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[发明专利]替托司特多晶型物-CN201110065670.8无效
发明人：青木聪之;中矢贤治;曾田正博;石上正嗣 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C07D417/04 文献下载
摘要：本发明提供了能容易地大量工业化制备的替托司特晶体。(1)一种替托司特水合物晶体，其具有与图2中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(2)一种无水替托司特A型晶体，其具有与图4中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(3)一种无水替托司特C型晶体，其具有与图8中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(4)一种替托司特乙腈溶剂合物晶体，其具有与图10中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；以及(5)一种混合物，其由上述无水替托司特A型晶体和无水替托司特B型晶体组成。这些晶体对热和潮湿稳定，并且在片剂的崩解特性和溶解特性方面极佳。因此，优选将这些晶体用作药物组合物。
替托司特多晶

[发明专利]替托司特多晶型物-CN201110065666.1无效
发明人：青木聪之;中矢贤治;曾田正博;石上正嗣 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C07D417/04 文献下载
摘要：本发明提供了能容易地大量工业化制备的替托司特晶体。(1)一种替托司特水合物晶体，其具有与图2中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(2)一种无水替托司特A型晶体，其具有与图4中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(3)一种无水替托司特C型晶体，其具有与图8中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(4)一种替托司特乙腈溶剂合物晶体，其具有与图10中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；以及(5)一种混合物，其由上述无水替托司特A型晶体和无水替托司特B型晶体组成。这些晶体对热和潮湿稳定，并且在片剂的崩解特性和溶解特性方面极佳。因此，优选将这些晶体用作药物组合物。
替托司特多晶

[发明专利]替托司特多晶型物-CN201110065650.0无效
发明人：青木聪之;中矢贤治;曾田正博;石上正嗣 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C07D417/04 文献下载
摘要：本发明提供了能容易地大量工业化制备的替托司特晶体。(1)一种替托司特水合物晶体，其具有与图2中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(2)一种无水替托司特A型晶体，其具有与图4中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(3)一种无水替托司特C型晶体，其具有与图8中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；(4)一种替托司特乙腈溶剂合物晶体，其具有与图10中显示的粉末X-射线衍射光谱实质上相同的粉末X-射线衍射光谱；以及(5)一种混合物，其由上述无水替托司特A型晶体和无水替托司特B型晶体组成。这些晶体对热和潮湿稳定，并且在片剂的崩解特性和溶解特性方面极佳。因此，优选将这些晶体用作药物组合物。
替托司特多晶

[发明专利]替托司特多晶型物-CN200780002002.2无效
发明人：青木聪之;中矢贤治;曾田正博;石上正嗣 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C07D417/04 文献下载
摘要：本发明提供了能容易地大量工业化制备的替托司特晶体。(1)一种替托司特水合物晶体，其具有与图2中显示的粉末X－射线衍射光谱实质上相同的粉末X－射线衍射光谱；(2)一种无水替托司特A型晶体，其具有与图4中显示的粉末X－射线衍射光谱实质上相同的粉末X－射线衍射光谱；(3)一种无水替托司特C型晶体，其具有与图8中显示的粉末X－射线衍射光谱实质上相同的粉末X－射线衍射光谱；(4)一种替托司特乙腈溶剂合物晶体，其具有与图10中显示的粉末X－射线衍射光谱实质上相同的粉末X－射线衍射光谱；以及(5)一种混合物，其由上述无水替托司特A型晶体和无水替托司特B型晶体组成。这些晶体对热和潮湿稳定，并且在片剂的崩解特性和溶解特性方面极佳。因此，优选将这些晶体用作药物组合物。
替托司特多晶

[发明专利]含有α,α‑海藻糖二水合物晶体的粉末的制备方法-CN201510463085.1有效
发明人：涩谷孝;伊泽精祐 -专利权人：株式会社林原
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： C07H3/04 文献下载
摘要：本发明涉及含有α,α‑海藻糖二水合物晶体的粉末的制备方法，详细地说，涉及含有α,α‑海藻糖二水合物晶体的粉末的制备方法和通过所述制备方法得到的含有α,α‑海藻糖二水合物晶体的粉末，所述方法从淀粉，通过连续的步骤，以优异收率，适于工业地制备含有高纯度的α,α‑海藻糖二水合物晶体的粉末。
含有海藻水合物晶体粉末制备方法

[发明专利]一种新型粉末颜料的制作方法-CN202310472498.0在审
发明人：吴为;杨明;王茂轩;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C09D7/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型粉末颜料的制作方法。所述方法具体包括以下步骤：（1）在支撑基体表面涂布光子晶体乳液，干燥后形成蛋白石结构光子晶体；（2）在蛋白石结构光子晶体上涂布陶瓷前驱体材料，固化后烧结形成反蛋白石结构的光子晶体；（3）破碎反蛋白石结构的光子晶体形成粉末，得到光子晶体粉末颜料。本发明获得的反蛋白石光子晶体粉末颜料，可以赋予油墨更丰富的颜色和金属光泽，同时，由于陶瓷前驱体的加入，使得粉碎后的光子晶体颜料具备优异的强度和硬度，使其能更好的提高油墨涂层的力学性能。
一种新型粉末颜料制作方法

[发明专利]制备金刚石立方纳米晶体的方法-CN201080011981.X有效
发明人：帕特里克·屈尔米;让-保罗·布杜;阿兰·托雷尔;费尔多·热勒佐科;莫汉姆德·塞努尔 -专利权人：国家健康与医学研究院;方法和工业加工研究与发展协会
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：用于制备金刚石立方纳米晶体(10)的方法，包括以下相继步骤：(a)提供金刚石晶体粉末，其中所述粉末的最大粒径等于或大于2μm且等于或小于1mm；(b)用氮气射流研磨微粉化研磨所述微米金刚石晶体粉末，以制备细粉；(c)用行星式碳化钨球磨机纳米研磨步骤b)的细粉；(d)酸处理步骤c)的纳米研磨的粉末；(e)通过离心提取金刚石立方纳米晶体(10)。有利地，制备出圆形金刚石立方纳米晶体。
制备金刚石立方纳米晶体方法

[发明专利]一种制备粒度超均一的无水甜菜碱晶体的方法-CN202010276375.6有效
发明人：龚俊波;秦春雷;陈冠雄;侯宝红;吴送姑;杜世超;郭盛争;刘生通 -专利权人：天津大学;宜兴市天石饲料有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07C227/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备粒度超均一的无水甜菜碱晶体的方法，采用过沸爆发成核‑降温循环法。将无水甜菜碱粉末加入结晶器，再向结晶器中加入溶剂，升温使粉末完全溶解，溶液的温度达到结晶体系的沸点；迅速降温，结晶体系中有晶核析出时，再次向结晶器中投入少量无水甜菜碱粉末，促使结晶体系爆发式析出晶核；继续将溶液温度降至室温；降至终点温度后暂不过滤，再次向结晶器中加入无水甜菜碱粉末，升温使甜菜碱粉末溶解，溶液的温度达到结晶体系的沸点温度，然后降至室温；反复重复这样的升降温操作，直至处于20～60目的晶体质量不低于晶体总质量的99％为止；降至终点温度后，过滤和洗涤晶体，再进行干燥，获得粒度超均一的无水甜菜碱晶体产品。
一种制备粒度均一无水甜菜碱晶体方法

[发明专利]一种铝基非晶复合材料的制备方法及铝基非晶复合材料-CN202110740777.1有效
发明人：孙澄川;卢静;吴应东;解路;但幸东;汤烈明;李挺 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C22C45/08 文献下载
摘要：本申请提供的铝基非晶复合材料的制备方法，将所述晶体粉末与所述铝基非晶粉末进行混合制备混合粉末或者将晶体粉末包覆于铝基非晶粉末表面制备包覆粉，将所述混合粉末或者包覆粉通过冷喷涂技术沉积到基体表面，以得到块体非晶复合材料，将所述块体铝基非晶复合材料从所述基体表面分离，并进行热处理或者热等静压处理，得到所述铝基非晶复合材料，上述制备方法通过将铝基非晶粉末与晶体粉末相混合的方式制备块体铝基非晶复合材料，由于晶体材料的硬度明显低于铝基非晶，因此在碰撞过程中晶体材料粉末的塑性变形程度明显高于非晶颗粒，从而能够有效的填充非晶颗粒之间的孔隙，降低孔隙率，得到致密的块体铝基非晶复合材料。
一种铝基非晶复合材料制备方法

[发明专利]将火葬的灰烬制成结晶体的方法与装置-CN99803546.7无效
发明人：金相国;金俊源 -专利权人：金相国;金俊源
申请日： 1999-06-08 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用瓦斯熔炉、电动熔炉与高频熔炉，将骨灰粉末制作成结晶体的装置。一种将骨灰粉末制作成结晶体的方法包括将骨灰粉末与一种矿物混合物混合在一起，捏合该混合物，加热并熔化该经捏合过的物质，将熔化后的物质制成粒状的结晶体，对制成的结晶体进行一道加热处理。另一种将骨灰粉末制作成结晶体的方法包括将骨灰粉末放入一坩锅中，于1500℃～3000℃下加热并熔化坩锅中的粉末，再将熔化的物质由坩锅的出料孔倒入一个倾斜的通道，当冷却的物质滚过该通道时，在空气中就会形成一具有粒状外形的结晶体
火葬灰烬制成结晶体方法装置

[发明专利]一种激光器晶体组件-CN201810087057.8在审
发明人：罗思平;李芳阳 -专利权人：福州晶元光电科技有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器晶体组件，包括一封装基座及一激光晶体，还包括一粉末冶金导热套，所述封装基座的中部设有一与粉末冶金导热套匹配的套管安置槽，所述粉末冶金导热套设于套管安置槽内，所述粉末冶金导热套内设有一夹持结构，所述激光晶体安装于夹持结构中心处。本发明能大大提高了激光晶体的对中性、散热性和装配效率。
粉末冶金导热套激光晶体激光器晶体封装基座夹持结构安置槽套管装配效率对中性散热性中心处匹配

[实用新型]一种激光器晶体组件-CN201820153406.7有效
发明人：罗思平;李芳阳 -专利权人：福州晶元光电科技有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光器晶体组件，包括一封装基座及一激光晶体，还包括一粉末冶金导热套，所述封装基座的中部设有一与粉末冶金导热套匹配的套管安置槽，所述粉末冶金导热套设于套管安置槽内，所述粉末冶金导热套内设有一夹持结构，所述激光晶体安装于夹持结构中心处。本实用新型能大大提高了激光晶体的对中性、散热性和装配效率。
粉末冶金导热套激光晶体本实用新型激光器晶体封装基座夹持结构安置槽套管装配效率对中性散热性中心处匹配

[发明专利]一种基板及其制备方法和系统-CN201110216659.7有效
发明人：刘若鹏;赵治亚;刘宗彬;金晶 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C04B26/08 文献下载
摘要：本发明适用于材料领域，提供了一种基板及其制备方法和系统，所述方法包括以下步骤：制备PZT晶体粉末；将PVDF溶于有机溶剂形成溶液并将所述PZT晶体粉末混合于所述溶液制成混合液；超声分散所述混合液；使用所述混合液制备基板本发明实施例，通过高温烧结PZT混合液，形成多孔PZT晶体粉末，将PVDF溶于有机溶剂形成溶液并将PZAT晶体粉末溶于所述溶液，形成PZT晶体粉末和PVDF充分混合均匀的混合液，使得PVDF可以在多孔的PZT之间贯通和互嵌，多孔的PZT晶体极大的增加了基板的比表面积，使得PZT和PVDF界面的结合力更强，提高了材料的机械性能，通过本方法制备的基板具有多样的性能。
一种及其制备方法系统

[实用新型]一种荧光增白剂生产用晶体细磨装置-CN202221024237.X有效
发明人：都方成;韩立斌;陈新伟;杨帅;谢犇 -专利权人：河南星宇化工有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B02C2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种荧光增白剂生产用晶体细磨装置，涉及晶体细磨机技术领域，包括研磨箱，研磨箱的上表面固定连接有两个入料箱，两个入料箱相互靠近的一侧面均固定连通有入料管。本实用新型设计结构合理，它通过驱动电机的输出转轴带动旋转轴旋转，能够使第一研磨件和第一研磨球对进入第一研磨筒中的晶体进行预先研磨，并在锥形滤板的作用下，使得合格的晶体粉末掉落至研磨箱的内底壁，还使不合格的晶体粉末进入第二研磨筒的内部，在第二研磨件和第二研磨球的作用下，能够对不合格的晶体粉末进行再次研磨，使得下料管排出的晶体粉末满足生产需求，还在振动电机的作用下，能够加快晶体粉末在研磨箱中的流动性。
一种荧光增白剂生产晶体装置

[发明专利]一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备-CN202110636709.0有效
发明人：吴熙 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供了一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备。本发明利用GaN晶体粉末的分解为晶体生长提供镓源和氮源，无需外接氮源，并且本发明采用带有通孔的隔板将GaN晶体粉末和GaN籽晶分离开，可以避免GaN晶体粉末移动到GaN籽晶附近，GaN籽晶周围助熔剂的成分和比例不会发生改变，从而保证GaN晶体生长的可持续性和稳定性。本发明将重结晶技术引入到助熔剂法中，形成封闭的GaN晶体生长系统，提高了GaN晶体生长的稳定性，增强晶体生长的可延续性，延长晶体生长的时间，所得GaN晶体表面光滑整洁，质量高。
一种重结晶生长 gan 晶体方法以及晶体生长设备

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