专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种伸缩剑杆机用纱线张力器-CN201320418122.3有效
  • 金洪法 - 嵊州市宏佳机械有限公司
  • 2013-07-12 - 2014-01-15 - D03D47/34
  • 本实用新型公开了一种伸缩剑杆机用纱线张力器,包括机座、L导纱瓷孔支座板、导纱瓷孔固定支座板,机座上设有固定螺孔,L导纱瓷孔支座板和导纱瓷孔固定支座板之间设有纱线,机座上设有钢板,钢板上纵向设有两根针,两根针交叉设置,两根针形成为针组,针组上设有扣带,针包括第一针、第二针、第三针,第一针和第二针滑动连接,第二针和第三针滑动连接。本实用新型可以调整引纱张力的大小,有效地提高了织布机的开台效率和产品质量,同时可以调整针的长短,防止针的断裂,增加剑杆机的使用寿命。
  • 一种伸缩型剑杆机用纱线张力
  • [发明专利]一种硅像素探测单元及硅像素探测器-CN202010718308.5在审
  • 李正;李玉云 - 湖南正芯微电子探测器有限公司
  • 2020-07-23 - 2020-10-30 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种硅像素探测单元及硅像素探测器,硅像素探测器为采用硅像素探测单元组成的硅像素探测单元阵列。硅像素探测单元包括硅基体,硅基体顶面生成有二氧化硅层,二氧化硅层内刻蚀有P+阴极,硅基体的底面刻蚀有n+阳极;P+阴极由第一阴极和第二阴极组成,第一阴极和第二阴极由一个L阴极以及位于L阴极内并与其连接的多个条型阴极组成,两者的L阴极相距一定距离相对设置,两者的多个条型阴极相互平行交叉设置,且第一阴极的L阴极不与第二阴极的条型阴极连接,其条型阴极不与第二阴极的L阴极连接
  • 一种梳状硅像素探测单元探测器
  • [实用新型]一种硅像素探测单元及硅像素探测器-CN202021495440.6有效
  • 李正;李玉云 - 湖南正芯微电子探测器有限公司
  • 2020-07-23 - 2021-01-08 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种硅像素探测单元及硅像素探测器,硅像素探测器为采用硅像素探测单元组成的硅像素探测单元阵列。硅像素探测单元包括硅基体,硅基体顶面生成有二氧化硅层,二氧化硅层内刻蚀有P+阴极,硅基体的底面刻蚀有n+阳极;P+阴极由第一阴极和第二阴极组成,第一阴极和第二阴极由一个L阴极以及位于L阴极内并与其连接的多个条型阴极组成,两者的L阴极相距一定距离相对设置,两者的多个条型阴极相互平行交叉设置,且第一阴极的L阴极不与第二阴极的条型阴极连接,其条型阴极不与第二阴极的L阴极连接
  • 一种梳状硅像素探测单元探测器
  • [实用新型]多功能计数器-CN202020693111.6有效
  • 王大俊 - 王大俊
  • 2020-04-22 - 2021-02-02 - G06C1/00
  • 多功能计数器,是在现有市售计数器的基础上,能根据使用功能的需要设置条(9)或体及框;所述条(9)、体及框都设置有齿(11)、口(12)和固定齿(10);条(9)、体及框的口(12)能穿过计数器的U杆(5),两端的固定齿(10)固定在有带框架的计数器的框架(4)上或不带框架的计数器的固定板(14)上。
  • 多功能计数器
  • [发明专利]一种多功能计数器-CN202010353588.4在审
  • 王大俊 - 王大俊
  • 2020-04-22 - 2020-07-07 - G06C1/00
  • 一种多功能计数器,是在现有市售计数器的基础上,能根据使用功能的需要设置条(9)或体及框;所述条(9)、体及框都设置有齿(11)、口(12)和固定齿(10);条(9)、体及框的口(12)能穿过计数器的U杆(5),两端的固定齿(10)固定在有带框架的计数器的框架(4)上或不带框架的计数器的固定板(14)上。
  • 一种多功能计数器
  • [发明专利]一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺-CN202110683843.6在审
  • 李冬 - 彰武同创销售服务中心
  • 2021-06-21 - 2023-01-06 - H01L29/74
  • 一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺,包括N+辅助晶闸管L阴极区和N+主晶闸管阴极区,N+辅助晶闸管L阴极区位于芯片一角,N+辅助晶闸管L阴极区和N+主晶闸管阴极区之间设有N+反馈隔离条,N+辅助晶闸管L阴极区内分布设有第一P短路点,N+主晶闸管阴极区内分布设有第二P短路点,N+辅助晶闸管L阴极区、N+主晶闸管阴极区、N+反馈隔离条和芯片边界之间构成本发明的反馈控制极结构的晶闸管,通过采用反馈控制极结构,提高了导通扩展速率,关断时间缩短两倍,di/dt耐量至少提高50%,触发电流温度适应性明显增强。
  • 一种反馈控制结构晶闸管及其制造工艺
  • [实用新型]一种反馈控制极结构的晶闸管-CN202121373153.2有效
  • 李冬 - 彰武同创销售服务中心
  • 2021-06-21 - 2022-01-04 - H01L29/74
  • 一种反馈控制极结构的晶闸管,包括N+辅助晶闸管L阴极区和N+主晶闸管阴极区,N+辅助晶闸管L阴极区位于芯片一角,N+辅助晶闸管L阴极区和N+主晶闸管阴极区之间设有N+反馈隔离条,N+辅助晶闸管L阴极区内分布设有第一P短路点,N+主晶闸管阴极区内分布设有第二P短路点,N+辅助晶闸管L阴极区、N+主晶闸管阴极区、N+反馈隔离条和芯片边界之间构成本实用新型的反馈控制极结构的晶闸管,通过采用反馈控制极结构,提高了导通扩展速率,关断时间缩短两倍,di/dt耐量至少提高50%,触发电流温度适应性明显增强。
  • 一种反馈控制结构晶闸管
  • [发明专利]谐振器SAW滤波器-CN200580023044.5无效
  • 高木道明;米谷克朗;押尾政宏 - 精工爱普生株式会社
  • 2005-07-01 - 2007-06-13 - H03H9/145
  • 本发明提供一种谐振器SAW滤波器,在纵多模态的谐振器SAW滤波器中,使用1/4波长电极,抵消而减低电极指具有的反射系数,从而加宽了通带宽度。谐振器SAW滤波器由在压电体平板上由激励表面声波的输入侧电极;接收由输入侧电极激励的表面声波的输出侧电极;用于在输入侧电极和输出侧电极之间控制表面声波的状态的控制用电极;以及设在所述输入侧电极和输出侧电极的两侧的并且,输入侧、输出侧以及控制用电极交替配置在2种不同的区间C和区间E中,在将作为电极指宽度尺寸L和电极指之间的尺寸S之和的电极周期长度P设为P=L+S时,区间C的电极周期长度P为PC且电极的对数MC为1对,区间E的电极周期长度P为PE且电极的对数ME为1对,且区间C和区间E的电极指均与给电导体连接。这样,来自区间C和区间E的各电极指的反射波的总和相互抵消而减少,1根电极指具有的实效反射系数减低,实现低插入损失且比带宽为2000至4000ppm的较宽带宽、稳定的纵多模态谐振器SAW滤波器。
  • 谐振器saw滤波器

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