专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种镧锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法-CN201710209911.9有效
  • 王传彬;吴兰;沈强;张联盟 - 武汉理工大学
  • 2017-03-31 - 2019-11-26 - C04B35/50
  • 本发明涉及一种镧锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法。具体是:首先采用固相反应法制得镧锰氧粉体;然后分别称量镧锰氧粉体和氧化锌铝粉体,放入行星球磨机中,混合均匀;将混合粉置于等离子活化烧结炉中进行烧结,烧结条件为:烧结温度1000~1200℃、保温时间3~15min、烧结压力10~50MPa,最后得到镧锰氧/氧化锌铝复相陶瓷。本发明添加半导体氧化锌铝粉体第二相,利用其优化与镧锰氧基体晶粒间的界面效应、导电通道以及良好的助烧作用,能够显著提升镧锰氧陶瓷室温附近的低场磁电阻效应,0.5T低磁场下磁电阻≥14%。同时采用等离子活化烧结工艺,实现了镧锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的低温快速致密烧结(致密度>96%)。
  • 一种镧锶锰氧氧化锌铝复相陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种钛酸氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法-CN202211359763.6在审
  • 岳建岭;杨泽欧;胡海龙;黄小忠 - 中南大学
  • 2022-11-02 - 2022-12-23 - H01L45/00
  • 本发明提供一种钛酸氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:以掺铌钛酸单晶衬底作为底电极;在掺铌钛酸单晶衬底表面交替沉积钛酸层和另一类氧化物膜层,制备得到钛酸氧化物超晶格薄膜作为存储介质层,其中,另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种;在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极,得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜,忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
  • 一种钛酸锶基氧化物晶格薄膜忆阻器及其制备方法
  • [发明专利]用硫化碱废渣制备硫化、碳酸钙和氢氧化钠的方法-CN201010615481.9无效
  • 谢善情 - 谢善情
  • 2010-12-31 - 2011-07-06 - C01F11/00
  • 本发明提供了用硫化碱废渣制备硫化、碳酸钙和氢氧化钠的方法,硫化碱废渣和碳酸氢混合反应,得到含硫化、碳酸钠和碳酸氢钠的混合物;经过滤,得澄清的含碳酸钠和碳酸氢钠的溶液和含硫化的滤饼;硫化的滤饼经洗涤,干燥,粉碎,得到硫化产品;含碳酸钠和碳酸氢钠的溶液与过量氢氧化钙溶液反应,得到含碳酸钙沉淀和氢氧化钠溶液的混合物,过滤,得到碳酸钙滤饼和含氢氧化钠的溶液,碳酸钙滤饼经过洗涤,干燥,粉碎,得到碳酸钙产品;含氢氧化钠的溶液蒸馏为氢氧化钠过饱和溶液,喷雾干燥,得到氢氧化钠产品。
  • 硫化废渣制备碳酸钙氢氧化钠方法
  • [发明专利]钛酸单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法-CN200510021182.1无效
  • 梁柱;李言荣;朱俊;张鹰 - 电子科技大学
  • 2005-06-29 - 2006-02-22 - C01F5/02
  • 钛酸单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法,涉及微电子材料领域,特别涉及应用于氧化物(氧化镁)-复合氧化物(钛酸)异质外延中纳米线及其表面周期结构的制备方法。本发明的方法为:在真空环境下,对钛酸单晶基片进行热处理然后以激光剥离氧化镁陶瓷靶材,产生的激光等离子体沉积在钛酸单晶基片上,制得氧化镁薄膜;同时监控沉积过程,在钛酸基片上形成有序表面周期结构的氧化镁纳米线后本发明制得的具有序表面周期结构的氧化镁纳米线,将使氧化镁这种功能材料在纳米尺度的范围内体现出有别于块材的特殊光、电、磁、化性质。
  • 钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米方法
  • [发明专利]一种高纯无水碘化的制备方法-CN202211684381.0在审
  • 郑霄;刘伟;陆海松;孙磊;王伟;刘柱 - 奕瑞新材料科技(太仓)有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-05-16 - C01F11/20
  • 本发明属于卤化物材料制备技术领域,具体涉及一种高纯无水碘化的制备方法。将含碘化的水溶液浓缩结晶得到含结晶水的碘化;然后将含结晶水的碘化在真空下加热脱除结晶水,得到脱水碘化;然后将脱水碘化加热熔化形成熔体,熔体中的残余水与碘化反应形成含氧化物;然后使熔体透过惰性的过滤介质滤除含氧化物,过滤后的熔体冷却得到所述高纯无水碘化。本发明的制备方法,所需原料廉价易得,实施过程中无污染物排放,可以以较低的成本制备出品质优良的高纯无水碘化,可直接作为碘化闪烁晶体生长原料,得到的闪烁晶体可以达到商业γ射线探测器使用要求。本发明方法可以制备出纯度达到99.99%,氧含量<10ppm的高纯无水碘化
  • 一种高纯无水碘化制备方法
  • [发明专利]一种浇注料-CN201710460477.1有效
  • 高俊;薛焱璟;王磊 - 河北友同科力耐火材料制造有限公司
  • 2017-06-17 - 2020-07-31 - C04B35/66
  • 其中添加料的制备是将氧化镁及氧化钇放入碾磨机中碾磨,收集碾磨物,将碾磨物、碳酸及碳化硼搅拌均匀,即可得添加料,本发明使用膨胀系数低的莫来石作为基料,防止浇注料在受热时膨胀,影响使用,同时在添加料中添加碳酸及碳化硼,在高温条件,碳酸分解,形成氧化氧化与原料中的二氧化硅进行结合,增加浇注料的耐温性能,增加添加料与基料的结合性,碳化硼与氧化钇形成硼钇合金,提高耐温性能及力学性能。
  • 一种浇注

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