温控目标控制加热器对工艺腔室进行加热。温控配置参数中同时包括响应速率较快和较慢的温控参数,可以根据工艺腔室的响应速率需求,选择与工艺腔室的响应速率需求匹配的温控参数,并向控制器发送匹配的温控参数,使控制器可以根据与响应速率需求匹配的温控参数对工艺腔室内的温度进行更准确的控制
  • 温度控制方法装置

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