专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种构成LED平均照度的泛光灯-CN201420437486.0有效
  • 方迪勇 - 长沙信元电子科技有限公司;方迪勇
  • 2014-08-05 - 2014-12-31 - F21S2/00
  • 本实用新型涉及一种构成LED平均照度的泛光灯,包括:灯体、安装架、调整装置、发光模块、供电模块;所述灯体内设有一种多射角发光模块,该多角度发光模块包括:一种由纵横方向多个面面相邻、彼此之间成夹角排列用于安装发光模块的安装面组成的多面体基板以及在多面体基板的安装面上安装的多种不同光束角、不同光强发光模块;多射角发光模块至少设有彼此相邻、照射角度不同的远光单元、中光单元、近光单元并在该远光单元中光单元、近光单元分别设有多个面面相邻、成夹角排列的远光模块、中光模块、近光模块;近光模块发光强度<中光模块发光强度<远光模块发光强度。这种结构,不仅有效提高被照射区域的光照效果;而且还通过降低近光模块发光强度来降低灯具的功耗,达到节能目的。
  • 一种构成led平均照度泛光灯
  • [发明专利]一种监控显示像素发光强度的方法和装置-CN201711422047.7有效
  • 黄建东 - 上海耕岩智能科技有限公司
  • 2017-12-25 - 2023-08-01 - H10K59/60
  • 本发明提供了一种监控显示像素发光强度的方法和装置,所述装置包括自发光二极管显示屏、光学胶、光侦测阵列薄膜、处理芯片,所述光学胶贴合于自发光二极管显示屏的下表面,所述光侦测阵列薄膜设置于所述光学胶的下方;所述自发光二极管显示屏包括多个显示像素,每个显示像素包括发光层所述光学胶的折射率小于盖板玻璃的折射率。上述装置通过设计的光学胶,筛选出各个显示像素对应的有效区域范围内的反射光,而后再通过处理芯片根据光侦测阵列薄膜侦测到的第一反射光信号计算显示像素对应的发光强度,并在判定显示像素的发光强度在预设时间范围内没有发生变化
  • 一种监控显示像素发光强度方法装置
  • [发明专利]一种光学成像检测方法及设备-CN201910447147.8有效
  • 李波;王建存 - 武汉中导光电设备有限公司
  • 2019-05-27 - 2021-09-03 - G01N21/88
  • 本发明公开了一种光学成像检测方法及设备,检测方法包括以下步骤:设置照明装置的多种不同的发光强度,且发光强度的种类数为N,其中,N为大于等于2的正整数;使检测样品和成像装置之间沿预设的轨迹相对运动,所述成像装置拍摄多张照片并完成整个检测样品的拍摄;所述成像装置具有成像视场长度L,在沿所述轨迹拍摄时,所述成像装置与所述检测样品每相对运动距离M,所述成像装置成像一次,且0ML/(N‑1);同时,所述成像装置成像一次,所述照明装置发光一次以辅助所述成像装置成像,所述照明装置按周期性改变每次的发光强度,且在一个周期内,所述照明装置以设置的N种不同的发光强度分别发光
  • 一种光学成像检测方法设备
  • [发明专利]一种高发光强度的薄膜、制备方法及其用途-CN202011499998.6有效
  • 刘为振;李远征;孙颖;冯秋实 - 东北师范大学
  • 2020-12-17 - 2022-07-22 - C23C16/30
  • 本发明公开了一种高发光强度的薄膜制备方法,所述步骤包括:步骤A:通过化学气相沉积法在衬底上制备硫化物薄膜;步骤B:通过三氟甲烷磺酸溶液对所述的硫化物薄膜表面进行表面修饰,获得高发光强度的薄膜。此外,本发明还公开了一种高发光强度的薄膜,所述薄膜采用上述的薄膜制备方法制备得到。另外,本发明还公开了一种上述的高发光强度的薄膜的用途,所述薄膜用于制备二维光电器件。本发明通过使用三氟甲烷磺酸溶液对二硫化钼和二硫化钨表面进行修饰的方法,制备出了高效率发光的二硫化钼和二硫化钨薄膜,解决了二硫化钼和二硫化钨发光效率低的问题。
  • 一种发光强度薄膜制备方法及其用途
  • [发明专利]一种设备的环境光强检测方法及相关组件-CN202210602206.6在审
  • 梁宝超 - 歌尔股份有限公司
  • 2022-05-30 - 2022-09-09 - G01J1/44
  • 本发明公开了一种设备的环境光强检测方法及相关组件,涉及检测技术领域,针对显示屏的发光强度会影响对周围环境光强的检测精度的情况,建立预设对比度‑干扰值对应关系,于是首先获取周围环境的检测光强,随后基于显示屏的对比度及上述预设对比度‑干扰值对应关系,可确定当前对比度下的干扰光强,检测光强及干扰光强的差值即为周围环境的实际光强。可见,该方案有效解决了现有技术中实际光强的确定中叠加了干扰光强的情况,光强确定结果更加准确可靠,保证了后续对于显示屏的对比度调节的可靠性,从用户角度看,更精确地实现了显示屏的发光强度随着实际光强变化的调节
  • 一种设备环境检测方法相关组件
  • [发明专利]发光强度测量装置-CN201210020091.6有效
  • 田口步 - 索尼公司
  • 2012-01-20 - 2012-08-01 - G01N21/64
  • 本发明公开了一种发光强度测量装置,包括:光接收单元,与具有其中容纳样本的多个间格的生物芯片相对地设置,并且包括排列的多个光接收元件;和确定部,基于预先获得的光接收元件的噪声特性来确定每一光接收元件的权重比该发光强度测量装置还包括:乘算部,将每一光接收元件的输出乘以权重比以计算每一光接收元件的加权输出;和加算部,将与间格中的一个分别相对的光接收元件的加权输出相加。
  • 发光强度测量装置
  • [发明专利]显示装置-CN201980044702.0在审
  • 后藤尚子;冈本彩 - 夏普株式会社
  • 2019-07-09 - 2021-02-19 - G09G3/36
  • 可以实现一种显示装置(12),该显示装置(12)能够针对具有不同形状的多个单个驱动区域中的每一个控制背光源(9)所具备的多个发光组件,或者能够针对包括不同数量的发光组件的多个单个驱动区域中的每一个控制背光源(9)所具备的多个发光组件。区域有源驱动处理部(1)所具备的第二光源发光强度计算部(5)计算多个发光组件各自的第二发光强度,显示面板(11)的每个像素的亮度分布根据多个发光组件各自的第二发光强度来计算。
  • 显示装置
  • [实用新型]LED水族灯-CN201020577094.6无效
  • 李军平;敖勤锋;田国鹏 - 深圳威德森科技有限公司
  • 2010-10-22 - 2011-08-24 - F21S10/00
  • 本实用新型是关于一种能够提供光线补偿同时模拟自然界光线变化的LED水族灯,包括感光单元、控制单元、照明单元和电源单元,感光单元采集环境的光线参数,将其进行转换后传递给控制单元,控制单元根据感光单元所采集的环境光线参数调整电源单元的电流输出,照明单元包括多个LED灯,根据电源单元的输出电流控制LED灯的发光强度。本实用新型能随时根据外界光线的强度调整LED灯自身的发光强度,在保持水族箱内照明强度不变的情况下最大限度地节约耗电量,达到节约能源的目的,同时使水族箱内的生物不受外界光线强度变化的干扰。
  • led水族
  • [发明专利]荧光分光光度计-CN200710196592.9有效
  • 军司昌秀 - 株式会社岛津制作所
  • 2007-12-05 - 2008-11-19 - G01N21/64
  • 本发明可补偿光源发光强度的波动。本发明可利用第1分光部(12、13)将光源发出的光进行分光后,将具有特定的波长(λEx)的激发光入射到样品元件15。利用第2分光部(16、17)将来自样品元件部的光进行分光,并利用荧光检测部18来测定荧光强(IEm)。另一方面,参照光检测部19检测未经第1分光部选择的光的特定的波长(λR),将由所述参照光检测部检测出的光强的输出储存于光谱数据储存部21中。根据光谱数据的激发光波长、参照光波长、参照光强,算出激发光强度(IEx)。依据经测定的荧光强(IEm)、经算出的激发光强度(IEx),求得荧光分光光度计的输出。
  • 荧光分光光度计
  • [发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法-CN201611145257.1在审
  • 陈裕轩;吴明桂 - 亿光电子工业股份有限公司
  • 2016-12-13 - 2017-06-20 - H01L33/52
  • 一种发光二极管封装结构,包括一基材、一发光二极管以及一封装胶体。基材具有一第一表面,发光二极管配置于基材的第一表面上且适于产生及发射一光。封装胶体配置于基材上且包覆发光二极管,其中封装胶体具有与基材的第一表面平行的一第二表面以及与基材的第一表面垂直的多个第三表面。光通过与基材的第一表面平行的第二表面后具有一第一发光强度,光通过与基材的第一表面垂直的多个第三表面后具有一第二发光强度,第一发光强度大于第二发光强度。此外,一种发光二极管封装结构的制造方法亦被提及。
  • 发光二极管封装结构及其制造方法

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