“薄膜晶体管阵列层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5999398个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201811026736.0在审
发明人：刘文渠;张锋;姚琪;吕志军;董立文;党宁;张世政;崔钊;宋晓欣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管阵列基板，包括位于衬底基板上、阵列排布的多个薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的平坦层，所述薄膜晶体管的有源层和所述平坦层之间设置有遮光层，所述遮光层覆盖所述薄膜晶体管阵列基板的全部显示区域本发明的技术方案能够保证薄膜晶体管阵列基板的产品性能。
薄膜晶体管阵列基板薄膜晶体管显示装置平坦层遮光层产品性能衬底基板显示区域阵列排布源层覆盖制作保证

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板-CN202010299660.X在审
发明人：李勃;张明福;俞凤至;纪卢芳月;汪建平 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板。阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管为顶栅型晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。可以在一道mask中同时形成第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极，从而可以减少制作薄膜晶体管混合型的阵列基板时所需要的工艺流程，进而降低了制作阵列基板的生产成本。另外，第二薄膜晶体管的栅极设置于第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上，从而可以节省第二薄膜晶体管的缓冲层，进一步地减少制作薄膜晶体管混合型的阵列基板时所需要的工艺流程，进而降低了制作阵列基板的生产成本。
阵列制作方法以及显示面板

[发明专利]一种阵列基板以及制作方法-CN201710153697.X在审
发明人：林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法，所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方；第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区，第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题，提高了显示面板的电学性能和稳定性。
一种阵列以及制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的缺陷检测方法-CN201880095931.0在审
发明人：倪奎;林茂仲;陈羿恺 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板的缺陷检测方法，包括如下步骤：提供待检测的薄膜晶体管阵列基板，所述待检测的薄膜晶体管阵列基板包括基底、设置在所述基底上的薄膜晶体管阵列层(S101)；在所述薄膜晶体管阵列层背朝所述基底的侧面形成包含有示踪物的膜层(S103)；去除覆盖在所述薄膜晶体管阵列层的裸露面上的所述膜层(S105)；采用辐射源照射所述薄膜晶体管阵列层背朝所述基底的一侧，并通过光电传感器获取感测信号(S107)；以及根据所述感测信号，判断薄膜晶体管阵列层是否存在缺陷本申请薄膜晶体管阵列基板的缺陷检测方法，不仅提高了检测有效率，且较低了质量安全风险。
薄膜晶体管阵列缺陷检测方法

[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法-CN201711241891.X有效
发明人：楼均辉;吴天一;符鞠建 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明描述了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法。阵列基板包括像素驱动电路和外围驱动电路。阵列基板还包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括电连接于外围驱动电路中且用于输出扫描信号的第一薄膜晶体管和电连接于外围驱动电路中且用于输出扫描信号的第二薄膜晶体管。薄膜晶体管包括至少一层氧化物半导体有源层。第一薄膜晶体管的有源层的层数多于第二薄膜晶体管的有源层的层数，第一薄膜晶体管的有源层的厚度大于第二薄膜晶体管的有源层的厚度。且第二薄膜晶体管中的各有源层均与第二薄膜晶体管中的有源层同层。通过本发明可以使不同的区域中的薄膜晶体管具有不同的特性，以满足不同区域的电路对薄膜晶体管的不同特性需求。
一种阵列显示面板显示装置制造方法

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板-CN202110822871.1有效
发明人：蒙艳红 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的薄膜晶体管层，衬底基板具有显示区和位于显示区一侧的边框区。薄膜晶体管层包括位于边框区的第一薄膜晶体管，以及位于显示区的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极电连接，第一薄膜晶体管的源极和漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。通过使第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置，第一薄膜晶体管的源漏极与第二薄膜晶体管的栅极时可通过一道光罩制程形成，由此简化了阵列基板的制作过程，降低了制作成本。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201710389344.X有效
发明人：邢磊 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板中开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极，有源层均设置于基底上，开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于驱动薄膜晶体管的有源层的厚度；开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层，设置于有源层和裸露的基底上；开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极设置于平坦化栅绝缘层上。本发明工艺简单，可以提高阵列基板的制作效率。
一种阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN200410008526.0有效
发明人：郑国兴;赖文贵 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、扫描配线、数据配线、薄膜晶体管、栅介电层、保护层以及图案化的平坦层。其中，薄膜晶体管阵列基板在配置框胶处的表面粗糙度大于薄膜晶体管阵列基板其它部分的表面粗糙度，以便于增加框胶与薄膜晶体管阵列基板间的接触面积，进而提高其间的附着力，以避免发生前基板与薄膜晶体管阵列基板分离的问题
薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201610665990.X在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，以在薄膜晶体管受到光照时，避免薄膜晶体管的漏电流增加，从而提高薄膜晶体管的稳定性。该薄膜晶体管中设有遮光层，遮光层用于遮挡薄膜晶体管中被栅极层反射到有源层的光线；遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极层与栅极绝缘层之间；或，遮光层位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层内。上述阵列基板包括上述技术方案所提的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管用于显示装置中。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]发光基板、背光模组及显示面板-CN201911038638.3在审
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请提供一种发光基板、背光模组及显示面板，所述发光基板包括：阵列基板、发光元件和遮光单元，所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于驱动发光元件发光的薄膜晶体管；所述发光元件设置在所述阵列基板上，且与所述薄膜晶体管电性连接；所述遮光单元与所述薄膜晶体管的有源层对应设置，所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层于所述阵列基板所在平面的正投影。本申请通过将遮光单元与有源层对应设置，以遮光单元来遮蔽射向有源层的光线，从而提高了薄膜晶体管器件的性能。
遮光单元阵列基板薄膜晶体管源层发光元件薄膜晶体管阵列层发光基板所在平面正投影薄膜晶体管器件背光模组电性连接显示面板遮蔽申请发光驱动覆盖

[发明专利]有源式有机电致发光器件背板及其制作方法-CN201310410909.X有效
发明人：徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有源式有机电致发光器件背板及其制作方法，所述器件背板包括：基板（20）、设置在基板（20）上的数个有源薄膜晶体管像素阵列及设置在有源薄膜晶体管像素阵列上的有机平坦层（228）、有机电致发光电极（229）、像素定义层（25）及支撑体（28），每一有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜晶体管（22）及开关薄膜晶体管（24），驱动薄膜晶体管（22）的栅极绝缘层（220）的厚度大于开关薄膜晶体管（24）的栅极绝缘层（240）的厚度，通过加厚驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层，以降低驱动薄膜晶体管的栅极电容，进而增大驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，可以很好的定义灰阶，同时保持开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度不变，使开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅保持较小
有源有机电致发光器件背板及其制作方法

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN201510386024.X有效
发明人：文亮 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，所述阵列基板包括多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管包括多晶硅层、栅极，以及位于所述多晶硅层和栅极之间的绝缘层，其中，所述N型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层，与所述P型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层厚度不同。所述制作方法包括在多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管的多晶硅层和栅极之间形成绝缘层，其中所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的绝缘层厚度不同，以实现减少阵列基板功耗，提高器件稳定性的效果。
一种阵列及其制作方法

[发明专利]背光模组及其制作方法、显示终端-CN202010528578.X有效
发明人：黄远科;刘文波 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本揭示提供一种背光模组及其制作方法、显示终端，背光模组包括基板、薄膜晶体管阵列层、发光元件以及保护层，薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极以及漏极，发光元件设置于薄膜晶体管阵列层远离基板的一侧上，保护层设置于薄膜晶体管阵列层远离基板的一侧上，有源层在基板上的正投影区域位于保护层在基板上的正投影区域内，遮光保护层的材料包括抗眩光材料，抗眩光材料内含有无机纳米粒子，用于对发光元件射向有源层的光线产生漫反射的作用，并提高遮光保护层的硬度，以此在防止薄膜晶体管阵列层内部薄膜晶体管器件损伤的同时，还可以阻挡发光元件发出的光线照射至有源层，保证薄膜晶体管的性能和稳定性。
背光模组及其制作方法显示终端

[发明专利]OLED显示装置的阵列基板及其制造方法-CN201610630351.X在审
发明人：石龙强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED显示装置的阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域，能够使不同功能的薄膜晶体管具备各自所需的电学特性。该阵列基板由下至上依次包括衬底基板、半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层阵列基板上形成有多个驱动单元，每个驱动单元中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源沟道层位于半导体层；第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的源极和漏极位于第一金属层；第二薄膜晶体管的栅极、第一薄膜晶体管的源极和漏极位于第二金属层，且第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的漏极连接。
oled 显示装置阵列及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置-CN202310791323.6在审
发明人：杨静;张慧娟;盖人荣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括：基板，第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层位于所述基板的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；聚合物隔层，所述聚合物隔层位于所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧；第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管位于所述聚合物隔层远离所述第一薄膜晶体管层的一侧，所述第一薄膜晶体管层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管；其中，至少一个所述第一薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极通过贯穿所述聚合物隔层的通孔电连接。
阵列及其制备方法显示面板显示装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条