专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备碲银锑热电材料的方法-CN201510266185.5有效
  • 杜保立;宿太超;胡保付;乔文涛;陈亮;蔡红新 - 河南理工大学
  • 2015-05-22 - 2017-01-18 - C01B19/04
  • 本发明涉及一种制备碲银锑热电材料的方法,其特征在于包括如下步骤1)配料以碲银、碲锑为主要原料,微量单质碲为热电性能调节成分,按照摩尔比(0.9‑1.1)(0.9‑1.1)x称取碲银、碲锑和单质碲作为反应原料,其中x为0~0.04;2)高能磨将步骤1)所述反应原料在惰性气体保护气氛下进行高能磨,得单相碲银锑粉体;3)放电等离子烧结将步骤2)所得单相碲银锑粉末进行放电等离子烧结,即得致密碲银锑热电材料本发明所用原料在空气中稳定,不易氧化,整体工艺简单可控、制备成本低,重复性好,且所制备的碲银锑块体材料致密度高,物相纯,热电性能优异。
  • 一种制备碲化银锑热电材料方法
  • [发明专利]具有有效的无损害原位灰化的等离子体蚀刻器设计-CN201210194993.1有效
  • 萧颖;林进祥 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2012-06-13 - 2013-07-03 - H01J37/32
  • 在一些实施例中,本发明涉及一种等离子体蚀刻系统,该等离子体蚀刻系统具有与处理室连通的直流和局部等离子体源。直流等离子体源用于将直流等离子体提供给处理室以蚀刻半导体工件。直流等离子体具有通过将大的偏压施加给工件形成的高电势。在完成蚀刻以后,关断偏压和直流等离子体源。然后,局部等离子体源用于将低电势局部等离子体提供在处理室内的适当位置使得局部等离子体与工件空间分离。空间分离导致形成与工件接触的具有零电势/低电势的扩散等离子体。零电势/低电势的扩散等离子体使得实施反应灰化,而降低了由于正等离子体电势所引起的离子轰击造成的工件损伤。本发明还公开了具有有效的无损害原位灰化的等离子体蚀刻器设计。
  • 具有有效损害原位灰化等离子体蚀刻设计
  • [发明专利]一种非等原子比高熵合金及其制备方法-CN201911146520.2有效
  • 廖恒成;周军;陈浩;黄艾婧 - 东南大学
  • 2019-11-21 - 2021-04-06 - C22C30/00
  • 本发明涉及高熵合金技术领域,公开了一种制备非等原子比高熵合金的制备方法,制备原料为Fe、Mn、Cr、Ni金属粉末,制备方法为机械合金法及放电等离子脉冲烧结。具体如下:将上述金属粉末按照设定比例称取,在真空手套箱中将称取的粉末装入硬质合金球磨罐中并加入适量过程控制剂随后密封取出,密封后的磨罐安装在球磨机上进行机械合金磨,磨若干小时候后得到高熵合金粉末,随即通过放电等离子脉冲烧结技术进行烧结熔融固化,制备成非等原子比高熵合金金属。
  • 一种原子比高合金及其制备方法
  • [实用新型]一种单电极低温等离子体发生设备-CN201420628414.4有效
  • 万京林;万良淏;万良庆 - 南京苏曼等离子科技有限公司
  • 2014-10-28 - 2015-03-25 - H05H1/24
  • 本实用新型公开了一种单电极低温等离子体发生设备,包括高频电源模块、匹配模块、高频升压模块、线电极、成对的金属电极;高频电源模块通过匹配模块与高频升压模块相连,所述高频升压模块还与其中一个金属电极相连,所述该金属电极通过线电极连接另一个金属电极;高频电源模块产生的高频源信号经过匹配模块对高频升压模块进行激励产生高压,高压加载到成对金属直间的线电极上,线电极周围的空气被击穿放电,产生线状的低温等离子体;本实用新型实现了在常压下用一根线状电极即可以产生宽幅低温等离子体,只需在材料的一面进行低温等离子体处理,有效地改善了DBD低温等离子体两个电极之间的距离限制和不能处理比较厚的高分子材料或中空的材料。
  • 一种电极低温等离子体发生设备
  • [发明专利]一种激光维持用等离子体光源腔体及其制备方法-CN202110323204.9在审
  • 丁新凤 - 常州市纽菲克光电制造有限公司
  • 2021-03-26 - 2021-06-01 - H01J37/32
  • 本发明涉及等离子体光源技术领域,尤其涉及一种激光维持用等离子体光源腔体,包括石英腔体、电极连接体、腔体内的填充气体;所述石英腔体包括封接区和泡;所述封接区为与所述泡的端部连通的管状体,所述泡的内腔为电离腔;所述石英腔体中封装一个或多个用于等离子体触发的电极连接体,所述电极连接体包括导电柱、钼片、电极体,所述电极体的头端设置有电极头,所述电极头的头部呈锥形的尖端,所述电极体的尾端依次焊接钼片、导电柱,所述电极头位于泡内部可实现激光维持等离子体的触发和限制用于生成等离子体的气体,维持稳定的发光强度和光谱。
  • 一种激光维持等离子体光源及其制备方法
  • [发明专利]薄板覆盖件等距离切割装置-CN201510156623.2有效
  • 杨龙兴;杨浩轩;梁栋;蒋新华 - 江苏理工学院
  • 2015-04-03 - 2017-03-01 - B23K10/00
  • 本发明涉及一种薄板覆盖件等距离切割装置,包括底架,底架上固定有两对称设置的Y向导轨,两Y向导轨之间设置有X向导轨及Y向驱动装置,X向导轨上设置X向驱动装置及工作台,工作台上固定有切割组件,切割组件包括等离子喷头杆、喷头、两万向压头及Z向驱动装置,等离子喷头杆垂直固定在工作台底端,喷头通过连接件活动连接在等离子喷头杆底端,两万向压头固定在连接件上,两万向压头对称设置在喷头两侧,万向压头内设置有弹簧,Z向驱动装置固定在等离子喷头杆上该薄板覆盖件等距离切割装置能提高伺服反应速度,在保证卷材等厚度情况下,等离子切割过程的切缝大小稳定、切缝挂铁水少、热影响区小。
  • 薄板覆盖等距离切割装置

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