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- [发明专利]一种香蕉抗枯萎病诱变育种方法-CN202110010217.0在审
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徐春香;陈厚彬;盛奇明;谢玲
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华南农业大学
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2021-01-04
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2021-05-07
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A01H1/06
- 该方法包括：选取具有目标性状的香蕉品种，所述目标性状包括：农艺性状优良且缺乏抗性性状，或已有高、中抗性性状且农艺性状较差；将所述香蕉品种的吸芽茎尖进行诱导，生成微芽块；将所述微芽块作为试材进行诱变，得到诱变微芽块；将诱变微芽块再生成香蕉植株组；在所述香蕉植株组中筛选出非畸形抗性株后，进行田间移植；根据移植结果选取其中农艺性状优良且具有抗枯萎病性状的香蕉品种。本申请提供的方案，使用了以微芽块作为诱变育种的试材，替代了传统诱变育种技术中所用的普通茎尖，因为微芽块中单位面积茎尖数量比普通茎尖多上数倍，可以大幅减少嵌合体的产生，使得经过诱变得到的性状能稳定遗传，而且几乎可以适用于所有香蕉品种
- 一种香蕉枯萎病诱变育种方法
- [发明专利]一种江西铅山红芽芋玻璃化法超低温保存脱毒的方法-CN201310133936.7无效
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洪森荣;尹明华
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上饶师范学院
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2013-04-06
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2013-08-28
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A01H4/00
- 江西铅山红芽芋玻璃化法超低温保存脱毒的方法：(1)在显微镜下切取红芽芋单芽长约1mm的茎尖；(2）茎尖在MS+KT2mg/L+NAA0.5mg/L+0.75M蔗糖的固体培养基上预培养3d；(3)茎尖预培养后，采用60％PVS2在25℃脱水60min，再用100％PVS2在0℃脱水90min，更换新的PVS2后直接投入液氮；(4)保存后，茎尖在37℃水浴中化冻。洗涤后的茎尖先暗培养5d(温度为25℃)再转入正常的光周期下(光照时间14h/d，光强约1500-2000lx，培养温度25℃)培养，15d左右茎尖可发育成正常的芽；(5)将萌发的芽转入生根培养基1/2MS+NAA0.1～0.5mg/L中培养，即可得到红芽芋脱毒苗。本发明与现有技术比较，红芽芋试管苗的脱毒率高，而且茎尖取材大、操作简单方便。
- 一种江西铅山红芽芋玻璃化超低温保存脱毒方法
- [发明专利]一种茎尖微芽嫁接穿刺法-CN201710538057.0有效
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刘月;刘惠民;李贤忠;王连春
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西南林业大学
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2017-07-04
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2019-05-28
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A01G2/30
- 本发明属于果树种植领域，具体涉及一种微芽嫁接方法及其应用,具体涉及一种茎尖微芽嫁接穿刺法。本发明所述茎尖微芽嫁接穿刺法，包括了如下步骤：取1‑2mm包含3‑4个叶原基的接穗，将接穗在1mg/L 6‑BA中浸泡10min进行预处理；在无菌条件下，砧木去顶留茎长1.5‑2cm，距顶端5‑8mm处纵切一刀划通，切口在茎段1/3处木质部与韧皮部交接处划通，茎段两侧形成“|”型切口，将接穗保留3‑4个叶原基移至切口内。本发明通过茎尖微芽嫁接穿刺法，改善传统茎尖微芽嫁接，如倒“T”接法，劈接法，三角形法等操作难，切口大，接穗固定不稳，且在生长中易失水，难以与砧木充分结合的问题，从而提高茎尖微芽嫁接成活率，提高脱毒苗的生产效率
- 一种茎尖微芽嫁接穿刺
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