专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种采用聚合技术制备纳米复合水凝胶的方法-CN201010233323.7无效
  • 燕青芝;冯巧;葛昌纯 - 北京科技大学
  • 2010-07-19 - 2010-11-17 - C08F220/54
  • 本发明属于功能高分子材料制备技术领域,特别涉及一种采用聚合技术制备纳米复合水凝胶的方法。本发明包括以下步骤:先用阳离子改性剂将纳米级钠基蒙脱土进行有机化处理,然后将单体、交联剂、纳米级有机蒙脱土和引发剂溶解或分散于二甲亚砜溶剂中,在管反应器上端加热混合物,使引发剂受热分解;反应开始后,撤离热源,聚合反应本身产生的热量向未反应区域扩散,形成聚合;聚合自行蔓延,逐步将原料即转化为聚合物;用去离子水漂洗聚合产物,即可得到所述的纳米复合水凝胶。本发明的有益效果是:成本低、反应快、工艺简单,而且制备的纳米复合水凝胶具有强度高、响应灵敏的特点。
  • 一种采用聚合技术制备纳米复合温敏水凝胶方法
  • [发明专利]一种采用聚合技术制备纳米复合环氧树脂的方法-CN201711093384.6在审
  • 丁伟 - 成都昂多生物技术有限责任公司
  • 2017-11-08 - 2018-02-23 - C08F220/54
  • 本发明属于功能高分子材料制备技术领域,特别涉及一种采用聚合技术制备纳米复合环氧树脂的方法。本发明包括以下步骤先用阳离子改性剂将纳米级钠基蒙脱土进行有机化处理,然后将单体、交联剂、纳米级有机蒙脱土和引发剂溶解或分散于二甲亚矾溶剂中,在管反应器上端加热混合物,使引发剂受热分解;反应开始后,撤离热源,聚合反应本身产生的热量向未反应区域扩散,形成聚合;聚合自行蔓延,逐步将原料即转化为聚合物;用去离子水漂洗聚合产物,即可得到所述的纳米复合环氧树脂。本发明的有益效果是成本低、反应快、工艺简单,而且制备的纳米复合环氧树脂具有强度高、响应灵敏的特点。
  • 一种采用聚合技术制备纳米复合环氧树脂方法
  • [发明专利]一种薄膜及其制备方法-CN201711479358.7有效
  • 韩景宾;王嘉杰;许晓芝;董思源;卫敏 - 北京化工大学
  • 2017-12-29 - 2020-01-21 - C08J7/04
  • 本发明属于薄膜材料技术领域,具体涉及一种薄膜及其制备方法。本发明提供的薄膜包括基底和阻气层,所述阻气层包括交替层叠的水滑石纳米片层和聚合物层;所述水滑石纳米片层与基底相接;所述薄膜的最外层为聚合物层。本发明提供的薄膜在温度低于相变温度时,薄膜呈阻气性,当温度高于相变温度时,薄膜表现为透气性,说明本发明提供的薄膜的阻气、透气性能可通过温度的改变精确调控。
  • 一种温敏型薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种包膜材料和缓控释肥料及其制备方法-CN201610420250.X在审
  • 徐祖顺;李庆;张淑来;庞龙;童豪;栗静 - 湖北大学
  • 2016-06-13 - 2016-11-09 - C05G3/00
  • 本发明属于缓控释肥料技术领域,具体涉及一种包膜材料和缓控释肥料及其制备方法。该包膜材料,由以下质量百分数的各原料组成:聚苯醚6‑10%,聚环氧丙烷40‑55%,交联剂0.2‑5%,余量为甘油三月桂酸酯。该缓控释肥料由肥料核芯和包覆所述肥料核芯的包膜组成,所述肥料核芯为水溶性颗粒肥料,所述包膜由上述的包膜材料制成。本发明还提供了上述缓控释肥料的制备方法。本发明提供的缓控释肥料能够根据外界温度自动响应肥料的释放温度,冬季肥料正常缓释,其他相对高温季节极少或者减少肥料的释放,从而起到了一个保肥的效果,避免了肥料浪费和人工重复施肥,是一种很有发展前景的包膜缓控释肥料
  • 一种温敏型包膜材料温敏型缓控释肥料及其制备方法
  • [发明专利]一种测量MOSFET器件峰值结分布的方法-CN201210524530.7在审
  • 朱阳军;陆江;董少华;田晓丽;王任卿 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-12-07 - 2014-06-11 - G01K7/01
  • 本发明公开了一种测量MOSFET器件峰值结分布的方法,属于MOSFET器件的技术领域。该方法包括在恒温装置采集MOSFET器件的多阶梯恒流脉冲所对应的参数,获得MOSFET器件的电流-参数-温度三维曲线簇;选定基准电流,得到基准电流的序列;根据电流-参数-温度三维曲线簇和基准电流的序列,得到电流-有效面积-参数-温度曲线簇;通过多阶梯恒流重复脉冲测试MOSFET器件,得到零时刻参数;根据零时刻参数和电流-有效面积-参数-温度曲线簇,得到不同有效面积所对应的结。本发明通过测量器件有源区的相关参数,可以提供更准确可靠的信息,与实际的温度分布和峰值结符合的较好。
  • 一种测量mosfet器件峰值分布方法
  • [发明专利]一种铂金催化剂及其制备方法-CN200910227038.1有效
  • 周光红;姜其斌;李鸿岩;李钦;黎勇 - 株洲时代电气绝缘有限责任公司
  • 2009-11-27 - 2010-06-02 - B01J23/42
  • 本发明公开了一种铂金催化剂及其制备方法,该铂金催化剂采用高比表面积的纳米材料作为载体,利用纳米材料的吸附作用将铂金络合物吸附在纳米材料的表面,再经过热处理使其达到稳定,然后再在其表面包裹一层树脂,经过干燥处理可得到铂金催化剂粉体或将其分散至液相体系中得到铂金催化剂胶体。该铂金催化剂具有如下显著特点,即在树脂软化点温度下,催化剂非常稳定,几乎没有催化作用,而一旦高于该温度,则立即显现出高的催化活性,达到快速固化的目的。该铂金催化剂适用于中高温围化的加成型的硅橡胶、硅树脂的固化体系。
  • 一种温敏型铂金催化剂及其制备方法

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