专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]视频参数调节方法、装置、设备及介质-CN202110255070.1在审
  • 陈俊奎;张毅;刘梦甜 - 百果园技术(新加坡)有限公司
  • 2021-03-09 - 2021-06-29 - H04N21/2187
  • 本公开实施例公开一种视频参数调节方法、装置、设备及介质,所述视频参数包括直播视频流的码率,该方法包括:获取缓冲区在第一设定时间堆积的直播视频流的数据量;根据所述数据量和所在网络的参考带宽,获得所述码率的参考值;其中,所述参考带宽根据所述网络在第二设定时间的带宽确定,所述第二设定时间在所述第一设定时间之前;根据所述码率的参考值和设定的码率阈值调节对应第三设定时间的所述码率,得到所述码率的目标值,所述第三设定时间在所述第一设定时间之后即,其是综合考虑缓冲区堆积的直播视频流的数据量和参考带宽去调节码率,从而能够保证缓冲区的稳定性,减少该缓冲区视频堆积。
  • 视频参数调节方法装置设备介质
  • [发明专利]搅拌站以及用于该搅拌站的数据存储方法、服务器、系统-CN201110316896.0有效
  • 车通;殷岳元;陈兵 - 中联重科股份有限公司
  • 2011-10-18 - 2012-02-22 - G06F12/02
  • 本发明公开了一种搅拌站以及用于该搅拌站的数据存储方法、服务器、系统,所述方法包括:在第一时间,接收数据,并将该时间所接收的数据写入多个缓冲区中的第一缓冲区;以及在第二时间,接收数据,并将该时间所接收的数据写入所述多个缓冲区中的第二缓冲区,将之前的时间已写入数据的缓冲区内的数据存入数据库。本发明与需在数据存入数据库之后方才能够接收下一数据的阻塞存储模式相比,将数据存入数据库这种I/O操作可由一线程独立执行,数据的接收不需要等待其他工作,从而可不断接收数据,并于此同时不断将之前所接收的数据存入数据库内,执行效率高,占用CPU时间片少
  • 搅拌以及用于数据存储方法服务器系统
  • [发明专利]一种缓冲池属性信息的获得方法及装置-CN202211366805.9在审
  • 唐罡锋;温卫斌;杨蕾;满运峰 - 中国农业银行股份有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-04-04 - G06F16/22
  • 本申请公开了一种缓冲池属性信息的获得方法及装置,该方法包括:获得第一缓冲池在第一时间内的第一访问信息;第一缓冲池对应数据库平台的内存中的目标数据表;将目标数据表对应的缓冲池更新为第二缓冲池;第二缓冲池的大小大于第一缓冲池的大小;获得第二缓冲池在第二时间内的第二访问信息;数据库平台在第二时间内回放在第一时间内运行的任务;根据第一访问信息和第二访问信息获得目标数据表对应的缓冲池属性信息,属性信息用于指示目标数据表的缓冲池的大小调节目标数据表的技术人员可以根据目标数据表对应的缓冲池属性信息,在对数据库平台的功能影响较小的前提下,实现目标数据表的缓冲池大小进行较为精准的调节。
  • 一种缓冲属性信息获得方法装置
  • [发明专利]FEC编码方法、FEC解码方法和FEC解码设备-CN200610168585.3无效
  • 川田宏;坂本典哉;春山秀朗 - 株式会社东芝
  • 2006-12-21 - 2008-01-02 - H04L1/00
  • 披露了一种FEC编码方法,它包括:将包括在顺序提供的媒体分组中的每个有效负载顺序存储到缓冲存储器中;检测存储到缓冲存储器中的有效负载数量是否达到规定数量,或者检测自从有效负载已经能够开始存储到缓冲存储器中开始的时间是否达到一定时间;在检测到存储到缓冲存储器中的有效负载数量达到规定数量时,采用存储到缓冲存储器中的规定有效负载数量进行FEC操作以产生出用于FEC的第一信息;在检测到自从有效负载已经能够开始存储到缓冲存储器中开始的时间达到一定时间时,采用存储到缓冲存储器中的有效负载进行FEC操作以产生出用于FEC的第二信息;并且将第一和第二信息和与之对应的媒体分组一起输出。
  • fec编码方法解码设备
  • [发明专利]氮化镓基发光二极管外延片的制造方法-CN202011618808.8在审
  • 曹阳;乔楠;梅劲;王群;吕蒙普 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-05-07 - H01L33/00
  • 所述制造方法包括提供一衬底;在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型GaN层;其中,循环以下步骤直至生长出厚度为50~100nm的所述P型GaN层:向反应腔内持续通入氨气,在第一时间内向反应腔内通入Ga源,在第二时间内停止向反应腔内通入Mo源,在第三时间内向反应腔内通入Mg源,在第四时间内停止向反应腔内通入Mo源;所述第一时间、所述第二时间、所述第三时间和所述第四时间为连续的四个时间,所述第一时间、所述第二时间、所述第三时间和所述第四时间构成一循环周期。
  • 氮化发光二极管外延制造方法

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