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[发明专利]离子传导膜结构-CN201610072963.1在审
发明人： D.E.巴恩韦尔;A.J.霍奇金森;T.R.拉尔夫 -专利权人：约翰逊马西燃料电池有限公司
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01M8/1051 文献下载
摘要：本发明公开了离子传导膜结构，其包含(i)离子传导膜，其中所述膜具有第一面和第二面，(ii)选自铈氧化物、锰氧化物、钛氧化物、铍氧化物、铋氧化物、锆氧化物、镓氧化物、锗氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铌氧化物、铪氧化物、钒氧化物和镧氧化物的第一过氧化氢分解催化剂和(iii)第一自由基清除剂，其为再生抗氧化剂，其中所述第一过氧化氢分解催化剂以所述离子传导膜结构的0.001-5％重量的量包埋在所述离子传导膜内。本发明还公开了包含该离子传导膜结构的涂覆了催化剂的离子传导膜结构、膜电极和燃料电池。
离子传导膜结构

[发明专利]测试键结构及其形成方法-CN201310542821.3在审
发明人：陈建奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试键结构，包括：第一浮栅，第二浮栅、浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构表面的氧化物—氮化硅—氧化物膜，位于所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面的控制栅，在所述测试键结构中，氧化物—氮化硅—氧化物膜覆盖于所述浮栅上表面，也覆盖于所述浮栅侧面以及所述浅沟槽隔离结构的表面，这样的氧化物—氮化硅—氧化物膜的形貌能够模拟实际FLASH存储单元中的氧化物—氮化硅—氧化物膜的真实形貌，从而对实际FLASH存储单元中的氧化物—氮化硅—氧化物膜的成膜质量进行更准确的测试与监控。
测试结构及其形成方法

[发明专利]金属氧化物膜结构物-CN201480038097.3有效
发明人：金沃律;金沃珉 -专利权人：株式公司品维斯;金沃律;金沃珉
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成于基材表面的金属氧化物膜结构物，涉及由于组成金属氧化物膜的金属元素的原子个数和氧元素的原子个数呈现出非化学计量的特性，从而使金属氧化物膜的密度致密地形成为涂敷前的金属氧化物密度的90％～100％，且无裂痕及气孔的金属氧化物膜结构物，本发明提供金属氧化物膜结构物，形成于基材的表面，上述金属氧化物膜结构物的特征在于，当由XaYb标记的金属氧化物形成为金属氧化物膜结构物时，上述金属氧化物膜结构物的金属元素原子百分比大于{a/(a+b)}×100(％)，其中，X为金属元素，Y为氧元素，a为金属元素原子个数，b为氧元素原子个数，上述金属氧化物膜结构物包含纳米结晶质粒子和纳米非结晶质粒子，用于构成上述金属氧化物膜结构物的粒子不伴随基于热的生长及基于热而变为结晶质，上述金属氧化物膜结构物无裂痕及气孔。
金属氧化物膜结构

[发明专利]作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化物-CN96190844.0无效
发明人： B·H·T·切尔 -专利权人：中佛罗里达大学
申请日： 1996-06-10 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及作为III-V族氮化物半导体薄膜淀积用晶格匹配衬底的改进的纤锌矿结构氧化物。它包括锂铝氧化物(LiAlO↓[2])、钠铝氧化物(NaAlO↓[2])、锂镓氧化物(GaAlO↓[2])、钠镓氧化物(NaGaO↓[2])、锂锗氧化物(Li↓[2]GeO↓[3])、钠锗氧化物(Na↓较佳的晶格匹配衬底还包括两个或两个以上上面所列改进的纤锌矿结构氧化物组成的混晶。而且，较佳的晶格匹配衬底包括所有用下述元素Be、B、N、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In和Sb替代的改进纤锌矿结构氧化物及其它们的混晶。除了只能部分替代氧的N例外，其它元素都能够部分替代上述纤锌矿结构氧化物的阳离子。
作为半导体外延薄膜生长衬底锌矿结构氧化物

[发明专利]TFT结构及其制备方法、显示面板、显示装置-CN202110981250.8在审
发明人：童庆;向康;安晖;张敏;彭洪勇 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT结构及其制备方法、显示面板、显示装置。所述TFT结构包括栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源极和漏极，氧化物有源层包括层叠设置的第一氧化物层、第二氧化物层和第三氧化物层，第一氧化物层邻近栅绝缘层，第三氧化物层远离栅绝缘层，第二氧化物层位于第一氧化物层和第三氧化物层之间；第一氧化物层和第三氧化物层的迁移率低于第二氧化物层的迁移率。上述TFT结构可以通过第一氧化物层阻挡光照射在第二氧化物层上，从而避免TFT结构的失效；此外，第三氧化物层也可以保护第二氧化物层，避免其在后续制程中被污染。
tft 结构及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构-CN201410445154.1有效
发明人：李文辉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的，因此可提高开口率
氧化物半导体 tft 制作方法结构

[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构-CN201410444172.8在审
发明人：李文辉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道及源极，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物半导体层具有较好的爬坡，且氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的
氧化物半导体 tft 制作方法结构

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202110047069.X在审
发明人：杨蒙蒙;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，用于解决半导体结构的氧化物厚度较大的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括器件区域和浅沟槽隔离区域，浅沟槽隔离区域环绕器件区域，器件区域暴露于基底表面；于基底上沉积阻挡层，阻挡层至少覆盖器件区域；形成初始氧化物，初始氧化物位于器件区域内，且与阻挡层接触；去除部分初始氧化物，形成器件氧化物。形成初始氧化物时，利用阻挡层遮挡器件区域，可以减缓初始氧化物的生长速率，控制初始氧化物的厚度，形成较薄的初始氧化物，最终形成较薄的器件氧化物。此外，去除部分初始氧化物后形成器件氧化物，进一步减小了器件氧化物的厚度。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种锂电池隔膜及其制备方法-CN201910269514.X有效
发明人：施利毅;杨建;袁帅;王竹仪 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂电池隔膜及其制备方法，本发明的锂电池隔膜包括多孔聚烯烃基膜和核壳结构无机氧化物涂层，所述核壳结构无机氧化物涂层位于所述多孔聚烯烃基膜表面，核壳结构无机氧化物涂层的涂覆物料为核壳结构无机氧化物颗粒，所述核壳结构无机氧化物颗粒包括亚微米的无机氧化物核和纳米无机氧化物壳层。
一种锂电池隔膜及其制备方法

[发明专利]具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠-CN201280000107.5在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层的化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含硅闸极层。
具有多重氧化物氮化物堆叠

[发明专利]铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达-CN201110064029.2有效
发明人：薮田久人;久保田纯;岛田干夫;高岛健二;内田文生;前田宪二;清水千惠美 -专利权人：佳能株式会社;富士化学株式会社
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
氧化物粉末制造方法陶瓷压电元件排液头超声波马达

[发明专利]一种以陶瓷为基材的空气净化材料及其制备方法和应用-CN202011467367.6有效
发明人：锁国权;程妍;侯小江;冯雷;叶晓慧;张荔;杨艳玲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B01D39/20 文献下载
摘要：一种以陶瓷为基材的空气净化材料及其制备方法和应用，包括基材，金属氧化物晶种层和锰氧化物多孔纳米管阵列结构，所述金属氧化物晶种层由金属醋酸盐水溶液制备，所述锰氧化物为由高锰酸盐和草酸盐制备的水钠锰矿型锰氧化物多孔纳米管阵列结构本发明通过在基体上构筑一层金属氧化物晶种层，诱导生长锰氧化物多孔空心纳米管阵列结构，氧化物晶种层能够牢固地链接锰氧化物纳米结构与基体，从而有效解决了锰氧化物掉粉的难题。
一种陶瓷基材空气净化材料及其制备方法应用

[发明专利]具有涂覆碳化硼的金属氧化物/磷酸盐的燃料电池催化剂载体及其制备方法-CN200880131198.X无效
发明人： B·默佐圭;M·邵;L·V·普罗特塞罗 -专利权人： UTC电力公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：一种燃料电池催化剂载体包括含有金属氧化物和/或金属磷酸盐的载体结构，且在该载体结构上涂覆有碳化硼层。示例性的金属氧化物包括钛氧化物，锆氧化物，钨氧化物，钽氧化物，铌氧化物，以及钇、钼、铟和锡的氧化物，及其磷酸盐。碳化硼层可通过例如化学或机械方式设置在该载体结构上。最后，催化剂层沉积在该碳化硼层上。
具有碳化金属氧化物磷酸盐燃料电池催化剂载体及其制备方法

[发明专利]复合金属氧化物、该复合金属氧化物的制造方法、钠二次电池用正极活性物质、钠二次电池用正极及钠二次电池-CN201180053208.4有效
发明人：薮内直明;驹场慎一;岩立淳一 -专利权人：学校法人东京理科大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明提供能够提高钠二次电池的电池性能的复合金属氧化物、该复合金属氧化物的制造方法、由该复合金属氧化物构成的正极活性物质、使用该复合金属氧化物制作成的正极、以及具有该正极的钠二次电池。复合金属氧化物以下式(I)表示，由具有P2结构的氧化物和作为堆垛层错的具有八面体及/或三棱柱结构的层状氧化物构成。作为层状氧化物优选为具有O3结构的氧化物。
复合金属氧化物制造方法二次电池正极活性物质

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863089.9在审
发明人：江家维;范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括基板、半导体结构、第一栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。半导体结构包括第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层。第二金属氧化物层覆盖第一金属氧化物层的顶面以及侧壁。第二金属氧化物层于第一金属氧化物层的侧壁处具有阶梯结构。第一金属氧化物层的载子迁移率大于第二金属氧化物层的通道区的载子迁移率。第二金属氧化物层的厚度大于或等于第一金属氧化物层的厚度。第一栅极的宽度与第一金属氧化物层的宽度差值小于0.5微米。
半导体装置及其制造方法

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