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[发明专利]制备碳纳米管膜的方法及制备该碳纳米管膜的拉伸装置-CN200910106771.8有效
发明人：冯辰;姜开利;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备碳纳米管膜的方法，其包括如下步骤：提供一形成于一基底上的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管基本垂直于所述基底表面；提供一拉伸装置，该拉伸装置具有一接触面，该接触面上设置有黏胶；将该拉伸装置靠近所述基底，并使所述接触面相对于碳纳米管阵列中的碳纳米管倾斜，使所述黏胶与碳纳米管阵列中的多个碳纳米管接触；沿远离所述碳纳米管阵列的方向移动所述拉伸装置，使碳纳米管首尾相连地从碳纳米阵列中连续地被拉出，从而获得一碳纳米管膜。本发明提供的制备碳纳米管膜的方法，利于连续制备碳纳米管膜。本发明还提供了一种制备该碳纳米管膜的拉伸装置。
制备纳米方法拉伸装置

[实用新型]基于碳纳米管结构的红外隐身布料及红外隐身衣服-CN201922374740.2有效
发明人：金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种基于碳纳米管结构的红外隐身布料，其包括：一布料衬底；一红外光吸收体，该红外光吸收体设置在所述布料衬底上；所述红外光吸收体包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一层碳纳米管拉膜、一第二层碳纳米管拉膜和一第三层碳纳米管拉膜，所述第一层碳纳米管拉膜、第二层碳纳米管拉膜和第三层碳纳米管拉膜层叠设置，所述第一层碳纳米管拉膜、第二层碳纳米管拉膜和第三层碳纳米管拉膜中的每一层包括多个碳纳米管首尾相连且基本沿同一方向延伸，所述第一层碳纳米管拉膜和所述第二层碳纳米管拉膜中碳纳米管的延伸方向形成42度至48度的夹角，所述第一层碳纳米管拉膜和所述第三层碳纳米管拉膜中的碳纳米管的延伸方向形成84度至96度的夹角。
基于纳米结构红外隐身布料衣服

[发明专利]一种碳纳米管绳及其制造方法-CN02134760.3有效
发明人：姜开利;范守善;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2002-09-16 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种碳纳米管绳及其制造方法。该碳纳米管绳包括多个碳纳米管束片段，每个碳纳米管束片段具有大致相等的长度且每个碳纳米管束片段由多个相互平行的碳纳米管束构成，碳纳米管束片段两端通过范德华力相互连接。制造该碳纳米管绳的方法包括以下步骤：提供一平整光滑的基底，将催化剂层沉积于该基底表面，通入碳源气与保护气体的混合气体使碳纳米管阵列从基底上长出，于碳纳米管阵列中选定一包括多个碳纳米管束的碳纳米管束片段，并使用拉伸工具拉伸该碳纳米管束片段，使碳纳米管绳沿拉伸方向形成。
一种纳米及其制造方法

[发明专利]碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法-CN200910109335.6有效
发明人：冯辰;姜开利;陈卓;翟永超;范守善 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；处理所述碳纳米管阵列，在碳纳米管阵列表面形成至少两个相互平行且间隔设置的凹槽，凹槽处碳纳米管阵列中碳纳米管的高度基本上小于等于100微米；采用一拉伸工具选定位于多个凹槽之间的碳纳米管阵列中的多个碳纳米管；采用该拉伸工具沿基本平行与凹槽长度的方向拉抽所述选定的多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿远离碳纳米管阵列的方向首尾相连地被拉出形成多个碳纳米膜本发明还包括一种由上述制备方法制备的碳纳米管膜，以及在制备过程中得到的碳纳米管膜先驱。
纳米先驱及其制备方法

[发明专利]碳纳米管集合线的制造方法和碳纳米管集合线制造装置-CN202280015527.4在审
发明人：日方威;藤森利彦;山下大之;大久保总一郎;小野木伯薰;藤田淳一 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人筑波大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B32/164 文献下载
摘要：本公开的碳纳米管集合线的制造方法包括：第1工序，在管状的碳纳米管合成炉内，向浮游状态的多个催化剂粒子供给含碳气体，由此使碳纳米管从所述多个催化剂粒子分别生长而得到多个碳纳米管；以及第2工序，使所述多个碳纳米管集合而得到多个碳纳米管集合线，所述第2工序包括：第2A工序，使由所述多个碳纳米管的一部分构成的第1碳纳米管组在第1流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合，从而得到第1碳纳米管集合线；以及第2B工序，使由与构成所述第1碳纳米管组的多个碳纳米管不同的所述多个碳纳米管的一部分构成的第2碳纳米管组在第2流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合，从而得到第2碳纳米管集合线。
纳米集合制造方法装置

[发明专利]导电元件-CN201210122616.7有效
发明人：冯辰;潜力;王昱权 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种导电元件，其包括：一基底及一碳纳米管层，且该碳纳米管层设置于该基底的表面。其中，该碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，该多个碳纳米管线沿一第一方向延伸，并沿一第二方向间隔设置；该多个碳纳米管团簇与该多个碳纳米管线通过范德华力连接在一起，并在所述第二方向上通过该多个碳纳米管线隔开，且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇在第一方向上间隔设置。
导电元件

[发明专利]碳纳米管复合薄膜及其制备方法-CN200710077025.1有效
发明人：刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管复合薄膜，该碳纳米管复合薄膜包括至少一碳纳米管层和至少一基体材料层。本发明还涉及一种碳纳米管复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；将一基体材料层覆盖在上述的碳纳米管阵列上以得到一覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列，以及挤压上述覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列，从而得到一碳纳米管复合薄膜。上述挤压覆盖有基体材料层的碳纳米管阵列的过程是通过一施压装置进行的，因此其制备方法较为简单。且，该制备方法可控制碳纳米管复合薄膜中碳纳米管为各向同性或沿一个固定方向取向或不同方向取向排列。再有，制备的碳纳米管复合薄膜中碳纳米管分散均匀，使得该碳纳米管复合薄膜具有较好的机械强度和韧性。
纳米复合薄膜及其制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法-CN201811298950.1有效
发明人：王广;魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括：提供一碳纳米管阵列、第一基底以及一第二基底，该碳纳米管阵列位于第一基底的表面，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管垂直于第一基底的表面，该第二基底的表面具有一粘结层；施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于第一基底的表面形成一碳纳米管纸；将所述第二基底放置在所述碳纳米管纸的表面；以及剥离该第二基底，使所述碳纳米管纸中的碳纳米管与所述第一基底分离粘结在所述第二基底的粘结层上，进而将所述碳纳米管阵列转移到所述第二基底上，碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于第二基底的表面。
纳米阵列转移方法

[发明专利]一种碳纳米管材料及其制备方法-CN202310390204.X在审
发明人：陈俊卿;李忻达;张吉;王东锋;覃浩;黄少真 -专利权人：深圳市飞墨科技有限公司;曲靖市飞墨科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管技术领域，尤其是指一种碳纳米管材料及其制备方法，所述碳纳米管材料包括依次复合的离型纸、水溶性树脂基层和碳纳米管层；所述碳纳米管层包括均匀分布于水溶性树脂基层表面的碳纳米管和包裹于碳纳米管表面的分散剂碳纳米管材料的制备方法包括步骤一、将碳纳米管、分散剂加入易挥发性溶剂中分散均匀，配制碳纳米管分散液；步骤二、在离型纸上涂覆水溶性树脂浆料，干燥后获得水溶性树脂基层；步骤三、将碳纳米管分散液喷涂至水溶性树脂基层表面，干燥后形成碳纳米管层，获得碳纳米管材料。本发明将分散好的碳纳米管制成膜结构，制得的碳纳米管材料易分散且方便运输，使用时将其放入水中搅拌即可获得分散均匀的碳纳米管浆料。
一种纳米材料及其制备方法

[发明专利]碳纳米管膜及其制备方法-CN201110349846.2有效
发明人：王昱权;冯辰;刘亮;潜力 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤：提供一预制碳纳米管膜，该预制碳纳米管膜包括多个碳纳米管线，每个碳纳米管线包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管；在所述预制碳纳米管膜的基本平行于所述多个碳纳米管线的径向的一端形成一碳纳米管线状结构；将所述碳纳米管线状结构穿过一角度控制单元的角度控制元件，且控制该碳纳米管线状结构与该角度控制单元相对移动，使所述预制碳纳米管膜在该角度控制元件处收缩，从而使得所述预制碳纳米管膜在该角度控制元件处形成一预定的开口夹角；以及剪裁所述具有预定开口夹角的预制碳纳米管膜，得到预定形状的所述碳纳米管膜。本发明还提供一种由上述方法制备的碳纳米管膜。
纳米及其制备方法

[发明专利]提高碳纳米管膜异向性的方法-CN201210582279.X无效
发明人：赵志涵;张智桀;施博盛 -专利权人：天津富纳源创科技有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高碳纳米管膜异向性的方法，该方法包括以下步骤：提供一基底；在该基底表面设置一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中大多数碳纳米管沿着同一方向延伸排列从而形成多个基本平行设置的碳纳米管线，且该该碳纳米管膜中的少数碳纳米管分散在该碳纳米管膜表面，并与该多个碳纳米管线搭接设置；以及采用等离子体处理该碳纳米管膜的表面。
提高纳米管膜异向性方法

[发明专利]图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件-CN201410274924.0有效
发明人：魏洋;魏浩明;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。本发明还提供一种碳纳米管器件。
图案纳米阵列制备方法器件

[发明专利]透明导电层的制备方法-CN201610942312.3有效
发明人：李东琦;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C01B32/159 文献下载
摘要：一种透明导电层的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管；提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；将所述碳纳米管膜设置在所述绝缘层上；将碳纳米管膜放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管膜拍摄照片；获得碳纳米管膜的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对半导体型的碳纳米管进行标识，并除去半导体型的碳纳米管。
透明导电制备方法

[发明专利]一种碳纳米管纤维的制备方法-CN202310297770.6在审
发明人：赵志勇;杨名;侯红亮;佟建华 -专利权人：山东碳垣智能装备有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B32/164 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管纤维的制备方法，包括：将碳源和含铜催化剂注入到化学气象沉积反应炉内，合成碳纳米管气凝胶；将碳纳米管气凝胶牵引进行水浴收缩成扁带状的碳纳米管；将扁带状的碳纳米管加捻处理形成碳纳米管纤维本发明提供的碳纳米管纤维的制备方法，采用化学气相沉积法制备的碳纳米管纤维连续性好，生产成本低，采用低成本含铜催化剂，使碳纳米管再合成时吸附铜，进一步使碳纳米管纤维内的碳纳米管的分布范围大大缩小，管壁的数目也大大减小，优化碳纳米管纤维的结构，提高使用性能，促进碳纳米管纤维的使用范围。
一种纳米纤维制备方法

[发明专利]碳纳米管结构及其制造和操作方法-CN200910001312.3有效
发明人：杨海宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-01-04 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种基于碳纳米管的存储器器件包括直径不同的成组三个同心碳纳米管。选择三个同心碳纳米管的直径使得内部碳纳米管是半导的并且在相邻碳纳米管之间出现壳间电子传送。实现与内部碳纳米管的源极和漏极接触，并且实现与外部碳纳米管的栅极接触。通过壳间电子传送在中间碳纳米管中存储电子或者空穴来对基于碳纳米管的存储器器件进行编程。对由于中间壳中的电荷造成的内部碳纳米管的传导改变进行检测以确定中间碳纳米管的电荷状态。因此，基于碳纳米管的存储器器件以电荷的形式在中间碳纳米管中存储信息。
纳米结构及其制造操作方法