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[发明专利]探测器装置和阵列面板-CN201911237661.5在审
发明人：杜迎帅;张丽;邓智;李波;吴宗桂;刘小桦;高乐 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种探测器装置和阵列面板。探测器装置，包括：半导体探测器、半导体芯片和封装支架，三者构成叠层，半导体探测器布置在半导体芯片的一侧上，封装支架布置在半导体芯片的远离半导体探测器的一侧上。半导体芯片的电信号通过电连接从半导体芯片的侧部或远离半导体探测器的底侧引至封装支架的侧面或远离半导体芯片的底侧。
探测器装置阵列面板

[发明专利]一种钻孔内核设施退役废物放射性多参数探测系统与方法-CN202010029015.6有效
发明人：刘志毅;刘军涛;钱湘萍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-01-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明公开了一种钻孔内核设施退役废物放射性多参数探测系统与方法，涉及核设施退役过程中的源项调查领域。系统包括计算机、前端机、阵列探测单元和连接单元，阵列探测单元包括位置灵敏闪烁体探测器单元、独立半导体探测阵列单元、半导体探测器与位置敏感探测器混合探测单元，位置灵敏闪烁体探测器单元、独立半导体探测阵列单元、半导体探测器与位置敏感探测器混合探测单元均包括通讯采集模块，通讯采集模块用于信号预放大、成形、采集、与前端机的通讯；灵敏闪烁体探测器单元还包括位置灵敏闪烁体探测器，独立半导体探测阵列单元还包括半导体探测器阵列，半导体探测器与位置敏感探测器混合探测单元包括还包括位置灵敏闪烁体探测器和半导体探测器。
一种钻孔内核设施退役废物放射性参数探测系统方法

[发明专利]半导体探测器模块及使用该半导体探测器模块的正电子断层摄影装置-CN200880128665.3无效
发明人：石井庆造;菊池洋平;松山成男;山崎浩道 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体探测器模块及使用该半导体探测器模块的正电子断层摄影装置，该半导体探测器模块具有简单的探测器结构且具有1mm以下的空间分辨率。一种半导体探测器模块及具备2个以上该半导体探测器模块的正电子断层摄影装置，所述半导体探测器模块重叠多个半导体探测器并能够3维地求出伽马射线的检测位置，所述半导体探测器由在表面形成导电阻抗性电极、在背面形成传导性电极的半导体板组成，使用来自导电阻抗性电极4个角ABCD的电信号的比率2维地检测半导体板内的伽马射线的检测位置。
半导体探测器模块使用正电子断层摄影装置

[发明专利]光电探测结构及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201710543971.4有效
发明人：任庆荣;孙建明;李禹奉;李良坚;王珂;刘英伟;杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出了光电探测结构及其制作方法、显示装置，该光电探测结构包括至少一个PIN单元，且该PIN单元包括：P型半导体；I型半导体；以及N型半导体，该N型半导体与I型半导体、P型半导体并排同层设置，且I型半导体设置在P型半导体与N型半导体之间。本发明所提出的光电探测结构，采用水平型设计的PIN光电探测结构，可有效地避免P型半导体对I型半导体的光吸收率的影响，从而可提高该光电探测结构的光电效率和识别能力，并且该水平型PIN光电探测结构的制作工艺步骤更简化
光电探测结构及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]一种紫外探测器芯片-CN202210045910.6有效
发明人：黄小辉;倪逸舟 -专利权人：至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种紫外探测器芯片，该芯片包括从下到上依次层叠设置的衬底、半导体缓冲层、半导体层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、紫外光吸收层、N型半导体隔离层、半导体倍增层、P型半导体传输层和P型半导体接触层通过在芯片中引入半导体倍增层，使得基于该芯片所制备的紫外探测器具有倍增性能，解决了AlInGaN半导体紫外探测器响应度低的问题，明显改善了AlInGaN半导体紫外探测器的光谱响应性能，尤其是日盲波段紫外探测器响应低的问题得到明显改善，拓宽了日盲波段紫外探测器的应用场景。
一种紫外探测器芯片

[发明专利]一种测量半导体探测器暗电流的方法-CN201010519142.0有效
发明人：李明;薛京谷;谭丽丽 -专利权人：江苏奥雷光电有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种测量半导体探测器暗电流的方法，将数个半导体探测器连接于探测器老化检测夹具上并并联后，给探测器老化检测夹具上的半导体探测器加上反向伏电压；当电流表上显示的暗电流小于100纳安培时，则判定所测的半导体探测器均为合格品；否则判定所测的数个半导体探测器中有不合格品，将所测的数个半导体探测器分成两组分别再次按照上述流程检测，直至找出不合格品，本发明测量半导体探测器暗电流的方法可一次同时测量数个半导体探测器，能够显著提高检测效率
一种测量半导体探测器电流方法

[发明专利]半导体探测器及半导体探测器制备方法-CN201811165515.1有效
发明人：黎淼;刘涵;曾弘宇;姚童;谢应涛;何丰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
半导体探测器制备方法

[发明专利]用于探测半导体电路中的未使用状态的方法和设备-CN200380108345.9有效
发明人： S·C·霍尔默 -专利权人：恩莫辛美国有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G01N37/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于探测半导体电路未用状态的未用状态探测电路。当未用状态探测电路没有被永久清零时，一个半导体电路是“未被使用”的。当一个半导体电路第一次加电时，未用状态探测电路将会探测此半导体电路以前没有“被使用过”，并自动激活启动程序或测试程序(或两者都进行)。在此半导体电路被使用过后，未用状态探测电路将提供说明本半导体电路不再是未经使用过的一个指示。未用状态探测电路利用专用非易失性存储器阵列的状态或半导体电路中通用非易失性存储器部分的专用区域的状态来探测此半导体电路是否以前未被使用。
用于探测半导体电路中的使用状态方法设备

[发明专利]紧凑型反符合快中子探测结构及获取中子能谱的方法-CN202111381995.7有效
发明人：王硕;韩晨尧;史全岐;王小利;贺鹏志 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种紧凑型反符合快中子探测结构及获取中子能谱的方法，属于中子探测领域，探测结构包括七个半导体探测器单元及一个由含氢材料制成的转化层，七个半导体探测器单元按顺序排列依次为第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七半导体探测器单元，每个半导体探测器单元包含至少一个半导体探测器，第一、第四及第七半导体探测器单元组成反符合探测器组，第二和第三半导体探测器单元组成中性粒子本底探测器组，第五和第六半导体探测器单元组成反冲质子探测器组；转化层设于第四与第五半导体探测器单元之间，转化层中的氢原子核与入射的中子发生碰撞产生反冲质子。
紧凑型符合快中子探测结构获取中子方法

[发明专利]一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器-CN201110180109.4无效
发明人：唐利斌;姬荣斌;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器，属于光电子技术领域，尤其是一种半导体紫外光伏探测器技术。本发明的一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器，包括基板、负极电极层、正极电极层和紫外半导体材料层，其特征在于该探测器的紫外半导体材料层是由有机紫外半导体与无机紫外半导体杂化形成的，其中，紫外半导体以ZnO纳米棒阵列为n型无机半导体，以宽带隙有机紫外半导体为p型有机半导体形成pn结。本发明的探测器具有大面阵、响应速度快和低功耗的特点。
一种有机无机半导体紫外光探测器

[实用新型]便携式氡浓度及其子体α潜能值的连续自动测量仪-CN02278075.0无效
发明人：陈志恒 -专利权人：陈志恒
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：一种便携式多功能氡及其子体α潜能连续自动测定仪，它包括探测室，半导体探测器，探测室为金属球形，探测器上部设有一开口，并安装有半导体探测器，半导体探测器与探测室之间设有绝缘层，半导体探测器依次与放大器，气室上设有半导体探测器，半导体探测器依次与放大器、多道脉冲幅度分析器、单片微机电连接。它既可测定大气中氡浓度以及其子体α潜能也可对土壤，水中氡进行测量。
便携式浓度及其潜能连续自动测量仪

[发明专利]超薄型反符合快中子探测结构及获取中子能谱的方法-CN202111383604.5在审
发明人：王硕;韩晨尧;史全岐;王小利;贺鹏志 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄型反符合快中子探测结构及获取中子能谱的方法，所述探测结构包括八个包含至少一个半导体探测器的半导体探测器单元及一个采用含氢材料制作而成的转化层，八个半导体探测器单元按顺序排列依次为第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八半导体探测器单元，第一与第四半导体探测器单元、第五与第八半导体探测器单元组成两组反符合探测器组，第二和第三半导体探测器单元组成中性粒子本底探测器组，第六和第七半导体探测器单元组成反冲质子探测器组；转化层设于第五与第六半导体探测器单元之间，转化层中的氢原子核与入射的中子发生碰撞产生反冲质子。
超薄型符合快中子探测结构获取中子方法

[发明专利]一种基于聚光效应的半导体光电探测器-CN202010742575.6在审
发明人：赵艾青;甘志星;刘慈慧;狄云松 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚光效应的半导体光电探测器，包括透明介质和半导体光电探测器，所述透明介质内部嵌合有荧光材料，透明介质的一侧与所述半导体光电探测器固定连接，透明介质的前壁、后壁、底部以及远离半导体光电探测器一侧的外壁均覆盖镀铝薄膜；所述半导体光电探测器包括半导体材料、ITO玻璃和金属电极，ITO玻璃和金属电极分别连接在半导体材料的两侧，且ITO玻璃与透明介质的一侧固定连接。本发明可以探测指定波长的光，光通过光波导被集中到侧面的半导体表面，会大幅激发半导体中电子或空穴的浓度，使得电流增大，从而提高了灵敏度。
一种基于聚光效应半导体光电探测器

[实用新型]一种半导体探测器-CN202121139318.X有效
发明人：冯延强 -专利权人：核工业北京地质研究院
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体探测器，涉及探测器技术领域，包括：半导体晶体和屏蔽体，半导体晶体直径不小于30毫米，半导体晶体厚度不小于15毫米，半导体晶体固定设置于屏蔽体内部，屏蔽体避光，半导体晶体顶面和半导体底面均设置有电极，各电极均用于与电极引线电连接，电极不与屏蔽体接触，通过电级对半导体晶体施加高压时，电极能够收集电子与电荷。本实用新型提供的半导体探测器提高了对γ射线的能量探测范围。
一种半导体探测器

[实用新型]三维双面硅微条探测器-CN201920424893.0有效
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维双面硅微条探测器，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有相互平行的下半导体基体，下半导体基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下半导体基体、下沟槽电极和下中央电极高度相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。上半导体基体、下半导体基体和中间半导体基体的掺杂浓度为1×10¹²cm^‑3；上沟槽电极、上中央电极、下沟槽电极和下中央电极的掺杂浓度均为1×10¹⁸
半导体基体探测单元中央电极电极嵌有上沟槽下沟槽半导体基平行掺杂体内水平方向错开本实用新型高度相等探测器微条三维

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