“膜厚”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1007312个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]双层瓷片厚膜无感功率电阻-CN201620349502.X有效
发明人：魏庄子;艾小军;仉增维 -专利权人：深圳意杰（EBG）电子有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层瓷片厚膜无感功率电阻，该电阻包括电阻外壳、第一厚膜平面瓷芯片和第二厚膜平面瓷芯片；第一厚膜平面瓷芯片固定在电阻外壳的底端上，且两者围合成一腔体，第二厚膜平面瓷芯片置于该腔体内且焊接在第一厚膜平面瓷芯片的第一介质层上；第一厚膜平面瓷芯片与第二厚膜平面瓷芯片焊接后两者形成并联结构。本实用新型将第一厚膜平面瓷芯片和第二厚膜平面瓷芯片通过焊接后两者形成并联结构，该并联结构实现了该电阻芯片的双层瓷芯片结构，进而使得电阻膜层面积增加了一倍，因此在额定功率不变的前提下，极大地提高了电阻的耐脉冲能力
双层瓷片厚膜无感功率电阻

[发明专利]一种厚膜集成电路的超声焊接装置-CN202210157605.6在审
发明人：张祥 -专利权人：张祥
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜集成电路的超声焊接装置，属于超声焊接技术领域，现有的技术对厚膜集成电路进行超声焊接时，大多通过人工将待焊接的厚膜集成电路板及厚膜集成电路板芯片放置在模具盒内，由于人工操作较为繁琐，导致厚膜集成电路的超声焊接较为麻烦，包括机座，机座的一面固定安装有连接部，连接部的表面滑动安装有超声焊枪；通过驱动推料板移动，推料板使厚膜集成电路板及厚膜集成电路板芯片分别通过第一进料槽和第二进料槽进入料盒内，从而方便的实现了厚膜集成电路板及厚膜集成电路板芯片的自动进料，进而有效的提高了焊接厚膜集成电路的便捷性以及避免了传统的人工放置而导致厚膜集成电路的焊接效率低下。
一种集成电路超声焊接装置

[发明专利]一种岩性密度长源距数据采集处理厚膜电路-CN200910024362.3有效
发明人：张旻;陈刚;王明栋;王龙飞;周生辉;阿政林 -专利权人：西安威尔罗根能源科技有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种长源距信号处理厚膜电路。目前使用的长源距信号处理电路多为分立元件构成，往往一组器件损坏，维修起来相对困难。本发明的长源距信号处理厚膜电路形状为长方形厚膜块，包括20个针状插脚，分2排排列在厚膜电路两侧，内置长源距信号处理电路，其中长源距信号输入端为厚膜的1脚，可变电阻R4一端接地，另一端与滑动端接厚膜的20脚，可变电阻R9一端与滑动端接厚膜的4脚，可变电阻R9另一端接10脚，厚膜的14、19脚接+15V电源，厚膜的3、12脚接-15V电源，厚膜的13脚为长源距信号的OUT输出端。本发明封装后的厚膜电路温度漂移相对低，容易维修，在实际使用中对信号的调试更加适合。
一种密度长源距数据采集处理电路

[实用新型]一种镀介质高反膜的光学镜片-CN202222692115.4有效
发明人：高原;李金美;帅江波;李春菊 -专利权人：昆明勋凯瑞光学仪器有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种镀介质高反膜的光学镜片，其特征在于：沿本体左侧由内向外依次镀有第一膜层为厚100‑200nm的三氧化二铝，第二膜层为厚100‑150nm的二氧化硅，第三膜层为厚50‑100nm的二氧化钛，第四膜层为厚20‑100nm的三氧化二铝，第五膜层为厚50‑100nm的二氧化硅，第六膜层为厚20‑100nm的二氧化钛，第七膜层为厚200‑300nm的氟化镁，第八膜层为厚50‑100nm的二氧化硅，第九膜层为厚20‑100nm的二氧化钛，第十膜层为厚50‑100nm的二氧化硅，第十一膜层为厚20‑60nm的二氧化钛，第十二膜层为厚20‑100nm的二氧化硅，镀膜后反射率高于98%。
一种介质高反膜光学镜片

[发明专利]一种膜厚传感器-CN201410479802.5有效
发明人：肖昂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种膜厚传感器，属于蒸镀领域，以使Mg材料易于附着在膜厚传感器上，从而避免Mg材料的浪费。所述膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。本发明可用于膜厚传感器的生产中。
一种传感器

[发明专利]膜形成装置及膜形成方法-CN201510450812.0有效
发明人：冈本裕司 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种无需进行膜形成后的基板表面的图像分析即可去除卫星液滴的膜形成装置。从与保持于载物台的基板对置的喷嘴头朝向基板吐出经液滴化的膜材料。存储装置存储待形成膜的图像数据及膜厚补正信息。控制装置根据图像数据控制喷嘴头及移动机构，由此在基板上形成膜。数据通过输入装置输入到控制装置。若从输入装置输入有膜厚指令值，则控制装置根据膜厚补正信息来补正膜厚指令值，由此计算比膜厚指令值厚的膜厚目标值，并且控制装置控制喷嘴头及移动机构以形成相当于膜厚目标值厚度的膜。
形成装置方法

[发明专利]复合铜厚基板及基板的制作方法-CN202210162071.6有效
发明人：张志强;赵俊;王东府 -专利权人：深圳市八达通电路科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合铜厚基板制作方法，所述方法包括步骤：提供一基板；对所述基板沉铜至35um铜厚；在形成有35um铜厚的基板上通过具有薄铜线路图案的第一干膜刻蚀并退膜形成35um铜厚的薄铜线路；在形成有薄铜线路的基板上填充湿膜，所述湿膜的厚度h1＞35um；在所述湿膜上图形转移形成第一厚铜线路图案；在形成有第一厚铜线路图案的基板上压合第二干膜；在所述第二干膜上图形转移形成第二厚铜线路图案；在形成有第二厚铜线路图案的基板上压合第三干膜；在所述第三干膜上图形转移形成第三厚铜线路图案；根据所述第三厚铜线路图案在所述基板上电镀铜至105um铜厚，以形成105um铜厚的厚铜线路，从而获得高精度、高质量的复合铜厚基板。
复合铜厚基板制作方法

[发明专利]一种膜厚测量方法及装置、涂覆机-CN201410184440.7在审
发明人：肖宇;袁剑峰;吴洪江;董明;冯贺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及成膜技术领域，公开了一种膜厚测量方法及装置、涂覆机。在涂覆机上设置膜厚测量装置，所述膜厚测量装置通过获取光线经过测试基板上的湿膜后的识别参数检测值，来测量形成的湿膜厚度，由于湿膜厚度对应干燥后的膜厚变化量是一定的，通过测量湿膜的厚度即可快速得到干燥后的膜厚，缩短了测量干燥后的膜厚所需的工艺时间，且在测试基板上形成湿膜所需的物料很少，不会造成大量物料的浪费。
一种测量方法装置涂覆机

[发明专利]一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备-CN202110895311.9在审
发明人：王成鑫;王同庆;田芳馨;侯映红;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中，方法包括：获取膜厚测量装置距金属薄膜的距离和金属薄膜的材质；根据所述距离和材质，确定相应的标定曲线，所述标定曲线用于表征膜厚测量装置的输出信号与膜厚之间的映射关系；实时获取所述膜厚测量装置的输出信号；根据所述标定曲线和所述输出信号，得到当前的金属薄膜的膜厚。
一种测量方法化学机械抛光设备

[发明专利]研磨装置、研磨方法及输出基板的膜厚分布的可视化信息的方法-CN202210035363.3在审
发明人：涩江宏明;高桥太郎;宫川俊树 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：提供一种能够获取正确的膜厚分布信息的研磨装置、研磨方法及输出基板的膜厚分布的可视化信息的方法。该研磨装置具备研磨台(3)、多个膜厚传感器(60)以及控制装置(9)。控制装置(9)基于测定出的膜厚信息来确定基板的切口位置，并且对基板的膜厚分布信息进行解析而输出以切口位置为基准位置的膜厚分布的可视化信息。
研磨装置方法输出分布可视化信息

[实用新型]一种易撕取的胶带-CN202223102434.1有效
发明人：刘苏同 -专利权人：江苏帝摩斯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本实用新型目的是要提供一种易撕取的胶带，解决了胶带容易撕取的问题，包括底膜、第一厚膜和第二厚膜，在所述底膜表面上设置有所述第一厚膜和所述第二厚膜，所述第一厚膜和所述第二厚膜相接触地设置在所述底膜上，同一所述胶带同时设置在所述第一厚膜和所述第二厚膜的表面，所述胶带包括离型膜和胶，所述离型膜和所述胶贴合在一起，所述离型膜顺着所述胶的长度方向延长形成撕手，由于在底膜和胶带之间加了第一厚度膜和第二厚度膜，并且第一厚度膜和第二厚度膜相接触，因此在撕取胶带时之前，就可以去掉第一度膜或第二度膜，这时胶带悬空在外，就容易撕取，所以解决了胶带容易撕取的问题。
一种易撕取胶带

[发明专利]提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法-CN201310561925.9有效
发明人：张翔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，包括：步骤1、在基板（10）上形成非晶硅层（30）；步骤2、将非晶硅层（30）划分为数个区域，测量非晶硅层（30）各区域的膜厚；步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较，对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域（42），并进行标示；步骤4、对膜厚偏厚区域（42）的非晶硅层（30）喷洒蚀刻液进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域（42）处的部分非晶硅层（30），同时对其它区域喷洒纯水进行清洗，进而使得非晶硅层（30’）各区域的膜厚趋于一致；步骤5、对清洗后的非晶硅层（30’）进行激光退火处理，以使非晶硅层（30’）结晶形成多晶硅层（60）。
提升多晶均一制作方法

[实用新型]内部埋置无源元件的微波组件基板结构-CN201720104629.X有效
发明人：何涛 -专利权人：成都杰联祺业电子有限责任公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构，包括低温共烧玻璃陶瓷基层、Ag‑Pd系厚膜导体层、BaTiO3系厚膜电容、RuO2系厚膜电阻和Ag‑Pd系厚膜导体电感，所述低温共烧玻璃陶瓷基层嵌入两所述Ag‑Pd系厚膜导体层之间，所述低温共烧玻璃陶瓷基层至少为三层，同层的所述低温共烧玻璃陶瓷基层之间存在间隔，所述间隔处通过设置Ag‑Pd系厚膜导体层将上下层级的Ag‑Pd系厚膜导体层联通，所述BaTiO3系厚膜电容、RuO2系厚膜电阻和Ag‑Pd系厚膜导体电感分别嵌入所述Ag‑Pd系厚膜导体层内。
内部无源元件微波组件板结

[实用新型]一种厚膜加热电器-CN202022246341.0有效
发明人：胡旭 -专利权人：深圳瑞森特电子科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： A47J27/21 文献下载
摘要：本申请公开一种厚膜加热电器。壶体包括壶壁和壶底，壶底背向壶壁的一侧设有凹槽；厚膜加热组件包括加热厚膜，加热厚膜放置并固定于凹槽内，所述加热厚膜包括依次层叠设置的绝缘层、发热线圈和封装层，绝缘层直接设置于凹槽的槽底。基于此，本申请能够改善热传导效果，降低操作人员操作底基材与壶底的对位精度，有利于厚膜加热组件与壶体的装配，并且减少厚膜加热组件外凸于壶底的尺寸。
一种加热电器

[发明专利]膜厚测定装置以及膜厚测定方法-CN200980111320.1无效
发明人：山田健夫;山本猛;山仓崇宽;林真治;河合慎吾 -专利权人：株式会社尼利可
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种膜厚测定装置以及膜厚测定方法，膜厚测定装置具有光源(101)、分光传感器(109)、处理器(120)、和存储装置(130)，使来自上述光源的光垂直地入射到具有膜的测定对象面(501)，被测定对象面反射的光入射到上述分光传感器上述存储装置存储每种膜厚的反射率分布的理论值和每种膜厚的颜色特性变量的理论值，上述处理器使用存储于上述存储装置中的每种膜厚的反射率分布的理论值或每种膜厚的颜色特性变量的理论值，根据上述分光传感器所测定的反射率分布，求出测定对象面的膜的膜厚。
测定装置以及方法