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[发明专利]带有气体提纯装置的氮化硅生产反应釜-CN202310815266.0在审
发明人：欧阳艳青;袁莺 -专利权人：江西富鸿金属有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明涉及反应釜技术领域，且公开了一种带有气体提纯装置的氮化硅生产反应釜，包括反应釜本体，所述反应釜本体的顶部与驱动电机的底部固定连接，所述反应釜本体设置有气体提纯机构，所述驱动电机设置有搅拌机构，所述反应釜本体设置有清理机构，所述气体提纯机构包括：气泵，所述气泵的侧壁与反应釜本体的内壁固定连接，该带有气体提纯装置的氮化硅生产反应釜设置有气体提纯机构，催化气体经气泵抽出经过气体提纯器后，内输送管将气体输送到滑动模组底部的增压器中，再通过排气喷头释放，通过控制环形轨道设置的滑动模组来对反应釜本体内释放气体，该机构解决了传统气体提纯装置无法对反应釜内壁均匀释放气体的问题。
带有气体提纯装置氮化生产反应

[发明专利]薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件-CN201910718090.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该薄膜沉积方法可包括：将半导体衬底置于沉积室内；向沉积室内充入含有第一反应气体和第二反应气体的混合气体；将射频发生器的射频功率调整至第一射频功率，使得第一反应气体和第二反应气体在第一射频功率下反应，以在半导体衬底上沉积目标薄膜；停止混合气体中第一反应气体的充入，继续混合气体中第二反应气体的充入；将射频发生器的射频功率从第一射频功率升至第二射频功率，使得第二反应气体与沉积室内残余的第一反应气体在第二射频功率下充分反应；使射频发生器的射频功率从第二射频功率以预设速率逐渐减小至零
薄膜沉积方法半导体器件制作方法

[实用新型]一种高效循环式反应釜-CN202320140682.0有效
发明人：刘文鹏;刘利 -专利权人：沧州润利庆化工有限责任公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及反应釜技术领域，具体为一种高效循环式反应釜，包括反应釜本体，反应釜本体的两侧固定有净化框，净化框的上端设置有出气管，且出气管与反应釜本体连通，反应釜本体的顶部固定有电机，电机的动力轴伸入反应釜本体与搅拌片连接，反应釜本体的上端两侧设置有加料管，两侧的加料管将反应气体引入到反应釜本体中，通过电机带动搅拌片进行转动，加快反应气体的混合；抽风机上的引气管将反应釜内气体引入，再通过进气管将反应气体引入到净化框中，反应气体依次经过紫外线杀菌灯、石灰层和活性炭防护层对反应气体进行净化，出气管将净化后的气体引回到反应釜本体中。
一种高效循环反应

[发明专利]原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法-CN201880096524.1有效
发明人：崔鹤永;金栋元;金相勋;金根植 -专利权人：株式会社奈瑟斯比
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本发明的用于在基板形成原子层的原子层沉积装置包括：基板移送部，用于安置基板，并向第一方向及与所述第一方向不同的第二方向移送所述基板；气体供应部，布置于通过所述基板移送部而移送的所述基板的上方，并且包括供应源气体的源气体供应模块、供应反应气体的反应气体供应模块、布置于所述源气体供应模块与所述反应气体供应模块之间的吹扫气体供应模块；以及气体供应管部，包括连接所述源气体供应模块和源气体供应源的源气体供应管、连接所述反应气体供应模块和反应气体供应源的反应气体供应管，其中，所述源气体供应模块及所述反应气体供应模块中的至少一个能够根据所述基板移送部的基板移送方向而改变对基板的气体供应方向。
原子沉积装置利用方法

[实用新型]低压化学气相淀积反应系统-CN200720144353.4有效
发明人：朴松源;白杰;何有丰;唐兆云 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种LPCVD反应系统，包含提供反应气体的气体源、流量控制器、气体喷放装置以及反应腔室，所述气体源、流量控制器和气体喷放装置通过气体管路顺序相接；所述反应气体由所述气体源流出，经由所述流量控制器及气体喷放装置进入所述反应腔室；所述反应系统还包含压力控制器，所述压力控制器与连接气体源和流量控制器的气体管路以及连接流量控制器和气体喷放装置的气体管路分别相连；所述流量控制器为低压流量控制器。可增强进入其内的流量控制器的氟化氢气体的稳定性。
低压化学气相淀积反应系统

[发明专利]一种用于硫化物电解质材料检测的检测装置和方法-CN202010792074.9在审
发明人：吴凡;卢普顺;李泓 -专利权人：天目湖先进储能技术研究院有限公司;长三角物理研究中心有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2020-08-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硫化物电解质材料检测的检测装置和方法，检测装置包括：反应气体发生装置、反应环境参数控制装置、洗气瓶、气体检测仪和数据处理装置；反应气体发生装置向洗气瓶输送反应气体；反应环境参数控制装置用于调整控制和检测向洗气瓶输送的反应气体流量以及反应环境温湿度；洗气瓶用于容置被测硫化物电解质材料，参与反应的气体在设定反应环境参数下与被测硫化物电解质材料反应生成含硫气体；气体检测仪连接，对反应生成的含硫气体浓度进行实时检测得到实时含硫气体浓度检测数据；数据处理装置对以上数据进行数据分析处理
一种用于硫化物电解质材料检测装置方法

[发明专利]一种金刚石生长设备的气路控制系统及方法-CN202310925857.3在审
发明人：顾亚骏;全峰;蒋礼 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石生长设备的气路控制系统及方法，所述方法包括：工艺进气管道模块、反应腔体模块以及抽气管道模块依次连接；工艺进气管道模块用于输出反应气体和清洗气体对内部管道进行清洗，并将反应气体和清洗气体输出至反应腔体模块；反应腔体模块用于接收反应气体和清洗气体，并将反应腔体模块腔体内的混合气体输出至抽气管道模块；抽气管道模块用于抽出反应腔体模块腔体内的混合气体，并配合工艺进气管道模块输出的反应气体对反应腔体模块进行清洗本发明通过设置工艺进气管道模块和抽气管道模块对金刚石设备的输气管道和反应腔体进行了清洗，使金刚石培育过程中充入的生长培育气体更加纯净，保证了金刚石高效且稳定的生长。
一种金刚石生长设备控制系统方法

[发明专利]化学气相沉积设备-CN201611188878.8有效
发明人：左敏 -专利权人：江苏微导纳米装备科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开的化学气相沉积设备包括进气装置，所述进气装置包括：第一反应气体出气口，其用于向所述待处理衬底输送第一反应气体，和第二反应气体出气口用于向所述待处理衬底输送第二反应气体；隔离装置分布在第一反应气体出气口周围，隔离装置使得第一反应气体与第二反应气体的混合反应在空间上实现局域化；两种气体出气口与分布在第一反应气体出气口周围的隔离装置一起组成最小周期结构单元，本设备包括一个周期结构单元或一个以上周期结构单元；驱动装置本发明通过隔离装置设计将两种反应气体的混合反应在空间上实现局域化，通过进气装置与衬底载具之间的相对运动，对衬底进行沉积处理。
化学沉积设备

[发明专利]半导体处理反应器及其部件-CN201080015699.9有效
发明人： E·谢罗;M·维戈瑟;C·怀特;H·特霍斯特;D·莫里斯 -专利权人： ASM美国股份有限公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：具有包围气体输送系统(14)的外壳的反应器可操作地连接到反应室(16)和排气组件(18)。气体输送系统包括用于向反应室提供至少一种处理气体的多根气体管路。气体输送系统还包括用于接纳至少一种处理气体的混合器(20)。混合器可操作地连接到构造成使处理气体扩散的扩散器(22)。扩散器直接附连于反应室的上表面(24)，由此在两者之间形成扩散器容积。扩散器包括至少一个分配表面，该分配表面构造成当处理气体在引入反应室之前经过扩散器容积时提供对处理气体的流动限制。反应室形成反应空间，在该反应空间中设置半导体衬底以进行处理。排气组件可操作地连接到反应室，以从反应空间抽出未反应的处理气体和流出物。
半导体处理反应器及其部件

[实用新型]一种多组分物料混合反应盒-CN202023293632.1有效
发明人：孙科 -专利权人：江苏安欣环境科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多组分物料混合反应盒，包括反应仓，反应仓顶部设置有气体存储仓，反应仓顶部位于气体存储仓两侧都设置有若干物料存储仓，气体存储仓底部具有气体收集口，气体存储仓通过气体收集口与反应仓相连通，气体存储仓顶部设置有气体扩散口，物料存储仓底部都具有物料流通口，物料存储仓通过物料流通口与反应仓相连通，物料存储仓顶部都具有进料口。本实用新型的有益效果是：本实用新型设计合理，结构简单稳定，实用性强；能够控制反应仓内生成气体的生成速度，保持气体持续均匀释放，提高生成气体的利用率，适合推广使用。
一种组分物料混合反应

[发明专利]反应气体的急冷系统及反应气体的急冷方法-CN201510657981.1有效
发明人：王勇;高文刚;赵良;郭伟;苟荣恒;何源;刘义;何海科;吴国祥;李国锋;关丰中 -专利权人：神华集团有限责任公司;中国神华煤制油化工有限公司;中国神华煤制油化工有限公司新疆煤化工分公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种反应气体的急冷系统及反应气体的急冷方法。该急冷系统包括洗涤冷却装置，包括换热管和设置于换热管的上方的急冷水分布管，且反应气体通过换热管后得到洗涤后气体；喷雾装置，洗涤后气体经过喷雾装置后得到含水雾气体；旋流分离器，用于分离去除含水雾气体中的固体颗粒，得到含固体颗粒水和分离后气体；冷凝装置，用于去除分离后气体中的大部分水及油，得到冷凝气体。此外，本发明具有投资少、催化剂去除效率高、反应产物冷却效果好、操作简单、运行稳定等特点。
反应气体系统方法

[发明专利]一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺及设备-CN201410348461.8在审
发明人：秦崇德;方结彬;石强;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，包括：将制绒的硅片放入反应离子刻蚀设备中，反应离子刻蚀设备包括气体系统和电极平板，气体系统用于产生反应气体、刻蚀气体和保护气体；将硅片置于电极平板中，通入反应气体和刻蚀气体对硅片的正面绒面进行刻蚀处理；通入保护气体，保护气体与硅片的侧壁反应形成保护层，硅片于正面绒面的垂直方向的刻蚀速率大于侧璧的刻蚀速率；所述硅片的正面绒面形成微结构；其中，反应气体为O₂，刻蚀气体为SF₆，保护气体为C₄F₈。相应的，本发明还提供一种应用上述刻蚀工艺的反应离子刻蚀设备。采用本发明，大幅提高了电池短路电流，增加了电池发电效率。
一种太阳能电池反应离子刻蚀工艺设备

[发明专利]热处理装置和热处理方法-CN02805763.5有效
发明人：冈部庸之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-03-13 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部控制部连接到所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部。控制部控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
热处理装置方法

[发明专利]一种进气装置、反应腔室以及等离子体加工设备-CN201210094362.2有效
发明人：张慧 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种进气装置、反应腔室以及等离子体加工设备，进气装置包括进气管，在所述进气管内设有多个独立的反应气体进气通道，在所述进气管上且位于所述托盘的上方设有多层反应气体进气口，每层所述反应气体进气口分别与一所述反应气体进气通道连通，所述反应气体进气口沿所述进气管的长度方向间隔设置，在相邻两层所述反应气体进气口之间设有用于将由不同所述反应气体进气口排出的气体隔离的隔离板，所述隔离板固定在所述进气管上，所述隔离板的自由端位于所述被加工工件内侧的上方位置该进气装置可以提高反应气体的利用率，降低生产成本。
一种装置反应以及等离子体加工设备

[发明专利]一种制备透明导电电极的方法-CN201610257256.X有效
发明人：陈初群 -专利权人：陈初群
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备透明导电电极的方法，包括1)制备透明导电材料；2)形成反应区域在透明导电材料的导电层上形成反应区域；3)导入反应气体进行反应向反应区域导入反应气体，使反应区域内的导电层与反应气体发生反应；4)获得透明导电电极反应结束后，向反应区域通入保护气体除去反应区域内的残余反应气体，即得透明导电电极。本发明通过反应气体与导电层反应，使导电层部分导电材料转化为不导电材料，从而得到图案化的电极，并且导电区域和非导电区域光学性能差异极低，实现完全消影蚀刻，在实际应用中效果显著，且制备流程简单，制备成本低。
一种制备透明导电电极方法