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[发明专利]光电半导体芯片-CN201280048007.X有效
发明人：诺温·文马尔姆;汉斯-于尔根·卢高尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：提出一种具有半导体本体（2）的光电半导体芯片（1），所述半导体本体具有带有设为用于产生电能的有源区域（20）的半导体层序列。有源区域（20）构成在第一导电类型的第一半导体层（21）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层（22）之间。半导体本体（2）设置在载体本体（5）上。第一半导体层（21）设置在第二半导体层（22）的背离载体本体（5）的一侧上。半导体本体（2）具有至少一个凹部（25），所述凹部从载体本体（5）延伸穿过第二半导体层（22）。至少局部地在载体本体（5）和半导体本体（2）之间设置有第一连接结构（31），所述第一连接结构在凹部（25）中与第一半导体层（21）导电地连接。
光电半导体芯片

[发明专利]半导体光电组件及其切割方法-CN200710000100.4有效
发明人：程志青;蔡棋 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽劈裂，形成半导体光电组件晶粒。本发明的半导体光电组件是具有一基板与一外延硅层，外延硅层是形成于基板的一表面，基板的侧面设有粗糙表面，该粗糙表面是为于半导体光电组件芯片表面进行镭射划线而产生导引沟槽，再于导引沟槽内进行钻石刀切割所形成
半导体光电组件及其切割方法

[发明专利]光电子半导体器件-CN201310198256.3有效
发明人：安部正幸 -专利权人：台州市一能科技有限公司;安部正幸
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电子半导体器件，属于半导体技术领域。它解决了现有半导体芯片结晶缺陷的存在影响了芯片成品率的问题。一种光电子半导体器件，包括衬底和半导体芯片，该半导体芯片通过如下方法得到：在发光领域存在的结晶缺陷密度D超过光电子半导体外延结晶片标定的最小结晶缺陷密度D时，算出有效发光面积A的最大值，在有效发光面积A的最大值范围内选取半导体芯片有效发光面积A2并以该半导体芯片有效发光面积A2对外延结晶片进行切割，并得到半导体芯片；之后用半导体芯片制造出光电子半导体器件。本发明采用能够将一些结晶缺陷密度大的外延片也能够进行分割从而得到较多数量的有效的光电子半导体芯片，提高效率，减少浪费。
光电子半导体器件

[发明专利]半导体设备和电子设备-CN201310629778.4无效
发明人：中村卓矢 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备和电子设备。半导体设备包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和防闪光板。在第一半导体芯片上形成光电转换单元，该光电转换单元被配置为对在光接收区中所接收的光执行光电转换。第二半导体芯片电连接至第一半导体芯片，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片的在光接收区一侧的表面上。防闪光板被设置在第二半导体芯片上，所述防闪光板被配置为阻挡光，所述防闪光板与第二半导体芯片接触。
半导体设备电子设备

[发明专利]光电子半导体器件-CN201280012368.9有效
发明人：格哈德·库恩;阿莱斯·马尔基坦;克里斯蒂安·盖特纳;乌尔里希·施特雷佩尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-01-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件包括至少两个光电子半导体芯片（2），所述光电子半导体芯片位于共同的安装面（5）上。光学元件（3）沿着主放射方向（M）设置在半导体芯片（2）的下游并且与半导体芯片（2）隔开。沿着横向于主放射方向（M）的方向（L），光学元件（3）在过渡区域（30）中具有透射梯度。在安装面（5）的俯视图中，过渡区域（30）不覆盖半导体芯片（2）。
光电子半导体器件

[发明专利]半导体封装-CN201611166844.9在审
发明人：全炫水 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装。该半导体封装包括电路基板；半导体芯片，安装在电路基板上并电连接到电路基板；光电芯片，安装在半导体芯片上；以及粘合部，插置在半导体芯片和光电芯片之间。
半导体封装

[发明专利]电镀覆层的光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法-CN201180044634.1有效
发明人：西格弗里德·赫尔曼;赫尔穆特·菲舍尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体组件，其具有无衬底的光电子半导体芯片（1）和金属载体（2），其中所述光电子半导体芯片在上侧上具有第一主面（1a）并且在下侧上具有第二主面（1b），所述金属载体设置在光电子半导体芯片（1）的下侧上，其中金属载体（2）在至少一个横向方向（1）上超出光电子半导体芯片（1），并且金属载体（2）电镀地或者不通电地沉积在光电子半导体芯片（1）的第二主面（1b）上。
电镀覆层光电子半导体组件用于制造方法

[发明专利]用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件-CN201380067622.X有效
发明人：斯特凡·普雷乌斯;迈克尔·齐茨尔斯佩格;卡罗琳·基斯特纳 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提出一种用于制造光电子薄膜芯片半导体构件(200)的方法，其中将导体结构(2)施加在载体(1)上并且在导体结构之间设置多个光电子半导体芯片(5)，所述半导体芯片分别在上侧(6)包括层(7)，尤其是荧光转换层此外，例如借助于接合线在半导体芯片(5)和导体结构(2)之间建立电连接部(8)，并且用模制体(11)包围半导体芯片(5)和导体结构，其中模制体(11)在光电子半导体芯片(5)的背离载体(1)的上侧(4)上不突出于光电子半导体芯片。此外，移除载体(1)并且分割已改型的半导体芯片。在一个特别的成形形式中，在模制体上设置有另一个对芯片改型的层、例如反射层。
用于制造光电子半导体构件方法

[实用新型]一种高可靠性光电半导体器件-CN201720565919.4有效
发明人：石维志;邓玉仓;耿占峰 -专利权人：光创空间（深圳）技术有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装领域，尤其涉及一种高可靠性光电半导体器件，该光电半导体器件包括金属支架、热固型的反射体、光电半导体芯片以及无机透光层；在金属支架上设有模压形成的反射体，在反射体于金属支架围成的空间内，固定有光电半导体芯片，在光电半导体芯片的四周及上方，填充透光性无机材料改性水玻璃以形成无机透光层。
一种可靠性光电半导体器件

[发明专利]用于制造光电子器件的方法-CN201480037849.4有效
发明人： M.布兰德尔;M.布格尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：用于制造光电子器件的方法包括步骤：提供具有布置在光电子半导体芯片的上侧上的掩模层（200）的光电子半导体芯片（100）；提供具有布置在载体的表面上的壁（320）的载体（300），所述壁（320）侧向地限制接纳区域；在接纳区域中布置光电子半导体芯片，其中光电子半导体芯片的下侧朝向载体的表面；利用光学反射材料（400）将接纳区域的包围光电子半导体芯片的区域填充直至以下高度，也即所述高度处于光电子半导体芯片的上侧和掩模层的上侧之间
用于制造光电子器件方法

[发明专利]光电子半导体芯片、光电子器件和用于制造半导体芯片的方法-CN201480041995.4有效
发明人：于尔根·莫斯布格尔;卢茨·赫佩尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有载体(2)和半导体本体(1)，所述半导体本体包括设置用于产生电磁辐射的有源层(13)，其中半导体本体设置在载体上，半导体本体具有背离载体的第一主面(1A)和朝向载体的第二主面(1B)，半导体芯片具有带有锚固结构(4)的侧面(1C)，并且第二主面设置在第一主面和锚固结构之间。此外，提出一种具有这种半导体芯片的光电子器件(100)和一种用于制造多个这种半导体芯片的方法。
半导体本体半导体芯片主面光电子半导体芯片光电子器件锚固结构电磁辐射源层制造背离侧面

[发明专利]光电子半导体芯片-CN200780014639.3有效
发明人：斯特凡·伊莱克 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种光电子半导体芯片(1)，该光电子半导体芯片(1)具有半导体主体(2)，该半导体主体(2)包括半导体层序列和适合于产生辐射的活性区，并且该光电子半导体芯片(1)具有辐射可透过并且导电的接触层(6)，该接触层(6)布置在半导体主体上并且导电地连接到活性区，其中接触层在半导体层序列中的阻挡层(5)之上和半导体层序列中的连接层(4)之上延伸，并且其中接触层经由连接层的连接区(7)导电地连接到活性区。还提供了一种用于产生适合于产生辐射的光电子半导体芯片的接触结构的方法。
光电子半导体芯片

[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN201480015064.7有效
发明人：洛伦佐·齐尼;托比亚斯·迈耶 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有至少一个半导体芯片(1)以放射电磁辐射(6)，其中半导体芯片(1)具有至少一个侧面(4)，并且其中电磁辐射(6)的一部分在半导体芯片(1)运行时通过侧面半导体器件还具有至少一个转向元件(7)，其中转向元件(7)构成为是辐射可穿透的。转向元件(7)和半导体芯片(1)并排(11)设置，转向元件(7)设置在半导体芯片(1)的侧面(4)上并且转向元件(7)具有下述材料，所述材料的折射率大于半导体芯片(1)的半导体材料的平均折射率。此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]一种应用于光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备-CN201410344629.8无效
发明人：王欣;邓晔;刘建国;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于半导体光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备，包括：管壳或热沉；半导体光电子集成阵列芯片；半导体光电子集成阵列芯片衬底；光学准直透镜阵列；分光棱镜；分光棱镜支架；探测器阵列芯片；光学聚焦透镜阵列本发明在光耦合部分通过安装一个分光棱镜将经过光学准直透镜阵列准直的半导体光电子集成阵列芯片输出的部分光信号引入各自对应的探测器阵列芯片中，克服了在半导体光电子集成阵列芯片耦合封装中因微波微带电路复杂或需双端光耦合而无法安置背光探测器阵列芯片的困难，实现了对半导体光电子集成阵列芯片光信号的实时监测。
一种应用于光电子集成阵列芯片封装耦合设备

[发明专利]光电半导体组件-CN200980155142.2有效
发明人： M.恩格尔;J.E.索尔格;T.蔡勒;J.赖尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：说明一种光电半导体组件，该光电半导体组件具有：—多个矩阵状布置的、发射辐射的半导体芯片（2），其中半导体芯片（2）被施加在共同的载体（1）上，—至少一个转换元件（3），该转换元件排在至少一个半导体芯片（2）后面以转换从半导体芯片（2）发射的电磁辐射，—至少一个跟随每个半导体芯片（2）的散射元件（4）以用于漫射地散射从半导体芯片（2）发射的电磁辐射，其中散射元件（4）与转换元件（3）直接接触。
光电半导体组件

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