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[发明专利]一种耐磨损穿孔辊及其加工方法-CN202210441163.8有效
发明人：贾焕祥;杨国中 -专利权人：无锡腾跃特种钢管有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09J179/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐磨损穿孔辊及其加工方法；通过改性立方氮化硼，制备聚晶立方氮化硼复合材料；通过在聚晶立方氮化硼表面包覆两次硅氧纳米涂层，与聚酰亚胺形成类硅氧烷‑聚酰亚胺共聚物结构的混合胶液，具有更好的溶解性和胶粘性
一种耐磨穿孔及其加工方法

[发明专利]一种液晶药物载体-CN200910214309.X无效
发明人：吴传斌;韩珂 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： A61K47/34 文献下载
摘要：本发明属于制药领域，具体涉及一种可注射的液晶药物载体，它由植烷三醇(phytantriol)、水和溶剂组成，它们的质量比为：植烷三醇∶溶剂∶水＝1～8∶1～10∶1～5。该载体为各向同性溶液，粘度低，流动性好，易于注射，遇液体后由于溶剂的扩散以及植烷三醇的溶胀作用，形成高粘度的类凝胶状立方液晶，可缓慢地释放药物，并提高药物的稳定性。
一种液晶药物载体

[发明专利]包含ZnO立方烷的混合物的配制剂和使用它们制备半导体ZnO层的方法-CN200980145968.0有效
发明人： H.西伊姆;J.斯泰格;A.梅堀洛夫;D.V.普哈姆;Y.阿克舒;S.舒特;M.德里伊斯 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含以下组分的配制剂：a）至少两种不同的ZnO立方烷，其中至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以固态存在和至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以液态存在，和b）至少一种溶剂，由这些配制剂制备半导体
包含 zno 立方混合物配制使用它们制备半导体方法

[发明专利]仿生锰核立方烷催化剂复合钒酸铋光电极及其制备方法-CN201910367934.1在审
发明人：王涛;高斌;范晓莉;李斌;严娟娟;姜澄;郭虎;李洋;何建平;黄现礼 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生锰核立方烷催化剂复合钒酸铋光电极及其制备方法，该复合光电极包括钒酸铋纳米片及负载于该钒酸铋纳米片上的仿生锰核立方烷催化剂Mn₄O₄，本发明的方法为先制备钒酸铋光电极，随后制备仿生锰核立方烷粉体，将粉体溶于二氯甲烷溶液中，随后取溶液滴涂于钒酸铋光阳极，制得仿生锰核立方烷催化剂复合钒酸铋光电极；本发明仿生锰核立方烷催化剂负载于钒酸铋光阳极上能够有效地加速表面水氧化动力学
钒酸铋制备光电极催化剂复合钒酸铋光阳极纳米片粉体二氯甲烷溶液光电转化效率人工光合作用催化剂负载复合光电极氧化动力学加速表面光催化溶液滴水分解有效地应用

[发明专利]基于超立方体的改进聚类方法-CN202210857054.4在审
发明人：夏盈盈;周良 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06F16/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于超立方体的改进聚类方法，基于分段聚类框架的超立方体聚类方法对轨迹聚类有较好的效果，但超立方体聚类方法在轨迹点偏离较大时，得到的超立方体的方向会有很大误差，从而影响聚类效果。为此，提出了一种基于超立方体的改进聚类方法。改进的方法通过引入运动方向完成轨迹分段，将每条轨迹转换为超立方体序列，同时扩展了公共子轨迹的检查维度，给出了超立方体相交检查及公共子轨迹聚类方法。文中利用三个真实数据集进行实验，结果表明，改进的方法聚类效果更好，其平均聚类数目和平均聚类准确性分别提高了65.81％和15.77％。
基于立方体改进方法

[发明专利]量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管-CN201911407742.5有效
发明人：吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：该量子点材料包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合
量子材料及其制备方法薄膜发光二极管

[发明专利]立方型八甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷结晶及其制备方法-CN201310097408.0有效
发明人：许凯;彭军;陈鸣才;于志伟 -专利权人：中科院广州化学有限公司;佛山市功能高分子材料与精细化学品专业中心
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明属于有机无机纳米杂化材料的技术领域，涉及一种立方型八甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷结晶的制备方法。立方型八甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷结晶的制备方法，包括以下步骤：（1）γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷的水解产物的制备：将γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、极性溶液、催化剂A混合，磁力搅拌，除去溶剂，洗至中性，除水，过滤；（2）γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷水解产物再缩合产物的制备：将步骤（1）的产物溶解，滴加催化剂B，氮气保护反应，洗至中性，干燥，过滤，除甲苯；（3）立方型八甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷结晶的制备：向步骤（2）产物中加入晶核，析出，分离晶体，即得立方型八甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷结晶。
立方甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷结晶及其制备方法

[发明专利]纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管-CN202010207475.3有效
发明人：吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供的制备方法包括：提供金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物，且立方烷类化合物中的至少一个氢原子被过渡金属原子取代；在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理由此制得的纳米复合材料包括：金属氧化物纳米颗粒以及连接金属氧化物纳米颗粒的立方烷类化合物，提高了空穴迁移率，进而有效平衡空穴‑电子传输速率。
纳米复合材料及其制备方法薄膜发光二极管

[发明专利]一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层及其制备方法-CN201610436286.7有效
发明人：唐永炳;朱海莉;蒋春磊 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，提供了一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层及其制备方法。所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层涂覆在基底上，包括在所述基底上沉积的金属过渡层，在所述金属过渡层上依次交替沉积的立方氮化硼涂层和类金刚石涂层，所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层的最外层为类金刚石涂层本发明提供的类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层，不仅涂层应力小，而且涂层韧性好，具有较长的使用寿命和较好的耐磨性。
种类金刚石立方氮化多层复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种SAPO-34分子筛及其制备方法-CN201910641411.1有效
发明人：申学峰;谢在库;刘红星;丁佳佳;张玉贤 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01B37/08 文献下载
摘要：所述SAPO‑34分子筛为类立方体型形貌，介孔结构沿着垂直于类立方体面的方向贯穿整个晶体，且介孔在类立方体内呈一维有序排列。本发明分子筛中，介孔在类立方体内呈一维有序排列，具有特定的形貌结构，适用于催化、吸附和分离等领域。
一种 sapo 34 分子筛及其制备方法

[发明专利]一种纳米银立方颗粒的制备方法-CN201710826441.0有效
发明人：赵涛;王壮;孙蓉;胡友根;梁先文;朱朋莉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米银立方颗粒的制备方法，该方法将银盐分散于多元醇中，得到银盐分散液；将聚乙烯吡咯烷酮分散于多元醇中，得到聚乙烯吡咯烷酮分散液；将盐酸分散于多元醇中，得到盐酸分散液；将得到的硝酸银分散液，聚乙烯吡咯烷酮分散液和盐酸分散液混合，反应，产物固液分离，得到纳米银立方颗粒。该制备方法工序简单、产率高、反应体系简单，易于控制，能够稳定可靠地得到高纯度的纳米银立方颗粒。
一种纳米立方颗粒制备方法

[发明专利]纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管-CN202010207464.5有效
发明人：吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明提供的制备方法包括：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理，获得包含有纳米复合材料的混合溶液；将混合溶液进行固液分离，获得纳米复合材料。由此制得的纳米复合材料包括：金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物，所述氟代立方烷类化合物连接所述金属氧化物纳米颗粒。采用氟代立方烷类化合物表面修饰金属氧化物纳米颗粒，有利于提升金属氧化物纳米颗粒表面的空穴迁移率，以平衡复合纳米材料的空穴‑电子传输速率；促进空穴传输层的空穴传输到发光层与电子复合发光，提高QLED器件的发光性能
纳米复合材料及其制备方法薄膜发光二极管

[发明专利]复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管-CN201911414698.0有效
发明人：吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。
复合材料及其制备方法应用量子发光二极管

[发明专利]基于聚类算法的体素化平面分割方法-CN202210659230.3有效
发明人：程东阳;王月恒;阮玉玲;袁克飞;何晶晶;许洪健 -专利权人：中水淮河规划设计研究有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06T7/10 文献下载
摘要：本发明涉及基于聚类算法的体素化平面分割方法，包括如下步骤：A）对初始点云体素化，得到多个体素立方块；B）随机选一体素立方块作为中心立方块，计算其相邻立方块的拟合平面法向量，计算各拟合平面法向量与中心拟合平面法向量的夹角，在夹角小于设定的夹角阈值时，将中心立方块与该相邻立方块拟合形成立方块拟合平面，并确定立方块拟合平面的初步点云；C）将立方块拟合平面投影成二维数据并进行网格划分，基于点数阈值，映射新数据点，基于聚类算法将新数据点的编号进行归类本发明的基于聚类算法的体素化平面分割方法能够快速分割平面。
基于算法体素化平面分割方法

[发明专利]碳组装硫化铜空心纳米立方体蜂窝材料及其制备和应用-CN202011053949.X有效
发明人：杨秋合;袁永锋 -专利权人：杭州职业技术学院
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳组装硫化铜空心纳米立方体蜂窝材料，所述硫化铜空心纳米立方体通过碳组装成三维立体蜂窝状结构，所述碳是非晶态碳，由聚乙烯吡咯烷酮碳化形成。本发明还公开了所述的碳组装硫化铜空心纳米立方体蜂窝材料的制备方法，首先合成氧化亚铜立方体，然后通过硫化和刻蚀形成硫化铜空心纳米立方体，再通过聚乙烯吡咯烷酮组装和碳化获得。碳组装硫化铜空心纳米立方体蜂窝材料作为锂离子电池负极材料具有重要的应用价值。
组装硫化铜空心纳米立方体蜂窝材料及其制备应用

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