专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氧化镀膜设备异常检测方法-CN202111415990.1在审
  • 王贵梅;张华灿;胡明强 - 晶澳太阳能有限公司
  • 2021-11-25 - 2022-03-15 - C23C16/52
  • 本申请涉及太阳能电池制造领域,具体公开了一种氧化镀膜设备异常检测方法,包括以下步骤:将硅片放置于所述氧化镀膜设备的气孔下方,所述气孔与用于反应生成氧化的铝和氧连通;打开所述铝和所述氧;在所述硅片表面镀氧化薄膜,控制所述氧化薄膜的厚度使所述氧化薄膜能够反射可见光;直接观察硅片表面的所述氧化薄膜以判断所述氧化镀膜设备是否存在异常。本申请通过直接观察硅片表面的氧化薄膜判断硅片镀膜效果,提升了检测效率。
  • 一种氧化铝镀膜设备异常检测方法
  • [发明专利]一种制备氧化-二氧化硅柔性气凝胶隔热毡的方法-CN201310462917.9有效
  • 余煜玺;赖德林 - 余煜玺
  • 2013-09-30 - 2014-01-29 - F16L59/02
  • 本发明公开了一种制备氧化-二氧化硅柔性气凝胶隔热毡的方法,包括如下步骤:(1)将铝置于水中进行水解反应和缩聚反应,得到稳定的氧化溶胶,其中铝与水的摩尔比为1:30-300;(2)将硅、水、醇和上述氧化溶胶混合,在催化剂作用下,经水解和缩聚反应得到氧化-二氧化硅溶胶;(3)将上述氧化-二氧化硅溶胶浇筑到纤维预制件上,形成浸胶预制件,再在氧化-二氧化硅溶胶凝固或不凝固的状态下对上述浸胶预制件进行超临界干燥,即得所述氧化-二氧化硅柔性气凝胶隔热毡。本发明的制备氧化-二氧化硅柔性气凝胶隔热毡的方法工艺过程简单成本低廉。
  • 一种制备氧化铝二氧化硅柔性凝胶隔热方法
  • [发明专利]一种高比表面积的β-氟化铝的制备方法-CN201010208661.5无效
  • 罗孟飞;贾文志;王月娟;谢冠群 - 浙江师范大学
  • 2010-06-24 - 2010-10-20 - C01F7/50
  • 本发明是一种高比表面积的β-氟化铝的制备方法。本发明针对在现有的制备高比表面积氟化铝所存在的制备工艺复杂、制备周期长、不便于操作与控制、对装置腐蚀性大的不足之处,提供一种制备方法简单、制备周期短、易于操作和控制、对装置腐蚀性小的高比表面积的β-氟化铝的制备方法本发明的技术方案是:以γ-氧化、炭、HF气体为原料,采用等体积浸渍的方法把炭的水溶液浸渍到γ-氧化中,经浸渍炭后的γ-氧化通过干燥、炭化后得到含炭的γ-氧化,再将含炭的γ-氧化和HF气体反应得到含炭的氟化铝,最后经过脱除炭、酸处理、洗涤、干燥、煅烧得到高比表面积的β-氟化铝
  • 一种表面积氟化制备方法
  • [发明专利]一种基于n型氮化镓的GAA-HEMT反相器的制备方法-CN202211559928.4在审
  • 陈增发;高麟飞;蒋忠伟;黄双武;贺威;黎晓华;刘新科 - 深圳大学
  • 2022-12-06 - 2023-06-23 - H01L21/335
  • 本发明公开基于n型氮化镓的GAA‑HEMT反相器的制备方法,包括:S1在GaN单晶衬底生长氧化,制作阻挡层刻蚀中部并沉积金属栅极;S2刻蚀栅极中部形成凹槽,沉积氧化,刻蚀氧化的中间和两边,在刻蚀区域生长GaN纳米片以及生长AlGaN纳米片后掺入Si,生长GaN纳米片掺入Mg形成p‑GaN纳米片;S3刻蚀p‑GaN纳米片使其宽度和栅极相同,在两层纳米片的厚度方向蒸镀金属膜制备极和漏极,在器件表面生长氧化覆盖p‑GaN纳米片和AlGaN纳米片,沉积金属栅极覆盖氧化形成E‑mode GaN;S4生长氧化,刻蚀氧化中部沉积金属栅极,并按S2和S3的方式在制备GaN纳米片、AlGaN纳米片、极和漏极,生长氧化覆盖AlGaN纳米片,沉积金属栅极覆盖氧化形成GAA结构的D‑mode GaN。
  • 一种基于氮化gaahemt反相器制备方法
  • [发明专利]一种高纯氢氧化的制备方法和装置以及高纯氧化的制备方法-CN202211636403.6在审
  • 赵伟轩 - 赵伟轩
  • 2022-12-20 - 2023-04-18 - C01F7/428
  • 本发明涉及氧化制备技术领域,提供了一种高纯氢氧化的制备方法和装置以及高纯氧化的制备方法。本发明采用纯度为99.7%以上的铝为原料,通过控制第一加热反应的条件,使得第一反应液中存在较多未结晶的氢氧化离子,然后将通过三级过滤将这一部分未结晶的氢氧化离子分离出来,和新的催化剂溶液混合,在更加纯净的环境中继续诱导分解结晶,从而得到高纯度的氢氧化,进而通过煅烧得到高纯度的氧化。基于以上原理,本发明实现了以纯度为99.7%以上的铝为原料制备纯度为4N5以上的高纯氧化。本发明还提供了一种制备高纯氢氧化的装置,本发明提供的装置操作简单,容易控制,方便进行循环加料和产料。
  • 一种高纯氢氧化铝制备方法装置以及氧化铝

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