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[发明专利]双芯片POS机的唤醒方法-CN202310273412.1有效
发明人：徐兆卿;刘启汉;邹祥永 -专利权人：深圳鼎智通讯有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G07G1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种双芯片POS机的唤醒方法，包括：当安全芯片检测到唤醒事件时，判断唤醒事件对应的唤醒源是否在预设的第一唤醒源列表中；若唤醒源在第一唤醒源列表中，安全芯片转为唤醒模式并通知主控芯片；主控芯片发送唤醒源获取指令；安全芯片接收到所述唤醒源获取指令后发送唤醒源，主控芯片接收到唤醒源后，判断唤醒源是否在预设的第二唤醒源列表中；若唤醒源在第二唤醒源列表中，主控芯片转为唤醒模式，实现POS机的唤醒。本申请提供了从安全芯片端实现POS机唤醒的唤醒方法，拓展了唤醒方式的多样性。
芯片 pos 唤醒方法

[发明专利]缺陷源检测方法-CN202310465632.4在审
发明人：张景春 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种缺陷源检测方法，包括：提供缺陷芯片，获得缺陷芯片的缺陷信息；建立缺陷源检测模型；将缺陷信息、缺陷芯片的版图及缺陷芯片的制备进程信息输入至缺陷源检测模型中，缺陷源检测模型仿真处理后输出缺陷芯片的缺陷源本发明通过建立缺陷源检测模型，缺陷源检测模型结合缺陷信息、缺陷芯片的版图及缺陷芯片的制备进程信息进行仿真处理，利于线上快速检测获得缺陷芯片的缺陷源。
缺陷检测方法

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN201510536643.2在审
发明人：彭宽军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括源驱动芯片，源驱动芯片设置于显示面板的显示区域内；显示面板的封装玻璃上对应源驱动芯片设置的区域，设置有遮挡源驱动芯片的遮挡图案，这样通过将源驱动芯片设置于显示区域，相对于现有技术省去源驱动芯片占用的边框区域，从而有利于实现显示面板的窄边框设计，由于将源驱动芯片设置于显示区域，因此该区域无法进行正常的显示功能，所以在显示面板的封装玻璃上对应源驱动芯片设置的区域设置有遮挡源驱动芯片的遮挡图案，这样可以实现搭配合理的外观设计，同时将源驱动芯片设置于显示区域，源驱动芯片的设置位置不再影响显示面板的边框大小及形状，可以满足异形显示面板的窄边框设计需求。
一种显示面板显示装置

[发明专利]一种时钟控制电路、芯片及时钟控制方法-CN202010797109.8在审
发明人：李向阳;唐招运 -专利权人：合肥市芯海电子科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G06F1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有时钟控制电路的芯片及时钟控制方法，时钟控制电路，应用于芯片，芯片内设置有第一时钟源，时钟控制电路包括失效检测电路与时钟选通电路；失效检测电路分别连接第一时钟源和预设的第二时钟源，失效检测电路用于检测芯片的主时钟源是否失效，其中芯片的主时钟源为第一时钟源或第二时钟源；时钟选通电路分别连接失效检测电路、第一时钟源和第二时钟源，时钟选通电路用于根据失效检测电路的输出信号，在芯片的主时钟源失效时，切换芯片的主时钟源。本发明提供的芯片需求选不同时钟源作为芯片时钟，并通过时钟控制电路，能够及时地进行时钟源切换，给芯片系统足够的安全保障措施。
一种时钟控制电路芯片控制方法

[发明专利]视频分享电路、方法、装置及电子设备-CN202111626279.0在审
发明人：何康 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H04N5/14 文献下载
摘要：具体方案包括：主控芯片和图像处理芯片，所述主控芯片与所述图像处理芯片连接；所述主控芯片用于获取第一视频源，并确定对所述第一视频源的处理标准，以及将所述第一视频源和所述处理标准发送至所述图像处理芯片；所述图像处理芯片用于接收所述第一视频源和所述处理标准，并按照所述处理标准对所述第一视频源执行目标操作，得到第二视频源，以及将所述第二视频源回传至所述主控芯片；所述主控芯片还用于向第二电子设备发送所述第二视频源；其中，所述第二视频源的视频显示效果优于所述第一视频源的视频显示效果
视频分享电路方法装置电子设备

[发明专利]芯片封装结构与其制作方法-CN201610098276.7有效
发明人：卢东宝;徐子涵 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构与其制作方法，包括芯片、线路层、无源组件材料以及基材。线路层配置于芯片的表面上，其中线路层包括多个凸块与多个无源组件电极。凸块与无源组件电极具有相同材质，且具有相同厚度，而无源组件电极电性连接至部分凸块。无源组件材料配置于无源组件电极之间，使无源组件电极与无源组件材料构成位于芯片的表面上的无源组件。芯片配置于基材上，并以表面面对基材，使芯片与无源组件藉由凸块电性连接至基材。本发明还揭示一种芯片封装结构的制作方法。本发明提供的芯片封装结构与其制作方法通过改变无源组件的配置方式而具有良好的操作效能。
芯片封装结构与其制作方法

[实用新型]一种新型FRID芯片-CN202022938908.0有效
发明人：戴捷 -专利权人：紫东信息科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型FRID芯片，包括晶源芯片、感应线圈、散热板和保护壳，保护壳浇筑在晶源芯片、感应线圈和散热板的外端，保护壳的外端面设置有防撞层，感应线圈与晶源芯片电性连接，散热板贴附于晶源芯片的下端本实用新型在晶源芯片上焊接有备用电极，防止感应线圈损坏后，晶源芯片内数据无法读取，从而提升了晶源芯片的安全性，通过在晶源芯片的下端面添加散热板，从而避免晶源芯片过热损坏，在保护壳的外端面添加防撞层，能够有效降低晶源芯片在携带过程中受到的冲击
一种新型 frid 芯片

[发明专利]芯片精度测试平台、单电流测试方法及芯片精度测试方法-CN202211415067.2在审
发明人：刘海洋 -专利权人：上海兴感半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片精度测试平台、单电流测试方法及芯片精度测试方法。所述芯片精度测试平台用于测试芯片及芯片阵列包括：电流源，所述电流源能够与所述芯片连接，用于向所述芯片提供电流；电压源，所述电压源能够与所述芯片连接，用于向所述芯片提供电源电压；温箱，所述温箱内设置待测的芯片，所述温箱温度可调以改变所述芯片的环境温度，用于实现所述芯片的环境温度调节；数据采集装置，用于选择性的采集所述芯片的输出信号；工控机，所述工控机用于控制所述电流源、电压源、温箱、以及数据采集装置。本发明提供一种芯片精度测试平台及芯片精度测试方法，实现对不同型号芯片精度的测试。
芯片精度测试平台电流方法

[发明专利]显示驱动系统、显示面板和显示装置-CN202211240262.6在审
发明人：夏大学;陈乃军 -专利权人：摩星半导体（广东）有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种显示驱动系统、显示面板和显示装置，显示驱动系统包括GOA扫描电路、电源管理芯片以及源极驱动芯片；电源管理芯片分别连接GOA扫描电路和源极驱动芯片；其中，GOA扫描电路采用低温多晶硅制成；电源管理芯片采用低温多晶硅制成；源极驱动芯片采用低温多晶硅制成。采用低温多晶硅重构GOA扫描电路、电源管理芯片和源极驱动芯片，利用低温多晶硅的特性，解决传统技术由单晶硅制成的GOA扫描电路、电源管理芯片和源极驱动芯片，出现的闩锁效应现象，并且提高了GOA扫描电路、电源管理芯片和源极驱动芯片的抗静电性能
显示驱动系统面板显示装置

[发明专利]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法-CN202110903905.X在审
发明人：谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：涉及一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法，结构依照封装工序依序包括散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,柵极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与柵极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的柵极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中氮化镓HEMT芯片整合封装结构具有减少在氮化镓HEMT芯片内接柵极与内接源极处产生寄生电感与提高MOSFET芯片反应灵敏的效果。
一种氮化 hemt 芯片整合封装结构及其制造方法

[发明专利]多芯片闪存器件及其复录方法-CN200710159607.4有效
发明人：金仁永;崔永准;金钟和;金栒永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪存器件中复录数据的方法和设备。该方法可包括从存储芯片之一的第一源区域读取第一源数据；将第一源数据编程到在存储芯片之一中包括的目标区域中以及从不同于包括所述目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据。当编程第一源数据时可执行读取第二源数据。
芯片闪存器件及其方法

[发明专利]显示装置、源极覆晶薄膜和驱动方法-CN202210754505.1有效
发明人：张大雷;林沛炀;阮永鑫;刘洪海 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示装置、源极覆晶薄膜和驱动方法，显示装置包括第一源极覆晶薄膜和第二源极覆晶薄膜，第一源极覆晶薄膜和第二源极覆晶薄膜均连接印刷电路板和显示面板；第一源极覆晶薄膜包括第一源极驱动芯片和第一时序控制芯片，第二源极覆晶薄膜包括第二源极驱动芯片，第一时序控制芯片分别与第一源极驱动芯片和第二源极驱动芯片电性连接；第一时序控制芯片接收印刷电路板输出的待解析信号，解析生成并输出第一解析信号和第二解析信号；第一源极驱动芯片和第二源极驱动芯片根据第一解析信号和第二解析信号同时驱动显示面板
显示装置源极覆晶薄膜驱动方法

[实用新型]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置-CN202121838296.6有效
发明人：谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置，结构依照封装工序依序包括散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,栅极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与栅极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的栅极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中
一种氮化 hemt 芯片整合封装结构电子装置

[发明专利]一种源极驱动芯片异常检测电路及其异常检测方法-CN202010194954.6在审
发明人：张先明 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种源极驱动芯片异常检测电路及其异常检测方法，本申请中源极驱动芯片中镜像电流源检测供电模块通过柔性扁平线缆向输入端口提供的电信号，并将电信号传递给源极驱动芯片中数模转化模块，数模转化模块将电信号转换数字信号，并将该数字信号传递给TCON芯片；TCON芯片用于将该数字信号与预设阈值比较，若该数字信号大于预设阈值则确定源极驱动芯片异常，电源模块停止向源极驱动芯片供电，或者TCON芯片发出报警信息，解决了源极驱动芯片因发生大电流
一种驱动芯片异常检测电路及其方法

[发明专利]显示面板及其控制方法、移动终端-CN202210123489.6在审
发明人：钟钊贤 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供了显示面板及其控制方法、移动终端，显示面板包括面板主体、电性连接至面板主体的源极驱动芯片、电性连接至源极驱动芯片的时序控制芯片，源极驱动芯片用于控制面板主体进行画面显示，时序控制芯片用于生成并向源极驱动芯片输入数据信号，数据信号包括时钟训练数据，其中，本发明中的源极驱动芯片用于在识别至时钟训练数据时对内部时钟信号进行训练，可以提高源极驱动芯片对于时钟训练数据识别的可靠性、对内部时钟信号进行训练的及时性。
显示面板及其控制方法移动终端

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