专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种锅炉受热磨损和腐蚀检测方法-CN202310090046.6在审
  • 刘文斌;吴志军;李中仕;郭庆贞;宋永斌;惠亮 - 华能济宁运河发电有限公司
  • 2023-02-02 - 2023-05-09 - G01N17/00
  • 本发明公开了一种锅炉受热磨损和腐蚀检测方法,涉及锅炉磨损和腐蚀检测技术领域,确定锅炉受热腐蚀类型,根据受热腐蚀类型确定腐蚀基数,获取受热温度参数,基于腐蚀基数和受热温度参数得到受热腐蚀量;基于受热腐蚀量得到初始管壁腐蚀量,获取初始管壁温度和管壁氧化皮厚度,基于管壁氧化皮厚度修正初始管壁温度得到管壁温度,基于管壁温度修正初始管壁腐蚀量得到管壁腐蚀量;获取锅炉受热磨损影响参数,受热影响参数包括受热腐蚀量和管壁腐蚀量,基于受热磨损影响参数建立受热磨损量数组,根据受热磨损量数组得到受热磨损量。
  • 一种锅炉受热磨损腐蚀检测方法
  • [发明专利]硅的腐蚀深度实时监控方法-CN201010232641.1无效
  • 严远;张大成;王玮;杨芳;李婷;王颖;罗葵;田大宇 - 北京大学
  • 2010-07-16 - 2010-12-22 - C23F1/02
  • 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法,属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀,所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽,位于腐蚀凹槽底面的腐蚀,和位于腐蚀凹槽侧面的监控,所述腐蚀和监控面的晶向相同,所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液,腐蚀液浸没所述腐蚀,所述监控,以及所述监控和所述表面相交的监控线,在腐蚀过程中或腐蚀过程后,通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。
  • 腐蚀深度实时监控方法
  • [实用新型]一种PCB板震动腐蚀-CN202220348656.2有效
  • 郑园诚;李东洋;章养升 - 临安诚成电子有限公司
  • 2022-02-21 - 2022-08-23 - H05K3/06
  • 本实用新型公开了一种PCB板震动腐蚀机,涉及PCB板腐蚀机领域,包括腐蚀箱,所述腐蚀箱一侧安装有气泡发生器,且腐蚀箱内侧底部设置有与气泡发生器连接的气泡分流板,所述腐蚀箱远离气泡发生器的一侧安装有温度控制器,且腐蚀箱内壁安装有与温度控制器连接的加热环。本实用新型通过在腐蚀箱内壁设置加热环,在加热环底面设置多根均匀分布在腐蚀箱内侧壁的加热柱,使腐蚀液可受热更均匀,在腐蚀箱内侧壁安装液感应器,且在腐蚀箱背面设置加液箱,在加液箱顶部安装输出端延伸进腐蚀箱的液泵,可在液因加热蒸发与腐蚀损耗降低时添加腐蚀液,防止因腐蚀液液较低导致PCB板无法完全浸入液,使得腐蚀效果更好,无需人工时刻观察液情况。
  • 一种pcb震动腐蚀
  • [发明专利]一种高温轴承钢原始奥氏体晶界显现方法-CN202310328731.8在审
  • 崔毅;张雲飞;赵英利;樊明强;吕达 - 河钢股份有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-07-25 - G01N1/32
  • 本发明公开了一种高温轴承钢原始奥氏体晶界显示方法,包括以下步骤:(1)将试样待观测进行磨抛处理;(2)使用硝酸酒精溶液对待测进行初次腐蚀腐蚀时间为1~3分钟;(3)将步骤2腐蚀过的试样待观测进行轻微抛光;(4)对试样待观测进行第二次腐蚀腐蚀剂由硝酸酒精溶液、氯化铁酒精溶液、硫酸铜酒精溶液配制而成,腐蚀时间为1~3分钟;(5)将步骤4腐蚀过的试样待观测进行轻微抛光;(6)将试样待观测置于5%~10%硝酸酒精溶液进行第三次腐蚀腐蚀时间为0.5~1分钟。本发明方法可以有效显现高温轴承钢原始奥氏体晶界,具有腐蚀剂获取容易、制备方便,操作过程简单等优势。
  • 一种高温轴承钢原始奥氏体显现方法
  • [发明专利]一种单晶硅空心微针结构及其制作方法-CN202110509927.8在审
  • 俞骁;王新国 - 苏州揽芯微纳科技有限公司
  • 2021-05-11 - 2021-08-06 - A61M37/00
  • 本发明采用(100)型的双面抛光硅片,包括A和B;对A和B进行涂光刻胶,制作刻蚀窗口和腐蚀窗口;然后对A用深硅干法刻蚀工艺对A进行刻蚀,在A面的刻蚀窗口内形成凹槽,在A形成腐蚀保护膜;去除A面光刻胶;然后在硅片上沉积刻蚀保护层;将A面的腐蚀保护膜去除;将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀;A形成楔形结构,B面的腐蚀窗口内形成凹槽;最后将硅片上残留的腐蚀保护膜去除,在硅片上生成亲水性保护膜。本发明采用的加工技术仅用一次深硅刻蚀工艺,结合单晶硅各向异性腐蚀工艺,具有成本低、适合批量生产的优点,从而具高度产业利用价值。
  • 一种单晶硅空心结构及其制作方法
  • [发明专利]用于封装结构的治具及封装结构的制备方法-CN201510990592.0有效
  • 沈海军 - 通富微电子股份有限公司
  • 2015-12-25 - 2018-09-28 - H01L21/56
  • 本申请公开了一种用于封装结构的治具及封装结构的制备方法,治具包括:处于相对面上的接触和操作,还包括贯通孔,贯通接触和操作,形成腐蚀液通路,供腐蚀液流至封装结构。方法包括:将植焊球后的芯片结构进行塑封,形成塑封结构;将上述的治具的接触与塑封结构匹配,并且使贯通孔对准焊球;在所述操作喷洒腐蚀液,至焊球露出。本发明中腐蚀液通过治具的贯通孔对封装结构腐蚀,使腐蚀位置固定,不会出现多个产品发生偏移的问题,同时该方法能够使腐蚀形成的孔孔径、孔深一致,实现批量化生产。
  • 用于封装结构制备方法
  • [实用新型]一种激光腐蚀凹版-CN201621433960.8有效
  • 邱贤军 - 上海希尔彩印制版有限公司
  • 2016-12-26 - 2017-07-04 - B41N3/03
  • 本实用新型公开了一种激光腐蚀凹版,包括版体、腐蚀腐蚀置于版体的表面;其特征在于,腐蚀面的四周设置网墙;网墙高于腐蚀;本实用新型的优点在于在凹版进行激光腐蚀的时候;再将网墙设置成高于腐蚀面的时候;有效的解决了激光腐蚀凹版边缘网墙断的问题;解决了在印刷时拖墨、拉刀丝等问题,严重的会造成边缘部分油墨印不上的情况发生。
  • 一种激光腐蚀凹版

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