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[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202211644873.7有效
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合碳化硅衬底及其制备方法，所述衬底包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层；所述单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层之间设置有第一掺杂碳化硅层；所述第一掺杂碳化硅层和单晶碳化硅层之间设置有键合界面层。所述制备方法为：（1）在所述碳化硅支撑层上沉积第一掺杂碳化硅层，得到第一复合层；（2）将步骤（1）所得第一复合层与经过离子注入或激光照射的单晶碳化硅层相互键合，施加应力后得到所述复合碳化硅衬底组件；（3）热处理步骤（2）所得复合碳化硅衬底组件，得到所述复合碳化硅衬底。本发明提供的复合碳化硅衬底可以减轻或消除键合界面电阻，且制备方法简便高效，可控性好。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅复合基板及其制备方法-CN202210387910.4在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法，所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层，所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层，所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层，所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层，所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻，降低了碳化硅复合基板的制造成本，提高了碳化硅复合基板的应用潜力。
一种碳化硅复合及其制备方法

[发明专利]一种复合碳材料及其制备方法和应用-CN202210786090.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：湖南泰坦未来科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合碳材料及其制备方法和应用，复合碳材料可用于制作MOCVD设备的托盘，包括碳基材和设置在碳基材表面的复合涂层，复合涂层包括从内至外依次叠加的碳化硅复合层、碳化硅‑碳化钽复合层以及碳化钽层，制备方法包括：（1）在碳基材上原位制备碳化硅纳米线层，制备完成后再沉积碳化硅，形成碳化硅复合层；（2）在碳化硅复合层表面沉积碳化硅‑碳化钽复合层；（3）在碳化硅‑碳化钽复合层表面沉积形成碳化钽层。
一种复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制造方法-CN202310207459.8在审
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合衬底的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：在供体衬底表面的碳化硅单晶层中预埋弱化层；将碳化硅衬底与所述碳化硅单晶层进行键合连接；施加应力使所述碳化硅单晶层沿所述弱化层断裂，得到剩余供体衬底以及碳化硅复合衬底；所述碳化硅单晶层的缺陷密度小于所述碳化硅衬底的缺陷密度。所述碳化硅复合衬底中碳化硅单晶层的BPD缺陷密度为0，所述制造方法可以减少高质量碳化硅供给衬底的浪费情况，降低生产成本。
一种碳化硅复合衬底及其制造方法

[发明专利]碳化硅纤维复合包壳及燃料组件-CN202210482526.2在审
发明人：张显生;薛佳祥;王诗槐;高思宇;李云;任啟森;廖业宏 -专利权人：中广核研究院有限公司;岭东核电有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G21C3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纤维复合包壳及燃料组件，碳化硅纤维复合包壳包括金属管体以及复合在所述金属管体上的碳化硅纤维复合层；所述金属管体的外表面上分布有凸起结构，所述凸起结构嵌入所述碳化硅纤维复合层中，将所述碳化硅纤维复合层锁定在所述金属管体上本发明的碳化硅纤维复合包壳，在金属管体上设置凸起结构，凸起结构通过嵌入碳化硅纤维复合层中对其进行锁定，提高碳化硅纤维复合层在包壳上的稳定性，进而提升碳化硅纤维复合包壳整体结构的稳定性，还有助于提高碳化硅纤维复合包壳的热导率
碳化硅纤维复合燃料组件

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202211598971.1在审
发明人：母凤文;郭超;谭向虎 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)碳化硅单晶衬底的第一表面与石墨板粘接，激光照射碳化硅单晶衬底的第二表面，在碳化硅单晶衬底内部形成改质面；施加外力，将碳化硅单晶衬底沿着改质面断开，得到碳化硅单晶衬底与石墨板组成的复合晶体层结构；(2)在所述复合晶体层结构中的碳化硅单晶衬底的改质面上生长晶体层后，分离石墨板，得到碳化硅单晶衬底与晶体层组成的复合碳化硅衬底。本发明所述制备方法先以石墨板为支撑层，通过激光切割得到较薄的高质量碳化硅单晶衬底，之后在该碳化硅单晶衬底上生长一层低质量晶体层，不会形成键合界面层，提高了复合碳化硅衬底的制备效率，降低了制备时间。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备-CN202110765400.1在审
发明人：高博;黄伯宁;万玉喜 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决因SiC衬底成本高，导致SiC功率器件成本高的问题。复合衬底包括：第一碳化硅层和第二碳化硅层。第一碳化硅层的材料包括单晶碳化硅；第二碳化硅层与第一碳化硅层键合，第二碳化硅层至少局部的缺陷密度大于第一碳化硅层的缺陷密度。
复合衬底及其制备方法半导体器件电子设备

[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用-CN202310913098.9有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率
一种碳化硅复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用-CN202310913101.7有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述制备方法包括以下步骤：在中间牺牲层的表面两侧制备单晶碳化硅薄层，分别记为第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层，所述第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层分别与所述中间牺牲层键合连接，得到键合组件；在所述键合组件的表面两侧生长多晶碳化硅层，所述多晶碳化硅层中含有游离C相；去除所述键合组件中的中间牺牲层，得到两个所述复合碳化硅衬底。该制备方法可避免多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间的接合界面，成功率高，成本低。基于该方法制备的复合碳化硅衬底具有较低的电阻率，多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间结合紧密、牢固，可实现工业化生产。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法应用

[发明专利]碳化硅‑碳化钽复合材料和基座-CN201480007718.1有效
发明人：篠原正人 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明提供一种耐久性优异的碳化硅‑碳化钽复合材料。碳化硅‑碳化钽复合材料(1)具备表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。
碳化硅碳化复合材料基座

[发明专利]一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用-CN202211186158.3在审
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合籽晶及其制备方法与应用，所述碳化硅复合籽晶包括层叠设置的高质量碳化硅单晶籽晶层、键合层和低质量碳化硅晶体层；所述高质量碳化硅单晶籽晶层的微管密度≤0.1个/cm2，位错密度≤1000个/cm2；所述低质量碳化硅晶体层的微管密度和位错密度分别对应地大于高质量碳化硅单晶籽晶层；所述碳化硅复合籽晶的厚度本发明提供的碳化硅复合籽晶用于生长碳化硅单晶晶锭时，碳化硅单晶晶锭生长于高质量碳化硅单晶籽晶层的表面，既保证了籽晶和晶锭的质量，又避免了因籽晶过薄而在高温生长环境中籽晶表面出现孔洞或籽晶发生翘曲变形的问题
一种碳化硅复合籽晶及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法-CN201710980467.0在审
发明人：李诚瞻;吴煜东;戴小平;史晶晶;王弋宇 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。
碳化硅碳化硅外延层肖特基二极管肖特基金属层肖特基接触石墨烯层复合金属原子漏电流减小制造阻挡

[发明专利]一种电梯度分布碳化硅纤维增强陶瓷基超宽频吸波复合材料及其制备方法-CN202110125418.5有效
发明人：刘海韬;孙逊;黄文质 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及耐高温吸波材料领域，具体公开了一种电梯度分布碳化硅纤维增强陶瓷基超宽频吸波复合材料，自电磁波入射方向开始，依次包括第一高阻碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料层、第一有耗碳化硅纤维阵列增强陶瓷基复合材料层、第二高阻碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料层、第二有耗碳化硅纤维阵列增强陶瓷基复合材料层、第三高阻碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料层、第三有耗碳化硅纤维阵列增强陶瓷基复合材料层、第四高阻碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料层；有耗碳化硅纤维阵列为呈现周期性阵列排布的二维纤维布贴片单元组成，周期单元大小相同，贴片大小依次增大，方阻依次减小。本发明的吸波复合材料吸波带宽显著提升，可以覆盖3~40GHz波段，吸波性能优异。
一种梯度分布碳化硅纤维增强陶瓷宽频复合材料及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅连接件及激光辅助硅铝合金连接碳化硅陶瓷及其复合材料的方法-CN202211613543.1在审
发明人：陈健;黄常聪;黄政仁;李凡凡;陈忠明;刘学建 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅连接件及激光辅助硅铝合金连接碳化硅陶瓷及其复合材料的方法。所述碳化硅连接件包括：第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件，以及形成在第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件之间的第一高硅铝合金层、低硅铝合金层和第二高硅铝合金层；优选地，所述第一待连接碳化硅部件和第二待连接碳化硅部件为碳化硅陶瓷及其复合材料
一种碳化硅连接激光辅助铝合金陶瓷及其复合材料方法

[发明专利]一种碳化硅陶瓷复合材料内加热器保护管及其制备方法-CN201410024800.7有效
发明人：张玉军;李兆敏;李其松;翟彦霞;贺超;刘欢 -专利权人：山东宝纳新材料有限公司
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅陶瓷复合材料内加热器保护管及其制备方法。碳化硅陶瓷复合材料内加热器保护管包括外碳化硅层、内碳化硅层和碳纤维加强层，所述的外碳化硅层设置于碳纤维加强层的外表面，内碳化硅层设置于碳纤维加强层的内表面。本发明还涉及该碳化硅陶瓷复合材料内加热器保护管的制备方法。本发明制备的碳化硅陶瓷复合材料内加热器保护管，热导率高，抗热震性好，耐腐蚀，使用寿命长；用于锌、铝、银等金属冶炼领域可减少了设备停机维修、更换的次数和费用，显著提高生产效率，降低生产成本。
一种碳化硅陶瓷复合材料加热器保护及其制备方法

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