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[发明专利]用来对基板进行化学机械抛光的方法-CN201010184693.6有效
发明人：刘振东;郭毅 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用来对基板进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供一种基板，所述基板包含二氧化硅；提供一种化学机械抛光组合物，该化学机械抛光组合物包含：水，磨料；式(I)所示的双季阳离子；以及任选的季烷基铵化合物；提供化学机械抛光垫；在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触；以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上；所述化学机械抛光组合物的pH为2-6；所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500/分钟。
用来进行化学机械抛光方法

[发明专利]稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法-CN201110354333.0无效
发明人：刘振东;郭毅;K-A·K·雷迪;张广云 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法。一种化学机械抛光组合物，该组合物包括作为原始成分的下述组分：水；研磨剂；如式(I)的双季化物质；如式(II)的胍的衍生物；和任选地，季铵盐。同时，提供了一种化学机械抛光基材的方法，其包括：提供一种基材，其中所述基材包括二氧化硅；提供一种本发明的化学机械抛光组合物；提供一个化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基材之间的界面建立动态接触；把化学机械抛光组合物分配至在化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者邻近处的化学机械抛光垫上；其中化学机械抛光组合物的pH为2-6。
稳定浓缩化学机械抛光组合抛光基材方法

[发明专利]抛光半导体衬底的方法-CN201610087216.5有效
发明人： Y·郭;D·莫斯利 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：提供一种用于具有暴露的二氧化硅特征的衬底的化学机械抛光的工艺，包括：提供化学机械抛光组合物，其含有以下各者作为初始组分：水、胶态二氧化硅研磨剂和氧锆化合物；其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6；给化学机械抛光衬垫提供抛光表面；将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上；和在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触；其中所述衬底经抛光。
抛光半导体衬底方法

[发明专利]稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物及其涉及的方法-CN201210126850.7有效
发明人： H·拉克奥特;石进杰;J·莱蒂齐亚;X·李;T·H·卡兰塔尔;F·凯勒;J·K·哈里斯;C·J·塔克 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于含有互连金属的半导体晶片化学机械抛光的化学机械抛光组合物，它包含，作为初始成分的：水；唑类抑制剂；碱金属有机表面活性剂；水溶助剂；含磷试剂；水溶性纤维素；任选的非糖类水溶性聚合物；任选的化学式I的水溶性酸化合物，其中R选自氢和C1-5烷基，并且其中x是1或2；任选的络合剂；任选的氧化剂；任选的有机溶剂；以及任选的磨料。另外，还提供了本发明化学机械抛光组合物的制备方法和对基材进行化学机械抛光的方法，包括：提供基材，其中基材是具有铜互连的半导体晶片；提供本发明的化学机械抛光组合物；提供化学机械抛光垫；施加0.69至34.5kPa的向下作用力，使化学机械抛光垫与基材之间界面处产生动态接触；以及在化学机械抛光垫与基材之间界面处或附近将化学机械抛光组合物分配到化学机械抛光垫上；其中化学机械抛光组合物的pH通过加入磷酸，氢氧化镁和氢氧化锂中的至少一种调整至
稳定浓缩化学机械抛光组合及其涉及方法

[发明专利]稳定的、可浓缩并且无水溶性纤维素的化学机械抛光组合物-CN201210126827.8有效
发明人： H·拉克奥特;石进杰;J·莱蒂齐亚;X·李;T·H·卡兰塔尔;F·凯勒;J·K·哈里斯;C·J·塔克 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C09G1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于含有互连金属的半导体晶片化学机械抛光的化学机械抛光组合物，它包含作为初始成分的：水；唑类抑制剂；碱金属有机表面活性剂；水溶助剂；含磷试剂；任选的非糖类水溶性聚合物；任选的化学式I的水溶性酸化合物另外，还提供了本发明化学机械抛光组合物的制备方法和对基材进行化学机械抛光的方法，包括：提供基材，其中基材是具有铜互连的半导体晶片；提供本发明的化学机械抛光组合物；提供化学机械抛光垫；施加0.69至34.5kPa的向下作用力，使化学机械抛光垫与基材之间界面处产生动态接触；以及在化学机械抛光垫与基材之间界面处或附近将化学机械抛光组合物分配到化学机械抛光垫上；其中化学机械抛光组合物的pH通过加入磷酸，氢氧化镁和氢氧化锂中的至少一种调整至
稳定浓缩并且水溶性纤维素化学机械抛光组合

[发明专利]抛光硫族合金的方法-CN201110243557.4无效
发明人：具滋澔;刘振东;K·沙旺特;K-A·K·雷迪 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：抛光硫族合金的方法，本发明提供了一种用于化学机械抛光基底的方法。本发明包括提供一其中包括硫族相变合金的基底和提供一化学机械抛光组合物，其中该化学抛光组合物包括，按重量百分比计，水、0.1-30的研磨剂、至少一种抛光剂，抛光剂选自0.05-5的卤素化合物、0.05-5的邻苯二甲酸、0.05-5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物和其混合物，其中该化学机械抛光组合物的pH为2-小于7。一化学机械抛光垫以该化学机械抛光垫和该化学机械抛光组合物抛光基底，达到从基底选择性地或非选择性地去除硫族相变合金。
抛光合金方法

[发明专利]化学机械抛光水性组合物及钛基片化学机械抛光工艺方法-CN201210248460.7有效
发明人：路新春;戴媛静;潘国顺;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光水性组合物及钛基片化学机械抛光工艺方法。其中，化学机械抛光水性组合物包含：1-20重量%，优选4-6重量%的磨料；0.5-10重量%，优选0.9-3重量%的氧化剂；0.01-10重量%，优选0.1-2重量%的络合剂；以及0.1-10重量％，优选1-5重量%的缓蚀成膜剂，其中，所述化学机械抛光水性组合物的pH值为1.0-7.0，优选1.5-4.0。本发明的化学机械抛光水性组合物能够有效地应用于钛基片的化学机械抛光工艺，从而能够有效地获得高抛光速率、高表面质量的抛光钛金属层。
化学机械抛光水性组合钛基片工艺方法

[发明专利]用来对锗-锑-碲合金进行抛光的化学机械抛光组合物和方法-CN201210139136.1有效
发明人：李在锡;郭毅;K-A·K·雷迪;张广云 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：一种用来对包含锗-锑-碲硫属化物相变合金(GST)的基片进行化学机械抛光的方法，该方法使用化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物主要由以下作为初始组分的物质组成：水；磨料；选自乙二胺四乙酸及其盐的材料；氧化剂；所述化学机械抛光组合物促进获得高的GST去除速率，并且缺陷率低。
用来合金进行抛光化学机械抛光组合方法

[发明专利]钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用-CN201210248321.4有效
发明人：路新春;戴媛静;潘国顺;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用。其中，钛酸钡化学机械抛光水性组合物包含：1-20重量%，优选8-15重量%的磨料；0.5-10重量％，优选1-3重量%的络合剂；以及0.01-5重量%，优选0.1-1重量%的表面吸附剂，其中，该钛酸钡化学机械抛光水性组合物的本发明的钛酸钡化学机械抛光水性组合物，能够有效地应用于钛酸钡基片化学机械抛光工艺，从而能够有效地获得高抛光速率、高表面质量的抛光钛酸钡层。
钛酸钡化学机械抛光水性组合及其应用

[发明专利]化学机械抛光水性组合物及其用途-CN201310144352.X有效
发明人：戴媛静;雒建斌;路新春;潘国顺 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了化学机械抛光水性组合物及集成电路银互连银层的化学机械抛光工艺方法。其中，该化学机械抛光水性组合物包含：1-20重量%，优选4-8重量%的磨料；0.1-10重量%，优选0.5-5重量%的络合剂；以及0.1-10重量%，优选1-3重量%的润滑剂，其中，该化学机械抛光水性组合物的该化学机械抛光水性组合物能够有效地应用于集成电路银互连银层的化学机械抛光工艺，能够有效实现高平整度的高速初抛光和优化表面粗糙度的低速终抛光，从而能够得到极低表面缺陷的纳米级抛光银层表面。
化学机械抛光水性组合及其用途

[发明专利]化学机械抛光组合物及其相关方法-CN200910208343.6有效
发明人：刘振东 -专利权人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C23F3/00 文献下载
摘要：一种用来使用化学机械抛光组合物对包含锗-锑-碲硫属化物相变合金的基板进行化学机械抛光的方法，所述组合物包含水；1-40重量％的平均粒度≤50纳米的胶体二氧化硅磨粒；以及0-5重量％的季铵化合物；所述化学机械抛光组合物不含氧化物且不含螯合剂；所述化学机械抛光组合物的pH值为＞6至12。
化学机械抛光组合及其相关方法

[发明专利]光催化辅助的钨化学机械抛光组合物及抛光方法-CN202111260053.3在审
发明人：姜鉴哲;王晗笑;宋英英;张琳;付聚三 -专利权人：博力思（天津）电子科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明为光催化辅助的钨化学机械抛光组合物及抛光方法，包括：包含钨和电介质的衬底；以二氧化钛作为磨料，不添加氧化剂的抛光组合物；具有抛光表面的化学机械抛光垫；紫外光源；化学机械抛光垫与衬底之间的界面处产生动态接触，在紫外光照射下，将上述抛光组合物分配到化学机械抛光垫与衬底之间的界面处或附近的化学机械抛光表面上进行抛光。该抛光组合物中不含氧化剂，以二氧化钛作为磨料，该抛光方法在不添加金属离子的同时保证钨的抛光速率，污染更少。本申请为钨抛光提供了一种新的思路。
光催化辅助化学机械抛光组合抛光方法

[发明专利]含有铜和钌的基材的化学机械抛光-CN201980082006.9在审
发明人： H·O·格文茨;L·勒尼森;M·劳特尔;R·M·戈扎里安;C·达施莱茵;J·普罗尔斯;魏得育 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物和化学机械抛光(CMP)方法。本发明特别涉及一种化学机械抛光含有铜和钌的基材，具体为含有铜和钌的半导体基材的组合物和方法。
含有基材化学机械抛光

[发明专利]含有铜和钌的基材的化学机械抛光-CN201980082018.1在审
发明人： H·O·格文茨;M·劳特尔;魏得育;W·L·仇;R·M·戈扎里安;J·普罗尔斯;L·勒尼森 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物和化学机械抛光(CMP)方法。本发明特别涉及一种化学机械抛光含有铜和钌的基材，具体为含有铜和钌的半导体基材的组合物和方法。
含有基材化学机械抛光

[发明专利]含有铜和钌的基材的化学机械抛光-CN201980082189.4在审
发明人： H·O·格文茨;M·劳特尔;魏得育;W·L·仇;R·M·戈扎里安;J·普罗尔斯;L·勒尼森 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物和化学机械抛光(CMP)方法。本发明特别涉及一种化学机械抛光含有铜和钌的基材，具体为含有铜和钌的半导体基材的组合物和方法。
含有基材化学机械抛光

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