专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种建筑设计用弯沉检测装置-CN202222456475.4有效
  • 周再清 - 周再清
  • 2022-09-16 - 2023-01-10 - G01N3/303
  • 本实用新型公开了一种建筑设计用弯沉检测装置,包括后杠杆和前杠杆,前杠杆远离后杠杆一端下底垂直固定连接测压杆,测压杆的底端安装第一万向轮,后杠杆的下方设置安装座,安装座的底端对称固定连接两个支撑柱,在原贝克曼弯沉仪支承座以及测头的底端安装万向轮,使得三个万向轮呈等腰三角形状分布,并通过这三个万向轮能够移动整个贝克曼弯沉仪,且在测头伸入到火车两相邻轮胎之间时,也能够方便通过万向轮微调测头的位置,方便检测过程顺利进行,在原贝克曼弯沉仪支撑座的下方安装一个能够上下升降的固定板,通过固定板下降与地面接触,以达到提高原贝克曼弯沉仪整体摆放稳定性的目的,从而进一步方便检测过程顺利进行。
  • 一种建筑设计用弯沉检测装置
  • [发明专利]测量半导体材料无序度的方法-CN201510227994.5有效
  • 卢年端;李泠;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2015-05-07 - 2018-02-09 - G01N25/00
  • 一种测量半导体材料无序度的方法,包括步骤1,测量半导体材料的赛贝克系数;步骤2,基于半导体材料的无序性特征,选择一种状态密度函数;步骤3,通过渗流理论计算在选定状态密度函数下半导体材料的赛贝克系数值;步骤依照本发明的测量无序度的方法,基于材料变温下的赛贝克系数的值及载流子的跃迁理论,通过理论与实验相结合的方法探测半导体材料的无序性参数,获得的无序性参数为分析半导体材料的微观物理机制提供理论指导,提取的无序性参数可以直接用于分析半导体材料的电介质特性
  • 测量半导体材料无序方法
  • [发明专利]测量有机半导体状态密度的方法-CN201510228253.9有效
  • 卢年端;李泠;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2015-05-07 - 2018-02-13 - G01R27/00
  • 一种测量有机半导体材料状态密度的方法,包括步骤1,测量有机半导体材料的赛贝克系数;步骤2,基于有机半导体材料的特征,选择一种状态密度函数;步骤3,通过渗流理论计算有机半导体材料的赛贝克系数值;步骤4,提取材料的状态密度宽度依照本发明的测量有机半导体状态密度的方法,基于材料变温下的赛贝克系数的值及载流子的跃迁理论,通过理论与实验相结合的方法探测有机半导体材料的状态密度,为分析有机半导体材料的微观物理机制提供理论指导,可以直接用于分析有机半导体材料的载流子输运特性
  • 测量有机半导体状态密度方法
  • [发明专利]一种周期有序的磁性纳米线阵列的快速沉积方法-CN201811187585.7有效
  • 王杰;俞正民 - 聊城大学
  • 2018-10-12 - 2020-11-13 - B81C1/00
  • 本发明涉及一种周期有序的磁性纳米线阵列的快速沉积方法,该快速沉积方法是采用海尔贝克阵列磁体诱导在基片表面快速沉积磁性纳米线有序阵列。该制备方法包括将磁性纳米线分散在溶剂中,基片的面紧贴于海尔贝克阵列磁体磁性面,将一定量的磁性纳米线溶液与基片另一面相接触,在基片表面快速沉积并定向排列磁性纳米线阵列,回收溶剂,制备表面具有周期性磁性纳米线阵列的基片等步骤本发明,利用海尔贝克阵列的强磁场吸引力使磁性纳米线与溶剂分离并定向排列,实现了磁性纳米阵列的快速组装,以及溶剂的回收利用,减少环境污染,促进光电子器件和信息工程的发展。
  • 一种周期有序磁性纳米阵列快速沉积方法

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