专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种晶体级磷酸二氢钾中杂质元素含量的测定方法-CN202111339628.0有效
  • 徐小峰;姜朋飞;秦明升;程龙 - 上海太洋科技有限公司
  • 2021-11-12 - 2023-08-18 - G01N1/34
  • 本发明公开了一种晶体级磷酸二氢钾中杂质元素含量的测定方法,其包括以下步骤:S1、称取样品,用水溶解,得到样品溶液;S2、向样品溶液中加入氯铂酸水合物,经搅拌加热、冷却、静置后,得到静置液;S3、对静置液进行过滤处理,收集滤液;S4、向滤液中加入铝盐,用氨水调节pH值,静置后过滤,收集滤液;S5、加热滤液进行浓缩,过滤定容,得到检测样品液;S6、使用AAS‑石墨炉设备对检测样品液进行杂质元素浓度测定;S7、对得到的检测样品液中各杂质元素的浓度进行换算,得到样品中各杂质元素的含量。该测定方法使用AAS‑石墨炉设备对金属杂质含量极低的样品进行测定,具有操作简便、方法检出限低、精密度和结果准确度高等优点。
  • 一种晶体磷酸二氢钾中杂质元素含量测定方法
  • [实用新型]一种硅片母合金的生产装置-CN201420126730.1有效
  • 吕学谦;银波;郭增昌;范协诚;何隆;顾宗诊 - 新特能源股份有限公司
  • 2014-03-19 - 2014-08-20 - C01B33/03
  • 本实用新型公开了一种硅片母合金的生产装置,包括:氯硅烷原料配料罐、氢气原料配料罐、金属杂质吸附柱、母合金掺杂剂储罐、反应炉,母合金掺杂剂储罐与氯硅烷原料配料罐的入口或氢气原料配料罐的入口连接,氯硅烷原料配料罐的出口与金属杂质吸附柱的入口连接,金属杂质吸附柱的出口与反应炉的入口连接,氢气原料配料罐的出口与反应炉的入口连接。该装置通过金属杂质吸附柱有效去除了制备过程中的金属杂质,使用本装置进行制备的过程就是在现有技术中的由氯硅烷通过还原反应制备多晶硅的生产过程中的反应原料氯硅烷中加入掺杂相应的第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种。
  • 一种硅片合金生产装置
  • [发明专利]一种钨钼合金及其制备方法-CN201410414461.3有效
  • 丁舜 - 江苏北钨新材料科技有限公司
  • 2014-08-21 - 2017-05-24 - C22C27/04
  • 本发明公开了一种钨钼合金,所述钨钼合金主体元素组成为钨元素66~76%、钼元素22~30%、铁元素为1~2%、硅元素0.2~0.3%、碳元素0.5~0.8%、铝元素0.2~0.4%、余量为杂质。本发明采用真空离子炉熔炼不仅能使得钨钼元素始终保持离子的状态,由于真空离子炉的温度一般会低于普通的真空炉,因此能够有效防止金属在熔炼过程中烧损,另外采用单嘴精炼炉进行精炼,能够提供钨钼合金的质量,并且通过上述的除磷剂和脱硫剂进行除去钨钼合金中的杂质
  • 一种合金及其制备方法
  • [发明专利]一种实现超陡峭掺杂梯度和超浅结深的分子层掺杂方法-CN201610649282.7在审
  • 黎明;陈珙;黄如 - 北京大学
  • 2016-08-10 - 2016-12-14 - H01L21/225
  • 本发明公布了一种分子层掺杂方法,包括:去除待掺杂结构表面的沾污和自然氧化层,露出待掺杂结构表面的氢键;在待掺杂结构表面覆盖一层含杂质元素的有机分子,该有机分子与待掺杂结构表面形成共价键结合,作为掺杂的杂质源;淀积盖帽层,以达到防止退火时杂质元素外扩散的目的;通过退火使有机分子中的杂质元素进入待掺杂结构,形成超陡峭的掺杂梯度和超浅结深;去除有机分子和盖帽层;由此制备得到集成电路中超陡峭掺杂梯度和超浅结深的器件,具有更高的掺杂浓度和杂质激活率,可大大放宽对后续退火工艺的要求,工艺简单,成本代价小,能够满足小尺寸器件中实现超陡峭掺杂梯度和超浅结深的要求。
  • 一种实现陡峭掺杂梯度超浅结深分子方法

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