专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种太阳电池及其制备方法-CN202310294495.2在审
  • 陆海川 - 通威太阳能(成都)有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-08-01 - H01L31/0224
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域;太阳电池包括电池基体,电池基体的至少一表面具有透明导电氧化透明导电氧化上附着有结合,结合具有孔洞,结合上设置有金属电极,金属电极的靠近结合的一侧穿过孔洞与透明导电氧化连接;可以使金属电极的靠近结合的一侧具有凸起,该凸起穿过孔洞,凸起的周向与孔洞的孔壁紧密接触,同时穿过孔洞的凸起与透明导电氧化连接,从而使透明导电氧化金属电极结合力增大,提升了金属电极和透明导电氧化附着效果,改善了金属电极和透明导电氧化间的附着性,且不影响金属电极对电流的引出。
  • 一种太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201310359009.7有效
  • 户谷真悟;出口将士 - 丰田合成株式会社
  • 2013-08-16 - 2017-04-12 - H01L33/42
  • 制造半导体发光元件的方法包括如下步骤在衬底的主表面上形成由第III族氮化基化合半导体构成的半导体;在半导体上形成透明导电金属氧化膜;在透明导电金属氧化膜上方形成电极;形成用于覆盖透明导电金属氧化膜的一部分的掩模;以及在含氧气氛中对其上形成有掩模透明导电金属氧化膜进行热处理;其中,在热处理步骤中,使透明导电金属氧化膜的未被掩模覆盖的剩余部分的氧浓度高于透明导电金属氧化膜的被掩模覆盖的部分的氧浓度。
  • 半导体发光元件及其制造方法
  • [发明专利]透明电极衬底和光电转换元件-CN201110103324.4无效
  • 永田佳秀;关根昌章;高木裕登 - 索尼公司
  • 2011-04-18 - 2011-12-21 - H01G9/04
  • 本发明公开了一种透明电极衬底和光电转换元件。透明电极衬底包括:具有透光性的衬底;基底层,其层叠在衬底上,并且包括形成有格子状沟槽的表面;格子状金属布线,其通过将金属材料包埋到沟槽中来形成;导电氧化,其层叠在基底层上,使得导电氧化金属布线电连接,导电氧化由具有第一电阻率的第一透明导电氧化形成;以及无机保护,其层叠在导电氧化上并由第二透明导电氧化形成,第二透明导电氧化具有耐酸性和大于第一电阻率的第二电阻。
  • 透明电极衬底光电转换元件
  • [发明专利]透明导电性膜-CN202280011091.1在审
  • 长原一平;河野文彦 - 日东电工株式会社
  • 2022-02-04 - 2023-09-12 - H01B5/14
  • 本发明提供弯曲性及透明性两者均优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜依次具备第一透明导电、基材及第二透明导电,所述第一透明导电包含金属纳米丝,所述第二透明导电金属氧化构成。在一个实施方式中,构成上述第二透明导电金属氧化为铟‑锡复合氧化
  • 透明导电性
  • [发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法-CN201210276247.7有效
  • 周建萍 - 上海电力学院
  • 2012-08-06 - 2012-11-14 - H01L51/44
  • 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法。所述的透明导电薄膜为层状结构,包括衬底、第一氧化、第二氧化金属,还包括抑制,所述的抑制直接插在金属氧化之间。本发明的透明导电薄膜中,通过插入抑制使氧化金属界面处形成抑制金属中原子向氧化扩散的半导体薄层。在较强受热情况下,金属薄膜中的原子因抑制薄层存在使得金属原子仍很好限制金属中,达到强透明导电薄膜的热稳定性。
  • 一种透明导电薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种制备透明导电膜的方法-CN201610167499.4有效
  • 谢鹏;尹灵峰;韩涛;王江波 - 华灿光电股份有限公司
  • 2016-03-23 - 2018-10-09 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种制备透明导电膜的方法,属于光电材料制备技术领域。所述方法包括:对基底依次进行超声清洗、冲洗干净、甩干、烘干;在所述基底上交替形成陶瓷氧化金属;对所述陶瓷氧化和所述金属进行退火处理,所述金属渗入所述陶瓷氧化形成透明导电膜。本发明通过在基底上交替形成陶瓷氧化金属,并对陶瓷氧化金属进行退火处理,金属渗入陶瓷氧化形成透明导电膜,金属和陶瓷氧化薄膜在氧气环境中经过高温退火会相互作用,金属原子会扩散到陶瓷氧化薄膜中,从而使陶瓷氧化薄膜的带隙增加,进而透过率随之明显增加,电阻率随之大幅度降低,大大提升了透明导电膜的性能,适合大规模生产。
  • 一种制备透明导电方法
  • [实用新型]薄膜太阳能电池用导电玻璃-CN201120058768.6有效
  • 林金锡;林金汉;林于庭;林鹏 - 常州亚玛顿股份有限公司
  • 2011-03-09 - 2012-01-25 - H01L31/0224
  • 本实用新型涉及一种新型高性能导电玻璃,特别涉及一种薄膜太阳能电池用导电玻璃,属于光电新材料领域,尤其适用于太阳能材料领域。本实用新型包括有玻璃基材(1)和透明导电膜(5),透明导电膜(5)包括有金属氧化导电(2)和第二金属氧化导电(4),在金属氧化导电(2)和第二金属氧化导电(4)之间夹置有金属(3),金属氧化导电(2)、金属(3)和第二金属氧化导电(4)依次设置在玻璃基材(1)的一侧表面上。本实用新型好处是:(1)具有优良导电性、散射度和可见光透过率以及透明导电膜膜稳定性。通过对透明导电膜膜结构的创新,实现了多层复合膜的优化组合;(2)性价比高,使用成本低。
  • 薄膜太阳能电池导电玻璃
  • [发明专利]一种透明导电薄膜-CN201310642530.1有效
  • 喻志农;李旭远;张世玉;蒋玉蓉;薛唯 - 北京理工大学
  • 2013-12-03 - 2014-02-19 - H01L29/43
  • 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理,提出一种氧化-金属-氧化三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化采用铟镓锌氧化(IGZO)和锰氧化复合金属采用金属铜(Cu);锰氧化金属和铟镓锌氧化之间,增加铜和铟镓锌氧化的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时,透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源形成接触电阻低的欧姆接触,并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。
  • 一种透明导电薄膜
  • [发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202210150822.2在审
  • 薛朝伟;孙士洋;张洋;魏俊喆;魏超锋;方亮;曲铭浩;徐希翔 - 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2022-02-18 - 2023-08-29 - H01L31/18
  • 本发明提供一种太阳能电池的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:在透明导电氧化上制备第一金属氧化,所述第一金属氧化具有纳米多孔阵列结构;刻蚀所述第一金属氧化透明导电氧化,并在所述透明导电氧化上形成多个纳米孔本发明还提供一种太阳能电池,所述太阳能电池包括透明导电氧化和电极,其中所述透明导电氧化包括多个纳米孔,所述电极嵌入所述纳米孔中。和现有技术相比,本发明将电极植根于透明导电氧化中,机械绑定效果更好,可有效增强电极的附着力,且导电性更好;不会损害太阳能电池的器件性能,且本发明的方法可实现纳米孔尺寸在500nm以内可调。
  • 一种太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种复合透明导电薄膜及其制备方法-CN201710515366.6有效
  • 兰林锋;彭俊彪;李育智 - 华南理工大学
  • 2017-06-29 - 2019-11-29 - H01B13/00
  • 本发明公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法,复合透明导电薄膜由透明氧化和薄金属堆叠构成,其中薄金属层位于透明氧化之下,薄金属的厚度为3~30nm,薄金属透明状态,薄金属中存在纳米孔;具体制备方法是:步骤(1),制备薄金属;步骤(2),制备透明氧化并形成所需图案,经退火处理后放入液体中将未被透明氧化覆盖的薄金属除去,而透明氧化及被其所覆盖的薄金属则保存下来,实现复合透明导电薄膜的图案化图案化过程无需掩膜光刻,所制备的复合导电薄膜电阻率良好,电学稳定性好,具有一定的光学透过性,并且耐高温,抗氧化和抗侵蚀。
  • 一种复合透明导电薄膜及其制备方法

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