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[发明专利]火花塞用绝缘体及其制造方法、以及火花塞-CN201010119113.5有效
发明人：上垣裕则;黑野启一;本田稔贵 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01T21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种火花塞用绝缘体及其制造方法、以及火花塞，能够通过实现提高对在制造工序中所产生的裂纹有无进行检查的检查精度来防止品质的降低。绝缘子是利用包括对呈规定的绝缘体形状的未烧结绝缘体进行成形的成形工序(压缩成形工序和切削加工工序)和对未烧结绝缘体进行烧结的烧结工序的制造方法制造的。此外，该制造方法在成形工序和上述烧结工序之间设置用于检查裂纹的检查工序。上述检查工序包括：检查液涂敷工序，对未烧结绝缘体的表面涂敷渗透性检查液；干燥工序，在检查液涂敷工序后，使附着在未烧结绝缘体上的渗透性检查液干燥；表面检查工序，在干燥工序后，通过检查未烧结绝缘体的表面状态，检查未烧结绝缘体有无裂纹。
火花塞绝缘体及其制造方法以及

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200410078515.X无效
发明人：有田浩二;松田明浩;长野能久;那须徹;藤井英治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-06-21 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580051740.7有效
发明人：菊池秀明;永井孝一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包括：在硅衬底30上形成第一绝缘膜45的工序；在第一绝缘膜45上形成电容器Q的工序；形成覆盖电容器Q的第二绝缘膜55的工序；在第二绝缘膜55上形成金属布线65的工序；形成第一电容器保护绝缘膜66的工序，该第一电容器保护绝缘膜覆盖金属布线65和第二绝缘膜55；在金属布线65的旁边形成绝缘侧壁67a的工序；在绝缘侧壁67a上形成第三绝缘膜68的工序；以绝缘侧壁67a的蚀刻速度比第三绝缘膜68的蚀刻速度慢的条件蚀刻第三绝缘膜68，以此形成孔74a的工序；在孔74a内形成导电插塞77的工序。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]布线基板的制造方法-CN202080104584.0在审
发明人：鸟羽正也;藏渕和彦;增子崇;满仓一行 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明所涉及的布线基板的制造方法包括：(A)在支撑基板上形成第1绝缘材料层的工序；(B)在第1绝缘材料层形成第1开口部的工序；(C)在第1绝缘材料层上形成种子层的工序；(D)在种子层的表面上设置抗蚀剂图案的工序；(E)形成包括焊盘和布线的布线部的工序；(F)去除抗蚀剂图案的工序；(G)去除种子层的工序；(H)对焊盘的表面实施第1表面处理的工序；(I)形成第2绝缘材料层的工序；(J)在第2绝缘材料层形成第2开口部的工序；(K)对焊盘的表面实施第2表面处理的工序；及(L)将第2绝缘材料层加热至第2绝缘材料层的玻璃化转变温度以上的温度的工序。
布线制造方法

[发明专利]绝缘电线的制造方法及其制造装置-CN201410016440.6有效
发明人：船山泰弘;渡边庸介 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01B13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘电线的制造方法及其制造装置，即使在提高绝缘电线的生产率的情况下，其也能够使绝缘电线的长度方向上的绝缘层的厚度均匀。所述绝缘电线的制造方法至少包含下述工序涂布工序，利用涂料供给槽将绝缘涂料涂布到移动线的外周上；烧结工序，利用烧结炉使涂布到移动线的外周上的绝缘涂料烧结；以及冷却工序，根据利用温度检测器检测出的移动线的温度，以使涂布有所述绝缘涂料之前的移动线的温度成为规定温度的方式，利用冷却机构对移动线进行冷却；通过反复进行涂布工序、烧结工序和冷却工序，在移动线上形成绝缘层。
绝缘电线制造方法及其装置

[发明专利]一种快装绝缘板连续生产工艺-CN202010936738.4有效
发明人：周洪亮;屠婉欣;王永强;屠金东;李枫;张哲彬 -专利权人：浙江东宇电气股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B23P19/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种快装绝缘板连续生产工艺，包括上料夹紧工序、相对静止传输工序、送料旋合工序、脱离装持工序以及传输复位工序，通过纵向依次设置分别连续传输螺杆、绝缘板和螺母的传输模块，经上料工序后绝缘板经夹紧定位工序完成限位，进入三者相对静止传输的装配通道内后螺杆由送料工序向下贯穿绝缘板的安装孔与螺母抵触，再使螺母经旋合工序与螺杆配合半拧紧后脱离装持，得到可快捷安装的绝缘板产品，便于后续快速装配到电箱壳体内，操作便捷；且在装配工序后设置复位工序实现生产连续性，解决了现有技术中存在的绝缘板安装耗时费力、组装效率低的技术问题。
一种绝缘连续生产工艺

[发明专利]图像显示装置的制造方法以及图像显示装置-CN202180039053.2在审
发明人：秋元肇 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：实施方式的图像显示装置的制造方法具备：准备在第一基板上形成了半导体层的第二基板的工序；将所述半导体层贴合于所述第三基板的工序；除去所述第一基板的工序；对所述半导体层蚀刻，形成包括与所述第三基板上的底面相对的发光面的发光元件的工序；形成覆盖所述第三基板以及所述发光元件的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述电路元件以及所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；除去所述第一绝缘膜以及所述第二绝缘膜的一部分从而使包括所述发光面的面露出的工序；形成贯通所述第一以及第二绝缘膜的过孔；在所述第二绝缘膜上形成配线层的工序。
图像显示装置制造方法以及

[发明专利]图像显示装置的制造方法及图像显示装置-CN202180059922.8在审
发明人：秋元肇 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备半导体层的工序；将所述半导体层经由第一金属层而向第一基板接合的工序；在透光性基板贴合所述半导体层的工序；除去所述第一基板且蚀刻所述半导体层而形成包括发光面和上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第一金属层而形成覆盖所述上表面的遮光电极的工序；形成覆盖所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序。
图像显示装置制造方法

[发明专利]线圈部件的制造方法-CN201680026501.4有效
发明人：滨田显德;西山健次;保田信二 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明提供一种线圈部件的制造方法，具有如下工序：在基台上粘合临时金属层的工序、在临时金属层上层叠基底绝缘树脂的工序、在基底绝缘树脂设置开口部使临时金属层露出的工序、在基底绝缘树脂上设置第一螺旋布线并在基底绝缘树脂的开口部内的临时金属层上设置第一牺牲导体的工序、对临时金属层通电并通过电镀增大第一牺牲导体的工序、利用第一绝缘树脂覆盖第一螺旋布线和第一牺牲导体的工序、在第一绝缘树脂设置开口部使第一牺牲导体露出的工序、形成通过蚀刻从第一绝缘树脂的开口部除去第一牺牲导体的孔部的工序、向孔部填充磁性树脂并利用磁性树脂构成内磁路的工序。
绝缘树脂导体金属层开口部基底磁性树脂线圈部件布线孔部蚀刻电镀粘合磁路填充制造通电上层覆盖

[发明专利]图像显示装置的制造方法以及图像显示装置-CN202180036453.8在审
发明人：秋元肇 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：实施方式的图像显示装置的制造方法具有：准备在第一基板上形成有半导体层的第二基板的工序；使所述半导体层与第三基板的第一面贴合的工序；除去所述第一基板的工序；对所述半导体层进行蚀刻，形成包括与所述第一面上的底面对置的发光面的发光元件的工序；形成覆盖所述第一面及所述发光元件的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述电路元件及所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；除去所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的一部分来使包括所述发光面的面露出的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的过孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成配线层的工序。
图像显示装置制造方法以及

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置-CN201610099796.X有效
发明人：大桥直史;高野智 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，其具有下述工序：第一研磨工序，对衬底进行研磨，所述衬底在形成有多个布线用槽的第一绝缘膜上成膜有作为金属布线的第一层的金属膜；绝缘膜形成工序，在所述第一研磨工序之后，在所述衬底上形成构成为层合绝缘膜的一部分的第二绝缘膜；第二研磨工序，对所述第二绝缘膜进行研磨；测定工序，在所述第二研磨工序之后，测定所述第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布；和修正工序，在所述第二绝缘膜上，以与所述测定工序所测得的膜厚分布不同的膜厚分布形成构成为所述层合绝缘膜的一部分的第三绝缘膜，修正所述层合绝缘膜的膜厚分布。
半导体器件制造方法衬底处理系统装置

[发明专利]液化天然气船用绝缘箱的制造方法及生产线-CN200810037199.X有效
发明人：符勇康;周承安;虞兴中;马云忠;杨浩 -专利权人：沪东中华造船（集团）有限公司
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液化天然气船用绝缘箱的制造方法及生产线，该方法包括有“模具搭载”工序、“隔板组装”工序、“隔板临时固定”工序、“隔板打钉固定”工序、“顶板组装及临时固定”工序、“顶板打钉固定”、“条形码粘贴”工序、“箱体翻转”工序、“双层顶板组装及临时固定”工序、“双层顶板打钉固定”工序、“箱体整平”工序、“绝缘材料填充”工序、“填充密度检验”工序、“底板组装及临时固定”工序、“底板打钉固定”工序、“箱体修整”工序、“箱体搬运及清洁”工序、“箱体包装”工序和“箱体运输”工序。本发明通过实施以上的LNG船用绝缘箱生产工艺流程，大大节约了生产人工，提高了生产效率，满足绝缘箱高精度的质量要求。
液化天然气绝缘制造方法生产线

[发明专利]布线电路基板的制造方法-CN200810173144.1无效
发明人：丰田佳弘 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明是一种布线电路基板的制造方法，具备：准备基底绝缘层的工序；在基底绝缘层上形成布线的工序；在基底绝缘层上形成覆盖布线的被覆绝缘层的工序；向被覆绝缘层照射波长超过700nm、不足950nm的光、利用来自被覆绝缘层的反射光检测异物的工序
布线路基制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201680047624.6有效
发明人：八田浩一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该半导体装置的制造方法具有：第一绝缘膜形成工序，在该工序中，在具有由栅极覆盖呈鳍状隆起的源极和漏极的构造的晶体管上形成第一绝缘膜；牺牲膜形成工序，在该工序中，形成牺牲膜；硬掩模图案形成工序，在该工序中，形成具有所希望的图案的硬掩模膜；第一开口形成工序，在该工序中，形成第一开口；第二绝缘膜形成工序，在该工序中，在所述第一开口形成材料与所述第一绝缘膜不同的第二绝缘膜；第二开口形成工序，其在所述第二绝缘膜形成工序之后，通过去除所述牺牲膜，至少在将所述源极的局部与布线层电连接的位置或者将所述源极的局部所述漏极与布线层电连接的位置形成第二开口；以及接触插件形成工序，在该工序中，在所述第二开口形成接触插件。
半导体装置制造方法

[发明专利]布线基板及其制造方法-CN201980017995.3有效
发明人：奥村圭佑 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：布线基板的制造方法包括：布线形成工序，在该布线形成工序中，在第1绝缘层的厚度方向一侧形成布线图案；电沉积工序，在该电沉积工序中，利用电沉积，用第2绝缘层覆盖布线图案；以及磁性层配置工序，在该磁性层配置工序中，在第1绝缘层和第2绝缘层的厚度方向一侧配置磁性层。
布线及其制造方法

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