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[实用新型]一种带有搅拌机构的化晶池-CN202320108660.6有效
发明人：孟少伟;李晓勇;杨磊;常胜伟 -专利权人：河南新甜蜜智能科技有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A23L21/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有搅拌机构的化晶池，包括热水箱、化晶箱、电动缸、安装架、固定螺母、电机、转轴、毛刷安装架、毛刷、塑料压盘。化晶箱固定安装在热水箱内；电动缸安装在热水箱前后两侧；安装架安装在电动缸的电动杆上，配装固定螺母固定；电机安装在安装架上；转轴安装在电极的电机轴上；毛刷安装架安装在转轴中央；毛刷安装在毛刷安装架上；塑料压盘安装在转轴末端本实用新型的有益效果是：通过电动缸自由调节塑料压盘和毛刷的高度，在化晶池内蜂蜜晶体过多时，通过塑料压盘挤压蜂蜜晶体使其堆叠在一起，处于多件毛刷之间，通过电机转动带动毛刷从蜂蜜晶体表面刷过，配合热水箱内的热水，提高蜂蜜化晶效率。
一种带有搅拌机构化晶池

[实用新型]一种酸洗废水零排放处理装置-CN202120743050.4有效
发明人：郑干仁;胡徐明 -专利权人：温州中绿环保科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种酸洗废水零排放处理装置，包括收集池、中和池及结晶池，结晶池内安装有加热单元，结晶池外四侧面中部均固定安装有防护箱，防护箱底部固定安装有电机，电机的输出轴固定连接有螺纹杆，螺纹杆上螺纹连接有套管，防护箱上端设有供套管向上伸出的开口，结晶池内部设有刮晶板，刮晶板与套管之间固定连接有连接杆，刮晶板上设有沿刮晶板上端边缘设置的横板，横板与结晶池相邻一侧上粘设有毛刷，另一侧粘设有振动电机，横板上开设有通槽，横板与刮晶板一体成型，刮晶板下端固定安装有若干间隔设置的喷头，喷头的喷口朝向结晶池池壁设置。本实用新型的有益效果为：通过设置刮晶板，无需人工来清理结晶池池壁，且清洁效果好。
一种酸洗废水排放处理装置

[实用新型]一种用于处理偶氮染料污水的装置-CN201720349357.X有效
发明人：谢盛辉;彭广强;涂先猛;曽燮榕 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于处理偶氮染料污水的装置，其中，包括用于清除污水中沉淀物的沉淀池、用于去除污水中悬浮物的气浮池以及用于降解污水中偶氮染料的非晶反应釜，沉淀池通过第一连接管与所述气浮池连通，气浮池通过第二连接管与非晶反应釜连通，沉淀池的顶部设置有用于添加污水的进入口，所述非晶反应釜的顶部设置有用于添加非晶合金粉的投料口，所述非晶反应釜内部设置有用于搅拌非晶合金粉和污水的搅拌机，所述非晶反应釜的底部设置有用于回收非晶合金粉的电磁吸盘以及用于排出污水的出水口；本实用新型通过在非晶反应釜中添加非晶合金粉去降解污水中的偶氮染料，有效提升了污水的处理效率，并且非晶合金粉末在反应后易于收集，利于循环使用。
一种用于处理偶氮染料污水装置

[实用新型]一种基于石英晶体微天平的反应池-CN201520688891.4有效
发明人：魏耀华;马文英;唐雨竹;姚尧 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感检测技术领域，具体涉及一种基于石英晶体微天平的反应池，其特征在于：包括池盖，所述池盖上设置有凹槽，所述池盖上还设置有用于封闭所述凹槽的晶振片，所述晶振片与所述池盖之间为可拆卸的连接，如此，方便拆装，并能够适用于多种尺寸规格的晶振片。
一种基于石英晶体天平反应

[发明专利]一种晶圆沟槽腐蚀装置-CN202310603769.1有效
发明人：冯永;胡仲波;王一超;蒋红全;周建余 -专利权人：四川上特科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆沟槽腐蚀装置，涉及半导体器件生产技术领域，包括：工作台、转移机构、晶圆架、吹气机构。工作台上依次设有腐蚀池、收集池和清洗池；转移机构包括沿工作台长度方向移动的横杆，横杆上设有两个对称布置且相向移动的夹持模块，夹持模块包括两个对称布置的夹杆，夹杆沿竖直和横杆的宽度方向移动，用于夹持晶圆架；晶圆架有多个，分布于腐蚀池、收集池和清洗池内，晶圆架上设有承载框，用于承载晶圆；吹气机构设于收集池内，包括穿设于收集池中的传动轴，传动轴上设有两个转杆，转杆上设有多个吹气口，用于向晶圆架吹气。将从腐蚀池取出的晶圆携带的蚀刻液收集回腐蚀池，减少浪费，在清洗之前减少蚀刻液的残留，减少废液的产生。
一种沟槽腐蚀装置

[发明专利]中小型锅炉烟气一体化脱硫除尘方法-CN201010593329.5有效
发明人：姜述玉;姚殿宝;温建;孙艳燕;李春生 -专利权人：秦皇岛双轮环保科技有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种中小型锅炉烟气一体化脱硫除尘方法，锅炉烟气经电除尘器除尘后，在引风机的牵引下切向进入脱硫塔进行脱硫反应，脱硫并除去水雾后的烟气可直接进入烟道并由烟囱排放；脱硫液采用塔内循环吸收方式，脱硫塔塔釜经过管道流入循环池，先加入结晶池，加入晶种诱导石膏结晶，结晶后的循环液进入再生池再生，再生后脱硫液再加入沉淀池沉淀，上清液和进入结晶池的脱硫液按照一定比例通过循环泵打入脱硫塔作为脱硫液进行脱硫反应。本发明在再生反应前，增加结晶池，加入晶种诱导石膏结晶，避免过饱和溶液进入吸收系统，防止石膏加入脱硫塔结晶引起的结垢、堵塞问题发生。
中小型锅炉烟气一体化脱硫除尘方法

[发明专利]利用高温磷渣熔液生产微晶材料的生产工艺-CN201010181061.4无效
发明人：贾培祥;贾锡永 -专利权人：明光市华慧微晶铸石有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明是利用高温磷渣熔液生产微晶材料的生产工艺。把黄磷生产中排放的高温磷渣熔液存入集料池内保温，并让其流入微晶材料熔窑；把占磷渣熔液重量10-30％的辅助配合料投入微晶材料熔窑，进行熔化、混合、澄清、均化；调整配合料的各种物质的量，使得熔窑内的主要组成物质占微晶材料熔液总重量的百分比：SiO2为38-48％，CaO为35-45％，其余为其它物质；使用黄磷生产中排放出的含有CO等可燃气体作燃料，对集料池、微晶材料熔窑以及晶化-退火窑的保温、加热。
利用高温磷渣熔液生产材料生产工艺

[发明专利]一种聚甲醛废水联产甲酸钠的方法-CN202210185856.5在审
发明人：蒋云龙;龚光泽;廖新华;杨志波;胡浩;惠银选 -专利权人：天津渤化永利化工股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C07C51/43 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚甲醛废水联产甲酸钠的方法：将聚甲醛废水引入PH值调和池，将废碱加入PH值调和池，控制PH值8.5～9.5；通过调和泵将PH值调和池的废水送入离子交换膜分离装置，经离子交换膜分离装置分离后，不含甲酸钠的废水送入废水池，经废水泵外送；含甲酸钠的溶液进入浓缩结晶器；通过浓缩结晶器浓缩结晶后，溢流的母液进入母液桶，晶浆送分离机；晶浆经过分离机分离后，液相进入母液桶，与浓缩结晶器溢流的母液混合后送入浓缩结晶器循环使用；晶浆经过分离机分离后，固相进入干燥机，干燥后包装成甲酸钠成品。本发明可将原本处理难度大、处理成本高的废水和废碱进行资源化利用，生产甲酸钠产品，降低处理难度和成本，实现资源化综合利用，提升经济效益。
一种甲醛废水联产甲酸方法

[发明专利]一种晶圆水平电镀装置及阴极电镀液的喷流方法-CN202110021822.8有效
发明人：何志刚;余丞宏 -专利权人：上海戴丰科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆水平电镀装置及阴极电镀液的喷流方法，晶圆水平电镀装置包括晶圆载具、电镀液池和至少1组阴极电镀液喷头组合，电镀液池包括阳极电镀液池体和阴极电镀液池体，在阴极电镀液池体和阳极电镀液池体之间设置离子膜通过阴极电镀液喷头产生平行于晶圆表面的流体，从而将积存在晶圆待电镀结构层内的气泡顺着流体而排出，防止电镀空穴产生；电镀时，两个相对设置的阴极电镀液喷头分别对应于晶圆外圆周下方的两侧，所有的阴极电镀液喷头轮流喷液，进而产生不同方向的液流，防止单一液流方向造成的镀层厚度不均匀，确保晶圆镀层均一稳定。
一种水平电镀装置阴极喷流方法

[实用新型]磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置-CN202120717085.0有效
发明人：罗求发;陆静;徐西鹏;薛志萍;姜峰;温海浪 -专利权人：华侨大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置，包括主轴模块、液池模块及装夹模块；该主轴模块包括主轴、转接盘、供晶圆衬底固设其上的样品台和加热器；该液池模块包括液池、盖板、固定环及进液管，该液池包括设有安装通孔的池底、池内壳、池外壳和设有样品口的池盖；该装夹模块包括加载装置、样品夹杆和硬质磨料压头。它具有如下优点：通过硬质磨料压头与晶圆衬底的划擦实验，还原加工过程中划擦速度、载荷、温度和润滑状态，进而研究硬质磨粒与晶圆之间的界面作用关系，有助于揭示硬质磨料与晶圆衬底界面摩擦化学反应的作用机制，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景
磨料衬底摩擦化学反应实现装置

[发明专利]气泡去除方法-CN202110040352.X有效
发明人：史蒂文·贺·汪;周志伟 -专利权人：硅密芯镀（海宁）半导体技术有限公司;新阳硅密（上海）半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种气泡去除方法，其用于在电镀晶圆时消除晶圆表面的气泡，所述气泡去除方法包括：S10、控制晶圆随晶圆夹具以相对电镀液面倾斜的姿态浸入电镀池中，并使所述晶圆夹具的死区位于所述电镀池的溢流区域中；S20、控制所述晶圆夹具沿平行或接近所述电镀液面的方向移动，使所述晶圆夹具的死区离开所述电镀池的溢流区域。该气泡去除方法，利用电镀池的溢流区域的液面高于电镀池的电镀液面的特性，在晶圆夹具带着晶圆以面朝下的姿态浸入电镀液面，通过将晶圆夹具的死区移动至溢流区域，利用电镀液的溢流流动将位于死区内的气泡带出，快速、
气泡去除方法

[实用新型]一种液晶玻璃用的灌浆机-CN202122926262.9有效
发明人：黄赵华;游丽云;邓荣亮;林良清;史智清 -专利权人：莆田市钜晶科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G02F1/1341 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液晶玻璃用的灌浆机，包括灌晶架、装设有冷却装置的舱盖以及灌晶池，灌晶池设于灌晶架下方，舱盖可转动的装设于灌浆机上；冷却装置包括制冷器，制冷器设有制冷口，制冷口靠近灌晶架设置，用以将液晶填充灌晶池，往玻璃内填充液晶，逐渐往外排出液晶的同时，通过制冷器冷凝被灌入玻璃的液晶；本实用新型在对液晶玻璃进行灌晶完成后，可同时启动制冷器，使灌晶池内的液晶逐渐逐渐排出灌晶池，水位线逐渐下降时，制冷器会对液晶玻璃逐渐露出的表面进行降温冷却，加快液晶玻璃内液晶的凝固速度，直至灌晶池内的液晶全都排出后，便完成对液晶玻璃的冷却工序，从而避免通过人工贴条封闭液晶玻璃的边沿进行静置时，因人为操作失误而液晶玻璃边沿出现间隙漏晶的问题。
一种液晶玻璃灌浆

[发明专利]一种可重构的电磁超表面装置和方法-CN202210258536.8在审
发明人：刘敏;刘一曼;潘礼庆;朴红光;杨先卫 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：一种可重构的电磁超表面装置和方法，包括：超薄多孔面板，溶液池，微纳马达集群，超声晶振器和旋转磁场发生装置。超薄多孔面板置于溶液池上方，可以在溶液池四角的定位杆辅助下与溶液池对正，并通过溶液池上部凸出条固定在溶液池上表面。微纳马达集群分布在溶液池内。超声晶振器置在溶液池周围，可以在溶液池内产生图形化超声信号。旋转磁场发生装置置于溶液池底部，可在溶液池周围空间产生均匀磁场。
一种可重构电磁表面装置方法

[发明专利]熔融高炉渣直接生产建材砖的方法-CN201410589351.0无效
发明人：张震;吕建民;韩丽营;沈毅 -专利权人：唐山国丰钢铁有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C21B3/06 文献下载
摘要：其工艺过程是：经过渣铁分离进入渣沟温度达1400℃至1500℃高炉熔融渣在储液池中升温、均化或调质，然后进入供液池及工作部，工作部出口温度为1330℃至1450℃；从工作部出来的渣液进入压延机成型，通过压延冷却形成表面温度为950℃至1200℃的表面固化的板材；压延板进入晶化炉进行晶化，晶化温度为950℃至1200℃；晶化后的板材进入退火炉退火消除应力，并降温到70℃出退火炉，出退火炉的板材经定尺切割、抛光、分切及整边形成成品砖
熔融炉渣直接生产建材方法

[发明专利]磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置及其实现方法-CN202110378440.0在审
发明人：罗求发;陆静;徐西鹏;薛志萍;姜峰;温海浪 -专利权人：华侨大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置及其实现方法，实现装置包括主轴模块、液池模块及装夹模块；该主轴模块包括主轴、转接盘、供晶圆衬底固设其上的样品台和加热器；该液池模块包括液池、盖板、固定环及进液管，该液池包括设有安装通孔的池底、池内壳、池外壳和设有样品口的池盖；该装夹模块包括加载装置、样品夹杆和硬质磨料压头。它具有如下优点：通过硬质磨料压头与晶圆衬底的划擦实验，还原加工过程中划擦速度、载荷、温度和润滑状态，进而研究硬质磨粒与晶圆之间的界面作用关系，有助于揭示硬质磨料与晶圆衬底界面摩擦化学反应的作用机制，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景
磨料衬底摩擦化学反应实现装置及其方法