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[发明专利]波导宽边宽带耦合电桥-CN202210848290.X在审
发明人：胡南;谢文青;刘建睿;刘爽;赵丽新 -专利权人：北京星英联微波科技有限责任公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种波导宽边宽带耦合电桥，涉及耦合电桥技术领域。所述电桥包括上壳体、中间板以及下壳体，所述上壳体与中间板之间形成有第一波导耦合腔，且所述第一波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的同一侧的长边侧面上，所述中间板与下壳体之间形成有第二波导耦合腔，且所述第二波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的另一侧的长边侧面上，所述第一波导耦合腔与第二波导耦合腔的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体与第二波导耦合腔体之间通过位于中间板上的耦合孔进行耦合连通。
波导宽边宽带耦合电桥

[发明专利]天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片-CN202211216180.8在审
发明人：黄雪娟;王典;李珊;陈哲凡;庄凯杰 -专利权人：加特兰微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：一种天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片，所述天线结构包括：用于提供电磁波信号的共面波导馈电结构，用于对电磁波信号进行辐射的基片集成波导谐振腔，其中：基片集成波导谐振腔通过第一金属层、第二金属层，以及第一金属层与第二金属层之间连接的金属化过孔构成，基片集成波导谐振腔腔体为一整体空间，基片集成波导谐振腔的第一金属层设置有至少两个缝隙辐射部，每个缝隙辐射部包括沿第一方向排布的至少两个缝隙单元，缝隙辐射部沿第二方向排布；共面波导馈电结构包括至少一个馈电部，馈电部耦接于基片集成波导谐振腔，以将馈电信号传输至基片集成波导谐振腔，共面波导馈电结构中的馈电部向与本馈电部相邻的缝隙辐射部馈电。
天线结构印刷电路雷达传感器芯片

[发明专利]基于一维光子晶体耦合微环腔的生物传感器-CN201710873241.0有效
发明人：王卓然;袁国慧;彭芳草;管磊;彭真明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于一维光子晶体耦合微环腔的生物传感器，包括第一直波导、微环谐振腔和第二直波导，微环谐振腔位于第一直波导和第二直波导之间，第一直波导和微环谐振腔耦合形成耦合点，第一直波导上设有一维光子晶体组，一维光子晶体组水平的分布在第一直波导上；一维光子晶体组包括非均匀圆孔组和均匀圆孔组，第一直波导上从两端到耦合点的方向上依次对称的设有均匀圆孔组和非均匀圆孔组。本发明所提供的基于一维光子晶体耦合微环腔的生物传感器，通过在输入直波导上刻蚀一维光子晶体，相较于传统微环谐振腔所产生的对称线型(洛伦兹线型)，非对称线型在传感领域更加有优势。
基于光子晶体耦合微环腔生物传感器

[发明专利]太赫兹波导腔体滤波器-CN201310066735.X无效
发明人：胡江;张勇;谢善谊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹波导腔体滤波器，由位于上部的上腔体和位于下部的下腔体层叠构成，所述上腔体封盖在下腔体上并在两者结合处具有镂空结构形成的波导腔，所述波导腔位于下腔体内；所述第三谐振腔与波导输出段之间通过第五感性耦合窗串联；所述波导输入段、第一感性耦合窗、第一谐振腔、第三感性耦合窗、第二谐振腔、第二感性耦合窗和波导输出段依次串联构成耦合路径一作为主信号通路；所述波导输入段、第四感性耦合窗、第三谐振腔、第五感性耦合窗和波导输出段依次串联构成耦合路径二本发明的有益效果是：波导腔体滤波器通带位于380～390GHz频段，可以利用本频段大气吸收窗口实现特定条件下的通信等特点。
赫兹波导滤波器

[实用新型]太赫兹波导腔体滤波器-CN201320095879.3有效
发明人：胡江;张勇;谢善谊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型涉及太赫兹波导腔体滤波器，由位于上部的上腔体和位于下部的下腔体层叠构成，所述上腔体封盖在下腔体上并在两者结合处具有镂空结构形成的波导腔，所述波导腔位于下腔体内；所述第三谐振腔与波导输出段之间通过第五感性耦合窗串联；所述波导输入段、第一感性耦合窗、第一谐振腔、第三感性耦合窗、第二谐振腔、第二感性耦合窗和波导输出段依次串联构成耦合路径一作为主信号通路；所述波导输入段、第四感性耦合窗、第三谐振腔、第五感性耦合窗和波导输出段依次串联构成耦合路径二本实用新型的有益效果：波导腔体滤波器通带位于380～390GHz频段，可以利用本频段大气吸收窗口实现特定条件下的通信等特点。
赫兹波导滤波器

[实用新型]一种用于5G测试的单极化高增益喇叭天线-CN201922243875.5有效
发明人：蒙汉泉;付林;张资华;刘志国;黄仁仪;程序;谭艳国 -专利权人：珠海博杰电子股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01Q13/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于5G测试的单极化高增益喇叭天线，包括同轴波导转换器、喇叭管、射频连接器，所述同轴波导转换器内设有一端开口的直波导腔，所述喇叭管内设有两端开口的喇叭腔，所述同轴波导转换器与喇叭管的一端相连，所述直波导腔与喇叭腔组成天线腔，所述射频连接器上设有射频端，所述射频连接器固定在同轴波导转换器上，所述射频端设于直波导腔内，所述喇叭天线增益值不小于11dBi。本实用新型采用同轴波导转换器、喇叭管、射频连接器的组合，形成单极天线，降低了天线的加工难度，同时同轴波导转换器可与不同的喇叭管配合，实现增益值的改变，提高单极天线的实用性。
一种用于测试极化增益喇叭天线

[实用新型]一种用于5G测试的单极化低增益喇叭天线-CN201922243966.9有效
发明人：蒙汉泉;付林;张资华;刘志国;黄仁仪;程序;谭艳国 -专利权人：珠海博杰电子股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01Q13/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于5G测试的单极化低增益喇叭天线，包括同轴波导转换器、喇叭管、射频连接器，所述同轴波导转换器内设有一端开口的直波导腔，所述喇叭管内设有两端开口的喇叭腔，所述同轴波导转换器与喇叭管的一端相连，所述直波导腔与喇叭腔组成天线腔，所述射频连接器上设有射频端，所述射频连接器固定在同轴波导转换器上，所述射频端设于直波导腔内，所述喇叭天线增益值不大于12dBi。本实用新型采用同轴波导转换器、喇叭管、射频连接器的组合，形成单极天线，降低了天线的加工难度，同时同轴波导转换器可与不同的喇叭管配合，实现增益值的改变，提高单极天线的实用性。
一种用于测试极化增益喇叭天线

[实用新型]波导宽边宽带耦合电桥-CN202221858194.5有效
发明人：胡南;谢文青;刘建睿;刘爽;赵丽新 -专利权人：北京星英联微波科技有限责任公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波导宽边宽带耦合电桥，涉及耦合电桥技术领域。所述电桥包括上壳体、中间板以及下壳体，所述上壳体与中间板之间形成有第一波导耦合腔，且所述第一波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的同一侧的长边侧面上，所述中间板与下壳体之间形成有第二波导耦合腔，且所述第二波导耦合腔的两个端口位于矩形的宽边耦合电桥的另一侧的长边侧面上，所述第一波导耦合腔与第二波导耦合腔的中间部分在上下投影方向上具有重叠，且该重叠部分沿所述耦合电桥的宽边设置，所述第一波导耦合腔体与第二波导耦合腔体之间通过位于中间板上的耦合孔进行耦合连通。
波导宽边宽带耦合电桥

[发明专利]由多个介电波导制成的多缆线-CN202080036342.2在审
发明人： E·科彭多费尔;T·芬克;D·多纳;F·迪斯特勒 -专利权人：莱尼电缆有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：该电介质形成腔室，该腔室也可由电介质填充。缆线另外具有第一介电波导元件和第二介电波导元件。第一介电波导元件与第二介电波导元件相距一定距离布置，其中第一介电波导元件沿缆线的纵向方向延伸穿过由电介质形成的腔室，且第二介电波导元件沿缆线的纵向方向延伸穿过由电介质形成的腔室。第一介电波导元件的优选极化方向不同于第二介电波导元件的优选极化方向。本发明还涉及一种用于生产缆线的方法。
多个介电波导制成缆线

[发明专利]硅基延时可调光延迟线及其制作方法-CN201110364951.3无效
发明人：李运涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：一种硅基延时可调光延迟线，包括：一输入波导及一直通端，该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；一上载端及一下载端，该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；一光学谐振腔，该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间，并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合；两调谐电极，该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧
延时调光延迟线及其制作方法

[实用新型]一种高功率波导合成器-CN202022513653.3有效
发明人：雍正平;王文波 -专利权人：成都星航微波技术有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高功率波导合成器，涉及波导合成器技术领域。本实用新型包括波导合成输入盒，上述波导合成输入盒内的上部设有线板腔体，上述线板腔体内设有线板导体，上述波导合成输入盒上设有多个波导输入端，多个上述波导输入端均与上述线板导体连接，上述波导合成输入盒内的下部设有的冷却腔，上述冷却腔与上述线板腔体连通，上述冷却腔内设有制冷组件，上述制冷组件用于上述线板腔体内的降温，上述波导合成输入盒上连接有输出通道，上述输出通道的输出端连接有输出波导。本实用新型解决了现有多路高功率波导合成器不易散热的问题。
一种功率波导合成器

[发明专利]圆极化波导缝隙阵天线-CN201910810866.1在审
发明人：刘熠志;李峰;于慧娟 -专利权人：西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01Q21/08 文献下载
摘要：本发明公开的一种圆极化波导缝隙阵天线，旨在提供一种高效率、低副瓣和较宽频带圆极化波导缝隙阵天线。本发明通过下述技术方案予以实现：圆极化器由线阵排列的矩形辐射腔和对应的矩形过渡腔组成，并且每个矩形辐射腔的底部制有倾斜缝，从而形成圆极化辐射单元；每个矩形过渡腔底部制有波导宽边纵缝及其垂直相连的耦合波导，耦合波导和其上的宽边纵缝形成波导耦合线阵；波导耦合线阵由开在其下的波导宽边横缝垂直连接馈电波导；辐射信号经馈电网络分配到波导耦合线阵，波导耦合线阵上的波导宽边纵缝将信号耦合到圆极化辐射器，形成圆极化信号并对外辐射
波导耦合线阵波导宽边纵缝波导缝隙矩形辐射耦合波导低副瓣高效率过渡腔圆极化阵天线圆极化辐射单元宽带圆极化圆极化辐射圆极化信号垂直连接垂直相连辐射信号馈电波导馈电网络线阵排列信号耦合圆极化器宽频带天线阵横缝宽边紧凑辐射灵活分配

[发明专利]一种波导天线单元及波导阵列天线-CN202110723897.0在审
发明人：刘东翔;胡国云 -专利权人：深圳金信诺高新技术股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明涉及波导阵列天线技术领域，公开一种波导天线单元及波导阵列天线。其中波导天线单元包括波导辐射器、波导背腔以及置于波导辐射器和波导背腔之间的馈电层，波导背腔包括至少一个第一印制板和多个金属化过孔，每个第一印制板的两面均设置有第一金属层，除距离馈电层最远的第一金属层外，其余第一金属层均设置有孔洞，孔洞的截面形状与波导辐射器相适配；金属化贯穿第一印制板和第一金属层，且均匀分布于孔洞的边缘，金属化过孔与第一金属层围设成金属栅网，馈电层设置有输出端，输出端在波导背腔上的投影位于金属栅网内本发明设置了金属栅网，使得波导天线单元具有良好的电气性能，同时体积也更加轻便小巧。
一种波导天线单元阵列

[发明专利]基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用-CN202011045367.7在审
发明人：王学友;郑婉华;王宇飞;傅廷;陈静瑄 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器及其应用，该多腔耦合激光器包括N面电极层；N型波导层，设置在N面电极层上；有源区层，设置在N型波导层上；P型波导层，设置在有源区层上，其上设有至少两个增益损耗脊型波导单元，每个增益损耗脊型波导单元均包括一个损耗脊型波导和一个增益脊型波导；绝缘层，覆盖在P型波导层上，在损耗脊型波导和增益脊型波导顶部设有窗口区域；以及P面电极层，包括损耗脊型波导P面电极和增益脊型波导P面电极本发明提供的这种基于宇称时间对称性的多腔耦合激光器，通过对宇称时间对称性的调控实现对多腔能量分布调控的同时，可以实现对大功率激光器光束质量的优化。
基于时间对称性耦合激光器及其应用

[发明专利]太赫兹波SR锁存器-CN201610466167.6有效
发明人：李九生;莫国强;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：它包括二维周期排列在介质板中的介质柱及位于介质柱之间的置1信号输入端、置0信号输入端、第一信号输入端、第二信号输入端、第三信号输入端、第四信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端、第一直线波导、第二直线波导、第三直线波导、第四直线波导、第五直线波导、第六直线波导、第七直线波导、第八直线波导、第一L形波导、第二L形波导、第一J形波导、第二J形波导、第一多模干涉区域、第二多模干涉区域、第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔。
赫兹 sr 锁存器