专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种方籽晶晶托粘接装置-CN201420585772.1有效
  • 牛聚岗;冯立军;张勇;路祥;孙聚杰;李高勇;王怡然 - 宁晋松宫电子材料有限公司
  • 2014-10-11 - 2015-02-18 - C30B33/06
  • 本实用新型公开了一种方籽晶晶托粘接装置,包括底座,在底座的一端固定托支撑座,在托支撑座内侧设置用于固定托的托固定盘,在底座中部设有方籽晶定位V槽,方籽晶定位V槽与底座连接,方籽晶定位V槽开口朝上,方籽晶定位V槽开口角度为90度,方籽晶定位V槽的角部连线位于托固定盘中心线下方,且与托固定盘中心线相平行,方籽晶定位V槽的角部连线与托固定盘中心线位于同一铅垂面上,方籽晶定位V槽的角部连线与托固定盘中心线的垂直距离为方籽晶横截面对角线的一半
  • 一种籽晶晶托粘接装置
  • [发明专利]利奈唑胺V及其制备方法-CN201110132514.9有效
  • 孙辉;周伟澄 - 上海医药工业研究院
  • 2011-05-20 - 2011-11-30 - C07D263/20
  • 本发明公开了一种利奈唑胺V,其在使用辐射源为Cu-Kα的粉末X射线衍射光谱中,在衍射角2θ=7.36、9.28、13.44、14.62、16.76、17.94、18.43、18.67、19.77、20.68本发明还公开了该利奈唑胺V的制备方法:在加热条件下,将利奈唑胺与有机溶剂混合,待利奈唑胺完全溶解之后,进行冷却析,经分离,即得利奈唑胺V;在冷却析步骤中,不加入利奈唑胺V种时,所述的有机溶剂为甲苯和/或二甲苯;加入利奈唑胺V种时,所述的有机溶剂为任意能溶解利奈唑胺的有机溶剂。本发明的利奈唑胺V是一种全新的、具有优异的溶解性和热稳定性的,尤其利于制成利奈唑胺口服制剂。
  • 利奈唑胺晶型及其制备方法
  • [实用新型]一种圆理片装置-CN202223581103.0有效
  • 束伟;陶胜;蒋敏;葛银良;陈挺 - 杭州士兰明芯科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-05-12 - H01L33/00
  • 本申请公开了一种圆理片装置,其特征在于,包括:支撑模块,支撑模块具有花篮支撑单元和圆支撑单元,圆支撑单元穿过花篮底部对花篮中的圆进行支撑;升降模块,升降模块包括转轴,通过调节升降模块升降,可使转轴与圆的侧边接触或分离;驱动模块,与升降模块的转轴相连,驱动模块用于驱动升降模块的转轴进行转动;其中,升降模块的转轴的直径小于圆的V口的宽度。驱动模块驱动转轴转动,通过调节升降模块使转轴与圆的侧边相接触,转轴带动圆旋转直至转轴卡入圆的V口中,从而使多个圆的V口沿转轴对齐,该圆理片装置可实现V圆的快速理片,进而提升生产效率。
  • 一种晶圆理片装置
  • [实用新型]硅材料圆片储存盒-CN03226306.6无效
  • 朱寿会 - 朱寿会
  • 2003-05-16 - 2004-07-21 - B65D85/30
  • 本实用新型公开了一种硅材料圆片储存盒,包括盒座、与盒座扣合连接的上盖,盒座中垂直设有多条用于插放圆片的V槽,上盖的内侧设有与所述V槽对应的弹性夹持装置。弹性夹持装置包括与上盖内侧嵌合连接的方形支撑环,在所述支撑环的两对应边上设有多个通过翼形边彼此连接,并与所述盒座中V槽对应,且向外张开的弹性V齿,设置在上盖中的弹性V齿可对每一个存放在盒座V槽中的圆片产生一种可退让的弹性夹持力,从而克服了在盒座与上盖存在制造误差时,对圆片的过度夹紧或夹紧不到位的问题,可保证圆片在运输和储存过程中的安全。
  • 材料晶圆片储存
  • [发明专利]微发光二极管结构及微发光二极管的制造方法-CN201710812047.1有效
  • 郭修邑;陈俊荣;许国翊 - 隆达电子股份有限公司
  • 2017-09-11 - 2021-03-26 - H01L33/44
  • 微发光二极管结构包含固基板、粘着层、未掺杂III‑V族半导体层、NIII‑V族半导体层、发光层、以及PIII‑V族半导体层。粘着层设置于固基板上。未掺杂III‑V族半导体层设置于粘着层上,且粘着层夹设于固基板与未掺杂III‑V族半导体层之间。NIII‑V族半导体层设置于未掺杂III‑V族半导体层上。发光层设置于NIII‑V族半导体层上。PIII‑V族半导体层设置于NIII‑V族半导体层上,且发光层位于NIII‑V族半导体层与PIII‑V族半导体层之间。此微发光二极管结构可以降低制程加工的成本。
  • 发光二极管结构制造方法

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