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[发明专利]一种高镍正极材料晶粒生长过程的模拟方法及系统-CN202310426650.1在审
发明人：陈宁;李天亦;桂卫华;阳春华;刘洪臻;刘红杰;陈嘉瑶;李彬艳 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高镍正极材料晶粒生长过程的模拟方法及系统，根据高镍正极材料烧结实验所获取的晶粒生长数据，获得不同温度不同时间下的一次晶粒分布规律；根据一次晶粒分布规律，通过机理方程MSE匹配建立最符合实验材料的晶粒生长机理公式；通过平均粒径与温度和时间的关系，辨识出高镍正极材料的晶粒生长活化能；根据晶粒生长机理公式与晶粒生长活化能，获得高镍正极材料晶粒生长参数，获得不同温度下的高镍正极材料晶粒生长速率；根据所需要模拟的高镍正极材料晶粒生长过程特点，建立概率对冲元胞自动机，提出晶粒生长速率规则，在元胞自动机中实现晶粒生长。
一种正极材料晶粒生长过程模拟方法系统

[发明专利]受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法-CN202310837986.7在审
发明人：王超;刘朝峰;程俊义;郭建政 -专利权人：深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法,该方法包括：获取与待预测件成分和组织类似的试样件进行恒温晶粒长大实验，获得实验后的晶粒尺寸数据；根据所述实验中每个温度下预设保温时间的晶粒尺寸数据拟合得到饱和晶粒尺寸方程的待定参数；采用所有实验晶粒尺寸数据拟合受饱和晶粒尺寸控制的晶粒长大方程的待定参数；利用有限元软件对待预测件的热处理过程进行模拟，将模拟得到的温度变化历史数据输入晶粒长大模型预测晶粒尺寸。该受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法，解决了传统晶粒生长模型中晶粒无限长大的问题，实现了热处理过程中晶粒生长的准确预测。
饱和晶粒尺寸控制合金生长预测方法

[发明专利]高温焊剂及由其形成的连接部-CN201980053213.1在审
发明人：雅佛地·A·辛;R·斯托尔滕贝里 -专利权人：库普利昂公司;洛伊马汀公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B23K35/02 文献下载
摘要：铜纳米颗粒糊剂组合物可以通过包括晶粒生长抑制剂与适量的铜纳米颗粒而配制，用于形成能够在高温下工作的连接部。这样的纳米颗粒糊剂组合物可以包含铜纳米颗粒以及与铜纳米颗粒掺和的0.01wt.％至15wt.％的晶粒生长抑制剂或晶粒生长抑制剂的前体，其中，晶粒生长抑制剂包含金属。晶粒生长抑制剂不溶于块体铜基体，并且能够存在于块体铜基体中的一个或多个晶粒边界处。一个或多个晶粒边界可以在铜纳米颗粒经历固结以形成块体铜之后形成。晶粒生长抑制剂可以包含不溶于块体铜的各种金属。
高温焊剂形成连接

[发明专利]纳米晶二氧化钛功能薄膜及其制备方法-CN202110484165.0在审
发明人：薄铁柱;刘辉;马婧;杨金慧;李庆;蔡华;廉姣;王辰;刘畅 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：该纳米晶二氧化钛功能薄膜，包括交替层叠设置的二氧化钛膜层和晶粒生长抑制膜层，所述的晶粒生长抑制膜层为无定形结构的金属氧化物层，所述晶粒生长抑制膜层的厚度为0.5～1.5nm。本发明通过在二氧化钛薄膜中引入晶粒生长抑制膜层，起到晶粒生长抑制剂的作用，可有效控制二氧化钛晶粒的生长，使二氧化钛的晶粒尺寸控制在设定的范围内，同时晶粒生长抑制膜层在整个薄膜结构中占比较低，对二氧化钛薄膜的性能影响不大
纳米氧化功能薄膜及其制备方法

[实用新型]一种多晶硅铸锭用石英坩埚-CN201020679013.3无效
发明人：赵波;徐芳华;卢雪梅;王琤 -专利权人：杭州精功机电研究所有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：目前，在多晶硅定向凝固生长系统中晶核的形成就是在坩埚底部不均匀处随机生长一层无规则杂乱分布的晶核，晶核在生长成晶粒的过程中往往会受到周围其他相似晶粒的束缚，而没有充分自由生长的空间，使得晶粒的生长受到限制，最终得到的晶粒尺寸较小。本实用新型避免了晶粒生长过程中的拥挤现象，有利于晶粒最大程度的利用周围空间生长，形成粗大、均一的晶粒，进而提高了多晶硅电池片的光电转换效率。
一种多晶铸锭石英坩埚

[发明专利]表征铝液相变晶粒生长过程的晶粒组织及其制备方法-CN202010912166.6有效
发明人：孙海艳;邹学通;李顺华;赵瑞敏;罗映东;苏其军;季鹏辉;王建平;李为堂;邓春明;施汝平;袁峰;方晨;杨福平;李愿飞 -专利权人：云南云铝涌鑫铝业有限公司;广东省科学院新材料研究所
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G09B23/26 文献下载
摘要：本发明公开了表征铝液相变晶粒生长过程的晶粒组织及其制备方法，所述方法包括：(1)将容器预热，以便使所述容器的温度不低于500℃；(2)将680‑720℃的铝液注入所述容器中，降温，以便得到表面凝固的固体铝；(3)将所述表面凝固的固体铝移开，剩余铝液凝固，以便得到表征铝液相变晶粒生长过程的晶粒组织。从该方法制备得到的表征铝液相变晶粒生长过程的晶粒组织可以很直观地看到铝及铝合金相变时晶粒的生长过程，便于铝加工教学或培训时作为素材使用。
表征相变晶粒生长过程组织及其制备方法

[发明专利]合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质-CN202011485958.6在审
发明人：吴艳;熊锦林;陈继兵 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请公开了一种合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：设定初始微观结构，确定模拟的面积，模拟网格大小及模拟时间步长；通过相场法建立合金纳米晶粒生长模型；根据合金数据，分别确定再结晶前和再结晶后的自由能密度函数；将再结晶前和再结晶后的自由能密度函数分别带入合金纳米晶粒生长模型，分别模拟再结晶前的形变组织和再结晶后的合金纳米晶粒，模拟合金纳米晶粒生长。本发明通过再结晶方法获得纳米晶粒，使用连续相场模型，实现模拟真实时空下再结晶过程中纳米多晶合金晶粒生长的过程。
合金纳米晶粒生长模拟方法装置电子设备介质

[发明专利]用于化学气相沉积反应生长的硒化锌的硬度提高方法-CN202211291137.8在审
发明人：闫兴隆;金荣岩;申柱炫;梁银杰 -专利权人：西安全谱红外技术有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开的用于化学气相沉积反应生长的硒化锌的硬度提高方法，包括：将固体金属锌注入坩埚中煮沸制成锌蒸气投入反应室；向反应室中通入硒化氢和硫化氢混合气体至晶粒生长完成。本发明在不损伤光学特性的情况下通过改善CVD‑ZnSe生长中长时间工艺产生的晶粒生长或晶粒生长形状所衍生的硬度下降，使ZnS颗粒在ZnSe晶体中微分散生长，抑制晶粒过大生长；同时，通过这种分散生长的ZnS粒子抑制枝晶生长，诱导外延生长，提高晶体组织的特性，从而增加体积硬度等物性。
用于化学沉积反应生长硒化锌硬度提高方法

[发明专利]晶体硅锭的切割方法-CN201410621138.3在审
发明人：周声浪;游达;胡亚兰;王双丽;田义良 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅锭的切割方法，包括以下步骤：沿垂直于晶粒生长方向将晶体硅锭切割成截面尺寸为所需的硅片尺寸的硅条；切割硅条，得到平行于晶粒生长方向的硅片。上述切割方法，通过一次开方和一次切片工序，直接得到平行于晶粒生长取向的晶体硅片，该方法省略了截断工序，简化了生产周期，提高了生产效率，同时可得到平行于晶粒生长取向的具有较大晶粒的多晶硅片，减少了晶粒晶界
晶体切割方法

[发明专利]一种多方向生长晶粒的ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法-CN201610047612.5有效
发明人：申加兵;陈康;刘琦;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多方向生长晶粒的ITO薄膜及其制备方法、LED芯片及其制备方法，具体步骤包括(1)安装电磁线圈；(2)通入氧气，LED外延片表面蒸镀最底层ITO；(3)周期T内，通入恒定电流i1，最底层ITO上生长第一阶段ITO晶粒层；(4)周期T内，通入恒定电流i2，第一阶段ITO晶粒层上生长第二阶段ITO晶粒层；(5)周期T内，反向通入i1，第二阶段ITO晶粒层上生长第三阶段ITO晶粒层；(6)周期T内，反向通入i2，第三阶段ITO晶粒层上生长第四阶段ITO晶粒层。本发明蒸镀出来晶粒存在多种方向，在三维空间上对光进行多层散射，提高了光的散射角度，光的外提取效率提高50％以上。
一种多方生长晶粒 ito 薄膜及其制备方法 led 芯片

[发明专利]一种基于调控核生长机制制备球型镍钴铝酸锂前驱体的方法-CN201510915117.7有效
发明人：关成善;宗继月;孟博;闫凯丽;杜显振 -专利权人：山东精工电子科技有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调控核生长机制制备球型镍钴铝酸锂前驱体的方法。该方法调控核生长的过程，将整个前驱体生长的过程分为母核分散期、调节母核环境期、晶粒快速生长期和晶粒稳定生长期四个时期。通过提供离子附着点的母核，能够有效避免离子高成核率导致晶粒生长过慢，在晶粒生长期间调节母核环境能够有效保证晶粒形成球型结构，不会因形成片层聚集体导致材料容量和循环性能的降低。
一种基于调控生长机制制备球型镍钴铝酸锂前驱方法

[发明专利]用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质-CN202011542956.6在审
发明人： T·Y·常;P·L·斯坦纳;杨晓敏;陆斌 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本申请公开了用于周向约束的晶粒生长的径向图案化介质。一种形成图案化介质的方法，包括在顺轨道方向上约束磁性晶粒的生长而不约束在径向方向上的生长，以使得磁性晶粒在径向方向上延伸的行中对准。图案化介质可以允许独立于晶粒尺寸来定义数据轨道径向宽度。
用于约束晶粒生长径向图案介质

[发明专利]微机电系统(MEMS)用的电互联的晶粒生长-CN01803369.5有效
发明人：马克·G·罗莫;小斯坦利·E·鲁德;马克·A·卢茨;弗雷德·C·西特勒;阿德里安·C·托伊 -专利权人：罗斯蒙德公司
申请日： 2001-01-05 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：一种单独的联接，通过在将MEMS设备(10)焊接在一起之后在该设备(10)中由导电晶粒生长材料(16)晶粒生长而生长互联来形成。用于电接触的晶粒生长的材料被沉积在设备(10)的第一层(12)与第二层(14)之间形成的凹穴(18)中。
微机系统 mems 电互联晶粒生长

[发明专利]制备超微细合金的方法-CN200810098420.2无效
发明人：丹尼·T·肖;克里斯·W·斯特罗克 -专利权人：英孚拉玛特公司
申请日： 2008-05-08 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：制备超微细合金的方法包含：将晶粒生长抑制剂聚合物前体结合至合成超微细材料的组合物；从含有所述结合前体的组合物合成所述超微细材料；在合成所述超微细材料之前将合金添加剂结合至合成所述超微细材料的组合物，或者，结合至刚合成的超微细材料以制备超微细合金－晶粒生长抑制剂聚合物前体复合物；和将所述超微细合金－晶粒生长抑制剂聚合物前体复合物处理以转化该晶粒生长抑制剂聚合物前体成晶粒生长抑制剂。
制备微细合金方法

[发明专利]一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料及制造方法-CN202010202431.1在审
发明人：李卫 -专利权人：廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料及制造方法，包括基体和位于所述基体表层的生长层；所述生长层为多层结构，其中，包括相间设置的多个第一晶粒层和第二晶粒层；所述第一晶粒层的晶粒大小大于所述第二晶粒层的晶粒大小本申请提供的CVD金刚石自支撑材料通过相间设置多个晶粒大小不同的晶粒层，使金刚石的断面呈现细晶粒与粗晶粒交错生长的多层结构，通过多层结构阻断裂纹的延伸，从而提高抗冲击性能和抗断裂强度；通过细晶粒填补粗晶粒层的缺陷，而粗晶粒层又能保持材料的耐磨性，从而在不损失耐磨性的基础上提高抗冲击性能和抗断裂强度。
一种冲击 cvd 金刚石支撑材料制造方法

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