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[发明专利]VTI介质准P波方程各向异性逆时偏移方法-CN201110459434.4无效
发明人：王宇超;李斐;胡自多;韩令贺;吕彬 -专利权人：中国石油集团西北地质研究所
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01V1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种VTI介质准P波方程各向异性逆时偏移方法，其步骤包括：①采用交错网格对二维VTI介质中的一阶准P波方程及其PML吸收层边界方程进行差分离散，得到两个方程正向延拓和逆时延拓的高阶差分格式；②通过数值计算得到炮点的正向延拓波场和检波点逆时延拓波场，将两者进行归一化互相关运算，得到模型类各成像点的偏移成像结果；③从偏移结果中抽取共成像点道集得到最终的偏移剖面；本发明方法能处理横向速度变化强烈和陡倾角地层的偏移成像问题，也考虑了介质各向异性的影响，在各向异性地区采集的纵波数据用基于各向异性理论的偏移方法能得到更好的成像效果。
vti 介质方程各向异性偏移方法

[发明专利]光学各向异性膜、圆偏振片、显示装置-CN201880056055.0有效
发明人：西川秀幸;野尻真裕美;后藤亮司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种显示优异的逆波长分散性的光学各向异性膜、圆偏振片及显示装置。本发明的光学各向异性膜由包含液晶化合物及红外线吸收色素的组合物形成，该光学各向异性膜中，光学各向异性膜满足式(A)的关系，光学各向异性膜的快轴方向上的波长700～900nm中的吸收大于光学各向异性膜的慢轴方向上的波长Re(450)表示波长450nm下的光学各向异性膜的面内延迟，Re(550)表示波长550nm下的光学各向异性膜的面内延迟。式(A)Re(450)/Re(550)＜1。
光学各向异性偏振显示装置

[发明专利]各向异性导电连接方法及各向异性导电连接构造体-CN201680014131.2有效
发明人：青木和久;田中雄介 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01R4/04 文献下载
摘要：提供一种各向异性导电连接方法，各向异性导电连接设在第1电子部件的第1端子列（11）和设在第2电子部件的第2端子列（41），其中包含：将各向异性导电膜（20）临时压接在第1端子列（11）上的工序；以及将第2端子列（41）正式压接在各向异性导电膜（20）上的工序，各向异性导电膜（20）被着色，在临时压接时各向异性导电膜（20）的着色状态没有变化，而正式压接时各向异性导电膜（20）的透射性增加。
各向异性导电连接方法构造

[发明专利]椭圆偏振器和使用其的垂直取向型液晶显示装置-CN200780047988.5有效
发明人：上坂哲也;池田哲 -专利权人：新日本石油株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：提供了具有优异视角特性的椭圆偏振器，其包含至少第一偏振器、第一光学各向异性层、第二光学各向异性层和第三光学各向异性层且以该顺序进行叠合，其中第一光学各向异性层满足[1]50≤Re1≤500，第二光学各向异性层满足[2]0≤Re2≤20和[3]-500≤Rth2≤-30，和第三光学各向异性层满足[4]100≤Re3≤180，其中Re和Rth是指各个光学各向异性层在平面内和沿厚度方向的延迟值。
椭圆偏振使用垂直取向液晶显示装置

[发明专利]一种集光器及光伏发电系统-CN201110167853.0有效
发明人：高琛;孙松;张军;丁建军;鲍骏 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：所述集光器包括：光波导基质，其为折射率大于空气折射率、具有规则形状的光透明介质；各向异性散射体，其为具有规则形状、各向异性的无光学吸收纳米物质；所述各向异性散射体按照光集中方向与光波导传输方向相同的排列方式分布在所述光波导基质内部；其中，所述光集中方向为：光照射到所述各向异性散射体时，散射光的集中分布方向。
一种集光器发电系统

[发明专利]各向异性石墨、各向异性石墨复合体及其制造方法-CN201980022368.9在审
发明人：村岛健介;沓水真琴;奥聪志;竹马克洋 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：提供作为热传递元件具备优越的热传递性能及长期可靠性的各向异性石墨、各向异性石墨复合体及其制造方法。对各向异性石墨的与石墨层的结晶取向面相垂直的面进行表面处理，从而得到具有特定界面粗糙度的各向异性石墨。另外，使各向异性石墨复合体具备界面具有特定界面粗糙度的各向异性石墨、含钛金属层以及无机材质层，从而解决课题。
各向异性石墨复合体及其制造方法

[发明专利]磁介质盘和硬盘驱动器-CN201110285578.2无效
发明人： E.A.多比茨;M.K.格罗比斯;O.赫尔维格;D.K.韦勒 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供一种磁介质盘和硬盘驱动器。硬盘驱动器具有磁介质盘，磁介质盘包括具有轴的衬底以及在该衬底上布置成多个道的交换耦合位图案化介质。每个道具有从该盘沿轴方向延伸的岛的图案。每个岛包括具有第一各向异性和第一层径向宽度的第一层、以及在该第一层上且具有比该第一各向异性小的第二各向异性的第二层。第二层径向宽度小于第一层径向宽度。
介质硬盘驱动器

[发明专利]基于全方位共成像点道集的各向异性表征方法以及系统-CN201410742430.0有效
发明人：张延庆;李丰;王霞;王小善;王学军 -专利权人：中国石油天然气集团公司;中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： G01V1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种基于全方位共成像点道集的各向异性表征方法及系统，所述方法包括：采集以方位角-偏移距域数据规则化格式存储的全方位共成像点道集；在所述的全方位共成像点道集上确定各向异性强度；在所述的全方位共成像点道集上确定方位各向异性相对系数；根据所述的各向异性强度以及方位各向异性相对系数确定方位各向异性系数：根据所述的方位各向异性系数绘制玫瑰图。针对保方位角处理的全方位角共成像点道集，基于道集沿层能量属性或时差属性，制作各向异性玫瑰图，表征任一方位的各项异性强度。
基于全方位成像点道集各向异性表征方法以及系统

[发明专利]三维各向异性衰减介质波场模拟方法-CN201610289461.4有效
发明人：杨春颖;王赟 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G01V1/28 文献下载
摘要：本发明公开一种三维各向异性衰减介质波场模拟方法，包括：采用三维插值法，建模三维地质模型；定义震源类型；定义三维三分量观测系统；根据所述三维地质模型、所述震源类型和所述三维三分量观测系统，计算各向异性衰减波场通过本发明，以解决现有技术存在的介质各向异性衰减三维模拟的问题。
三维各向异性衰减介质模拟方法

[发明专利]各向异性岩体全尺寸、全倾角力学参数的准确获取方法-CN202211583390.0在审
发明人：刘宁;高要辉;韩月;马建力;刘士奇;陈珺 -专利权人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种各向异性岩体全尺寸、全倾角力学参数的准确获取方法。该方法基于现场勘测获取的各向异性岩体横截面结构几何特征，生成横截面结构几何特征与各向异性岩体横截面相似的各向异性岩体基础结构模型；基于各向异性岩体基础结构模型构建包含岩块及节理面力学参数的各向异性岩体三维数字模型，并基于各向异性岩体试样的力学特性调整三维数字模型参数，以使与试样结构相同的各向异性岩体三维数字模型具有与试样相近的力学特性；基于各向异性岩体三维数字模型进行数值模拟，获取各向异性岩体在特定尺寸、特定倾角条件下的力学特性
各向异性岩体全尺寸倾角力学参数准确获取方法

[发明专利]一种各向异性地层井壁破裂压力确定方法-CN201810954419.9有效
发明人：马天寿;付建红;李枝林;郭印同;吴必胜;王贵;孔祥伟;刘阳 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种各向异性地层井壁破裂压力确定方法，它包括以下步骤：S1、获取各向异性地层岩石的弹性模量(E、E′)和泊松比(μ、μ′)；S2、根据平行和垂直于地层岩石层理面方向的巴西劈裂实验，确定各向异性地层岩石平行于层理面的抗张强度Tm和垂直于层理面的抗张强度Tb；S3、根据测井资料获取各向异性地层的地质力学参数；S4、获取各向异性地层岩石中层理面的产状参数本发明的有益效果是：综合考虑岩石弹性模量各向异性、抗张强度各向异性和层理面产状角等因素建立各向异性地层井壁破裂压力计算方法，更加符合各向异性地层直井钻井的实际情况；提高破裂压力计算的精度，可为各向异性地层钻井和水力压裂提供理论指导
一种各向异性地层井壁破裂压力确定方法

[发明专利]各向异性导电膜贴附装置-CN200980141568.2无效
发明人：津田仁彦;天羽拓;西川真一;郭卫红 -专利权人：有限会社共同设计企画
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种各向异性导电膜贴附装置。该各向异性导电膜贴附装置是紧凑的主体尺寸，并能够灵活地应对各种形状、大小的基板，通过在该基板的多个部位同时贴附各向异性导电膜，能够降低贴附工序的生产节拍时间。该各向异性导电膜贴附装置包括用于供给层叠有隔离件和各向异性导电膜的各向异性导电带(T)的带供给部(P)、及用于按压各向异性导电带(T)的隔离件侧而仅将各向异性导电膜贴附在工件(W)的规定位置的带压接部(Q)，其中，具有贴附头(1、1’)的压接单元(Qu1、Qu2)沿着各向异性导电膜的贴附方向配设有多个，各贴附头(1、1’)的间隔能够调节地设定，并且，包括安装保持卷绕有各向异性导电带(T)的卷筒(R)的卷筒安装部的带供给单元
各向异性导电膜贴附装置

[发明专利]一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件-CN201710379588.X在审
发明人：刁治涛;李占杰;罗逍 -专利权人：湖北中部慧易数据科技有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件；磁性元件的双钉扎垂直各向异性磁固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁自由层的结构。其中垂直各向异性磁自由层位于双层非磁性间隔层之间。垂直各向异性磁自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能大于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其垂直各向异性磁自由层可实现在垂直于平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
一种用于实现自旋扭矩传递切换磁性元件制备方法磁存储器

[发明专利]一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层及随机存储器-CN201911265734.1在审
发明人：张云森;郭一民;麻榆阳;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层；所述垂直各向异性场增强层设置于磁性随机存储器存储单元，所述垂直各向异性场增强层为通过溅射沉积工艺形成的第一垂直各向异性场增强层以及通过第二垂直各向异性场增强层的双层结构，所述第一垂直各向异性场增强层通过第二垂直各向异性场增强层HCP晶系晶向的模板作用增强自由层的垂直各向异性场；本发明有利于MRAM电路读/写性能的提升，有利于其磁场免疫能力的提升，有利制作超小型的MRAM
一种磁性隧道垂直各向异性增强随机存储器

[发明专利]一种随钻VSP驱动处理的各向异性参数求取方法-CN202310195860.4在审
发明人：苏勤;王华;徐兴荣;胡光岷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01V1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种随钻VSP驱动处理的各向异性参数求取方法，包括以下步骤：S1、收集基础地震资料；S2、收集VSP资料；S3、开展速度场校正与优化，将收集到的钻井、测井、地质信息作为约束条件，重新优化校正速度场；S4、计算新的各向异性参数δnew；S5、各向异性参数优化与迭代，更新得到ε体；S6、利用更新后的各向异性参数，进行各向异性深度偏移，判断CIP道集是否拉平，本发明能够充分利用已有数据的各向异性参数、各向异性速度及新迭代速度，快速、准确的计算出新的各向异性参数。
一种 vsp 驱动处理各向异性参数求取方法