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[实用新型]一种提升导流筒保温毡寿命的装置-CN202123118590.2有效
发明人：付明全;雷瑶;徐志群;邰文星;马明娟;秦现东 -专利权人：青海高景太阳能科技有限公司;广东高景太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种提升导流筒保温毡寿命的装置,包括导流筒，所述导流筒内设有第一碳毡层，所述第一碳毡层内设有第二碳毡层，所述第二碳毡层内设有第三碳毡层，所述第三碳毡层内设有第四碳毡层，所述第四碳毡层的下方设有高纯石墨层，且高纯石墨层上设有第一圆孔，所述高纯石墨层的下方设有高纯石墨纸，且高纯石墨纸的外缘面贴合在导流筒的内侧壁上，所述高纯石墨纸的内侧面与第一碳毡层的外侧面贴合连接，该种提升导流筒保温毡寿命的装置通过改善导流筒内部的结构，利用设置的高纯石墨层以及高纯石墨纸将第一碳毡层、第二碳毡层、第三碳毡层以及第四碳毡层与导流筒内壁隔离开来，避免其与导流筒内壁直接接触，继而可以增加碳毡层的使用寿命。
一种提升导流保温寿命装置

[发明专利]超纯合成碳材料-CN201510738088.1有效
发明人：亚伦·M·费沃尔;亨利·R·克斯坦蒂诺;威廉·D·斯科特 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明一般涉及具有高表面积和高孔隙率的超纯的合成碳材料、超纯的聚合物凝胶以及包含所述超纯的合成碳材料和超纯的聚合物凝胶的装置。公开的超纯的合成碳材料在许多装置中得到应用，例如在双电层电容器装置和电池中。还公开了制备超纯的合成碳材料和超纯的聚合物凝胶的方法。
合成材料

[发明专利]超纯合成碳材料-CN201080037992.5有效
发明人：亚伦·M·费沃尔;亨利·R·克斯坦蒂诺;威廉·D·斯科特 -专利权人：艾纳G2技术公司
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B29C70/00 文献下载
摘要：本发明一般涉及具有高表面积和高孔隙率的超纯的合成碳材料、超纯的聚合物凝胶以及包含所述超纯的合成碳材料和超纯的聚合物凝胶的装置。公开的超纯的合成碳材料在许多装置中得到应用，例如在双电层电容器装置和电池中。还公开了制备超纯的合成碳材料和超纯的聚合物凝胶的方法。
合成材料

[发明专利]一种纯露酒及面食-CN202010870026.7在审
发明人：窦观一;郁伟;刘辰;沈承平;苏春;张苏东;冯贵林;窦观宇 -专利权人：窦观一
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C12G3/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种纯露酒及面食，零碳型手机追溯纯露酒由零碳纯露及纯净水和/或绿肥与富硒零碳酒组成；零碳型手机面食，所述零碳型手机面食为零碳手机包子、零碳手机面条、零碳手机饼干或零碳手机面包。
一种露酒面食

[发明专利]一种纯碳质密封环的制造方法-CN201310110735.5无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都市金宇碳制品有限公司
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：一种纯碳质密封环的制造方法根据纯碳质密封环的形状和结构，先将压粉压制成单个的纯碳质石墨密封环的胚料即生料环，再按照烧结曲线进行烧结，同时将生料环置于密封的碳石墨盒中烧结，从而提高纯碳质密封环的生产效率，
一种纯碳质密封制造方法

[发明专利]一种纯碳质密封环的制造方法-CN201210107381.4无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都市金宇碳制品有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：一种纯碳质密封环的制造方法根据纯碳质密封环的形状和结构，先将压粉压制成单个的纯碳质石墨密封环的胚料即生料环，再按照烧结曲线进行烧结，同时将生料环置于密封的碳石墨盒中烧结，从而提高纯碳质密封环的生产效率，
一种纯碳质密封制造方法

[发明专利]一种高纯碳纯度的检测方法和检测装置-CN202111390783.5有效
发明人：赵科湘;金智宏 -专利权人：株洲科能新材料股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯碳纯度的检测方法和检测装置，将高纯碳置于管式炉中，先通过高纯氩气进行吹扫，然后通入高纯氧气，加热反应，剩余灰分杂质收集后采用酸进行溶解，通过ICP‑MS测定杂质含量；尾气则采用碱液吸收，通过ICP‑OES测定硫含量，从而得到高纯碳的纯度。本发明的装置简单，方法操作方便，能够去除高纯碳的基体元素，去除了基体干扰，杂质元素得到了富集，提高分析方法的检出限，检测结果可靠，可以有效指导高纯碳的生产。
一种高纯纯度检测方法装置

[发明专利]纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法-CN201810679689.3在审
发明人：郭兴忠;王奇玄;黄凯越;高黎华;郑浦;杨辉 -专利权人：浙江东新新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明提供一种纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法，包括以下步骤：1)、将石墨粉作为主原料与分散剂共同加入到占主原料质量的去离子水中，搅拌，加入粘结剂，继续搅拌，之后加入造孔剂，搅拌后倒出，得到水基纯碳料浆；2)、下将水基纯碳料浆烘干，得到纯碳粉粒，之后粉碎得到细纯碳颗粒；3)、将细纯碳颗粒放置于避光处陈腐1‑2天，干压成型，获得密封件坯体；4)、将密封件坯体和硅片按照放在真空反应烧结炉中，同时进行液相渗硅，得到含碳的碳化硅密封件。本发明由纯碳坯体利用液相渗硅的方法制备得到SiC陶瓷，降低了成本，节约了能源，且降低了制备过程的难度及复杂性。
纯碳密封件坯体碳化硅制备液相渗硅料浆干压成型真空反应制备过程分散剂烧结炉石墨粉造孔剂粘结剂主原料硅片烘干避光倒出粉粒水中陈腐离子陶瓷节约能源

[发明专利]生产高纯碳的方法-CN201210428461.X无效
发明人：羊泰宇;朱洸宇 -专利权人：羊泰宇;朱洸宇
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产高纯碳的方法，属于高纯碳生产技术领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产高纯碳的方法，其能生产得到纯度更高的碳。本发明生产高纯碳的方法包括如下步骤：a、高温处理：碳质材料于1100～1300℃无氧条件下保温3～5h；b、粉碎：将经过高温处理后的碳质材料粉碎；c、除杂：b步骤所得粉末与苛性碱按重量比10～20:1～2混匀，然后熔融，冷却，洗涤，然后依次用硝酸、盐酸浸泡，最后洗涤、干燥，得到高纯碳；其中所述的苛性碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
生产高纯方法

[发明专利]同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法-CN91104585.6无效
发明人：威廉·F·班霍尔泽;托马斯·R·安东尼;丹尼斯·M·威廉斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 1991-07-02 - 公布日： 1992-01-15 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种由同位素纯的碳-12和碳-13所组成的单晶金刚石的制造方法。在本发明中，同位素纯的单晶金刚石是直接由同位素纯的碳-12或碳-13在一个单晶基体上形成的。
同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法

[发明专利]一种提升碳氧比测井灵敏度的碳氧比值计算方法-CN202310696332.7在审
发明人：张泉滢;邢广俊;宋红伟;李宁超;刘国斌 -专利权人：长江大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升碳氧比测井灵敏度的碳氧比值计算方法，涉及石油开发技术领域，包括：建立模型，获取纯岩性骨架的非弹伽马能谱；解谱并确定纯岩性骨架中岩性指示元素与碳元素、氧元素产额的相对比例；获取实测地层岩性指示元素、碳元素、氧元素产额；从实测地层总的碳氧产额中扣除部分骨架的碳元素产额、氧元素产额；计算实测地层剩余碳氧比。本发明利用数值模拟方法分别建立纯砂岩和纯石灰岩骨架中硅、钙元素产额与骨架中碳、氧元素产额的比例关系；基于实测地层硅、钙元素产额，利用纯骨架中硅、钙元素与碳、氧元素产额的比例关系，从实测地层总的碳、氧产额中扣除部分骨架碳、氧元素产额，进而提升碳氧产额比值法对地层流体的响应灵敏度。
一种提升测井灵敏度比值计算方法

[发明专利]惰性气体保护的高纯全氟碳电子特气吸附纯化方法-CN202111672465.8有效
发明人：周言;黄国强;胡号;钟强 -专利权人：天津大学浙江绍兴研究院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本发明公开了惰性气体保护的高纯全氟碳电子特气吸附纯化方法，步骤为：(1)将高纯惰性气体与全氟碳电子特气粗品原料气按高纯惰性气体体积浓度为100％～0的比例，由高至低浓度混配，得到液态混配气；(2)将液态混配气进行吸附，净化气冷凝，得到液态全氟碳电子特气中间气，不凝高纯惰性气体循环；(3)当液态混配气中的高纯惰性气体体积占比为0时，将液态全氟碳电子特气中间气替代液态混配气切入吸附塔并通入冷凝器，循环吸附，得到高纯全氟碳电子特气产品气本发明深度脱除全氟碳电子特气粗品原料气中的杂质，适用于连续化生产中高纯、超高纯电子级全氟碳电子特气的制备，装置简单，操作性好、适用范围广泛、操作弹性大、安全高效。
惰性气体保护高纯全氟碳电子吸附纯化方法

[发明专利]一种Mo1纯钼中碳元素的分析方法-CN201410145679.3在审
发明人：李玉晶 -专利权人：哈尔滨建成集团有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：一种Mo1纯钼中碳元素的分析方法，涉及一种金属材料中碳元素的分析方法。本发明是要解决现有Mo1纯钼中碳元素的分析方法存在的分析结果偏差大，准确程度低的技术问题。本发明的分析方法为：一、将红外吸收法分析碳元素的碳硫分析仪接通电源预热；二、将红外超低碳硫坩埚灼烧；三、将灼烧后的坩埚放于干燥器中冷却；四、碳硫分析仪预热结束后，称取Mo1纯钼，输入重量值，加入铁屑和钨锡助熔剂；五、按照仪器的分析方法进行测定，测得分析结果，即完成Mo1纯钼中碳元素的分析。本发明Mo1纯钼中碳元素的分析的偏差明显缩小，准确度大大提高。本发明应用于金属材料中碳元素的分析领域。
一种 mo1 纯钼中碳元素分析方法

[发明专利]一种超低N、B含量碳化硅原料的制备方法-CN202310191453.6在审
发明人：陈建军;孔海宽;忻隽;张永良;涂小牛 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备超低N、B含量高纯碳化硅粉料的方法，采用高纯碳毡代替固相合成中的碳粉，提供反应所需的碳源，高纯硅粉提供反应需要的硅源，多孔的碳毡与硅粉相间铺设，高温下高纯硅粉挥发、渗透进高纯碳毡内部，与高纯碳毡反应生成碳化硅；同时，在反应过程中通入氢气及含有卤素的气体，置换掉碳毡及硅粉中少量的N、B元素，生成超低N、B含量碳化硅原料。
一种含量碳化硅原料制备方法

[发明专利]透射电镜微栅及其制备方法-CN201010106698.7有效
发明人：冯辰;范立;刘亮;潜力;王昱权 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种透射电镜微栅及其制备方法，其中，该透射电镜微栅包括一纯碳网格及至少一碳纳米管膜，该纯碳网格具有多个网孔，所述至少一碳纳米管膜覆盖所述纯碳网格的多个网孔。
透射电镜微栅及其制备方法

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